【課題】メモリウィンドウが広い半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置１において、半導体基板１１上にトンネル絶縁膜１２及びブロック絶縁膜１３を設け、その上に制御ゲート電極１８を設ける。そして、トンネル絶縁膜１２とブロック絶縁膜１３との間に、電荷蓄積粒１５を分散させる。電荷蓄積粒１５は、シリコン窒化物からなる窒化部１６と、窒化部１６に接し、シリコンからなるシリコン部１７とにより構成する。電荷蓄積粒１５は、シリコン窒化膜の表面上にシリコンを堆積させることにより、複数のシリコン粒子を形成した後、シリコン窒化膜をシリコン粒子毎に分断することによって形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＮＯＳ型のメモリセルに対するデータの消去速度を改善させる不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１８と、半導体基板１８中に埋め込み領域として形成された第１導電型のジャンクションリーク発生層２１と、半導体基板１８中に形成され、ジャンクションリーク発生層２１を挟む第１導電型とは逆の第２導電型のウェル領域２０，２２と、半導体基板１８の表面に近いウェル領域２２上に一定の間隔をおいて形成された第１導電型の２つの不純物拡散層２３と、２つの不純物拡散層２３の間のウェル領域２２上に形成されたトンネル絶縁膜２４と、トンネル絶縁膜２４上に形成されたチャージトラップ型の電荷蓄積層２５と、電荷蓄積層２５上に形成されたブロック絶縁膜２６と、ブロック絶縁膜２６上に形成されるコントロールゲート電極２８により構成されている。 （もっと読む）

【課題】セルサイズのさらなる縮小を図ることができる、半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体層２に、トレンチ５が形成されている。半導体層２の表層部には、第１拡散領域３およびドレイン領域が形成されている。第１拡散領域３は、トレンチ５に対して所定方向の一方側に形成され、トレンチ５に隣接している。第２拡散領域６は、所定方向においてトレンチ５に対して第１拡散領域３と反対側に形成され、トレンチ５に隣接している。トレンチ５の底面および側面上には、第１絶縁膜８が形成されている。第１絶縁膜８上には、フローティングゲート１１が設けられている。フローティングゲート１１は、第１絶縁膜８を挟んで、トレンチ５の底面および側面と対向している。フローティングゲート１１上には、第２絶縁膜１２が形成されている。第２絶縁膜１２上には、コントロールゲート１３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電荷保持膜の損傷が抑制され、良好な電荷捕獲能力を有し、高い信頼性を有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板内１を列方向に延伸する第１の拡散層ビット線２ａと、第１の埋め込み絶縁膜３ａと、第１の電荷保持膜４ａと、半導体基板１の上方を行方向に延伸するワード線５とを有するメモリセル領域と、メモリセル領域と列方向に隣接し、注入拡散層７を有するコンタクト領域とを備えている。メモリセル領域とコンタクト領域の境界領域では、ワード線５と平行に延伸するダミーワード線１２と、第２の電荷保持膜４ｂと、第２の拡散層ビット線２ｂと、ダミーワード線１２及び第２の電荷保持膜４ｂの側面に接する第２の埋め込み絶縁膜３ｂとが備えられている。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を低減化，カップリング容量比を向上し、書き込み／消去電圧を低圧化できる。
【解決手段】ｐウェル領域２と、ｎ⁺領域５と６間のウェル領域に跨ってゲート絶縁膜１２を介して形成された選択ゲート電極（ＳＧ）と、ｎ⁺領域６と接するドレイン電極Ｄとからなる選択トランジスタと、ｎ⁺領域１と、ｎ⁺領域５と電気的に接続し、ｎ⁺領域１と離間するｎ⁺領域４と、ｎ⁺領域１の上のトンネル絶縁膜８と、ｎ⁺領域１からｎ⁺領域４の上面に跨って形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜よりも厚い選択絶縁膜１０と、トンネル絶縁膜，ゲート絶縁膜，および選択絶縁膜上のフローティングゲート電極（ＦＧ）と、選択絶縁膜上に形成され、ＦＧと側方で対向して形成されたコントロールゲート電極（ＣＧ）とからなるメモリトランジスタと、選択絶縁膜を挟んでＦＧと対向するフローティングのｎ⁺領域１が形成される不揮発性半導体記憶装置および製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＮＯＳ型トランジスタを集積した電気的に書き換え可能なフラッシュメモリにおいて、リファレンスセルの経時的なしきい値の変動を抑制し、安定した基準電流を得る。
【解決手段】 半導体基板１を接地電位とし、リファレンスセルのゲート４とソース３とドレイン２に正電圧Ｖｐをそれぞれ印加して、チャネル９の直下の空乏層にかかる電界で加速されたホットエレクトロンをチャネル９上の窒化シリコン膜６へ注入する書き込み動作を行う。これにより、チャネル９上の窒化シリコン膜６中の領域全体に一様に固定負電荷８を分布させる。 （もっと読む）