【課題】浮上面加工時にトンネル接合素子とシャント抵抗素子の素子形状を調整できるようトンネル接合素子とシャント抵抗素子を形成する製造方法と、該製造方法により製造される磁気ヘッド、及び該磁気ヘッドを用いた情報記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気ヘッドの製造方法は、電気的に並列に接続されたトンネル接合素子とシャント抵抗素子が、浮上面加工した際に浮上面に露出するように形成する素子形成工程と、トンネル接合素子とシャント抵抗素子を同時に研磨することにより浮上面を形成する浮上面形成工程とを有する。従って、トンネル接合素子とシャント抵抗素子を同一加工面に露出することができ、従来の研磨工程においても両素子を加工することができる。 （もっと読む）

【課題】ラジオ−周波数オシレータを構成するためのスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法を提供する。
【解決手段】ラジオ−周波数オシレータを構成するためのスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法であって、：バリアー層（１２）として知られている金属層を堆積する段階；金属層（１３）を堆積する段階；ハードマスク（１４）を堆積する段階；金属層（１３）の第１の選択的なエッチング段階にアセンブリをさらす段階であって、金属層（１３）が、ハードマスク下においてオーバーエッチングされる段階；磁気スタック（１０）及びバリアー層（１２）の部分的な除去を生じることが可能な第２の選択的なエッチング段階に、アセンブリをさらす段階；アセンブリを誘電体（１６、１７）内にカプセル化する段階；アセンブリを、平坦化する段階；及び、導電性上部電極（１８）を配置する段階によって構成される。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合素子（ＴＭＲ素子）の製法において、製造歩留りを向上させる。
【解決手段】基板２０を覆う絶縁膜２２の上に下から順に第１の導電材層、反強磁性層、第１の磁性層、トンネルバリア層、第２の磁性層及び第２の導電材層からなる積層を形成した後、第２の導電材層に選択エッチング処理を施して第１のハードマスク７０ａ，７０ｂを形成し、これらのマスクを選択マスクとするイオンミリング処理により絶縁膜２２に達するようにエッチングして電極パターンに従って積層を残存させ、その残存部を覆って絶縁材からなる第２のハードマスク７６ａ，７６ｂを形成し、これらのマスクを選択マスクとするイオンミリング処理によりＴＭＲ素子Ｔａ，Ｔｂを形成するとともに、第１の導電材層及び反強磁性層の残存部分と第２の導電材層の残存部分とを電極層として残存させ、トンネルバリア層の端部の堆積物を除去する。 （もっと読む）

ＭＲＡＭ装置（１０）の製造方法では、第１及び第２トランジスタ（１４）を上部に備える基板（１２）が提供される。動作メモリ素子デバイス（６０）が、第１トランジスタ（１４）と電気的に接するように形成される。仮想メモリ素子デバイス（５８）の少なくとも一部が、第２トランジスタ（１４）と電気的に接触するように形成される。第１誘電体層（６２）が、仮想メモリ素子デバイスの少なくとも一部と動作メモリ素子デバイスとを覆うように蒸着される。その第１誘電体層がエッチングされて、仮想メモリ素子デバイス（５８）の少なくとも一部に対する第１ビア（６６）と、動作メモリ素子デバイス（６０）に対する第２ビア（６４）とが同時に形成される。そして、導電配線層（６８）が、仮想メモリ素子デバイス（５８）の少なくとも一部から動作メモリ素子デバイス（６４）に向かって延びるように蒸着される。
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