メムキャパシタ・デバイスが、相対する導電性電極の対を有する。これら相対する導電性電極の対の間に、誘電体内に移動性ドーパントを含む半導体材料と、移動性ドーパント・バリア誘電材料とが受け入れられる。これら半導体材料とバリア誘電材料とは、少なくとも１つの異なる原子元により少なくとも特徴付けられる互いに異なる組成である。半導体材料およびバリア誘電材料のうちの一方は、これらのうちの他方よりも、電極の対のうちの一方のより近くに位置する。半導体材料およびバリア誘電材料のうちの他方は、これらのうちの一方よりも、電極の対のうちの他方のより近くに位置する。電解効果トランジスタ、メモリ・アレイ、方法を含めて、他の実現例も開示する。 （もっと読む）

【課題】電気的性能及び耐プロセス性能が優れた不揮発性記憶素子、その製造方法及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】セリウムと、３価を取り得る金属元素であってセリウムとは異なる金属元素と、を含む蛍石型構造の酸化物を含み、印加される電圧及び通電される電流の少なくともいずれかによって互いに異なる抵抗を有する複数の状態の間を遷移可能な記録層を備えたことを特徴とする不揮発性記憶素子が提供される。また、上記の不揮発性記憶素子と、前記不揮発性記憶素子の前記記録層への電圧の印加、及び、前記記録層への電流の通電、の少なくともいずれかによって、前記記録層を前記互いに異なる抵抗を有する複数の状態の間を遷移させて情報を記録する駆動部と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。 （もっと読む）