【課題】セル面積の小さい不揮発性プログラマブルスイッチを提供する。
【解決手段】第１配線に接続される第１端子と第２配線に接続される第２端子と第３配線に接続される第３端子とを有する第１不揮発性メモリトランジスタと、第４配線に接続される第４端子と第２配線に接続される第５端子と第３配線に接続される第６端子とを有する第２不揮発性メモリトランジスタと、第２配線にゲート電極が接続されたパストランジスタと、を備え、第１および第４配線が第１電源に接続され、第３配線が第１電源の電圧よりも高い電圧に接続されるときに第１不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が増加し、第２不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が低下し、第１および第４配線が第１電源に接続され、第３配線が第１電源の電圧よりも低い電圧に接続されるときに第１不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が低下し、第２不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が増加する。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッドマルチビット不揮発性メモリ素子を提供する。
【解決手段】第１方式でデータを保存できる第１ストレージノードを備えている第１メモリ部と、第１メモリ部とは異なる第２方式でデータを保存できる第２ストレージノードを備えている第２メモリ部とを備える不揮発性メモリ素子である。第１メモリ部及び第２メモリ部は、ソース及びドレインを共有して２ビット以上のマルチビット動作が可能である。 （もっと読む）