トランジスタ製作は、基板上に窒化物ベースのチャネル層を形成すること、窒化物ベースのチャネル層上に障壁層を形成すること、窒化物ベースのチャネル層のコンタクト領域を露出させるように障壁層にコンタクト凹部を形成すること、例えば、低温堆積プロセスを使用して、窒化物ベースのチャネル層の露出されたコンタクト領域上にコンタクト層を形成すること、コンタクト層上にオーミックコンタクトを形成すること、及びオーミックコンタクトに隣接した障壁層上に配置されたゲートコンタクトを形成すること、を含んでいる。また、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）及びＨＥＭＴの製作方法が提供される。ＨＥＭＴは、基板上の窒化物ベースのチャネル層と、窒化物ベースのチャネル層上の障壁層と、チャネル層の中まで延びる、障壁層のコンタクト凹部と、コンタクト凹部の中の窒化物ベースのチャネル層上の窒化物ベースのｎ型半導体材料のコンタクト領域と、窒化物ベースのコンタクト領域上のオーミックコンタクトと、このオーミックコンタクトに隣接した障壁層上に配置されたゲートコンタクトと、を含んでいる。窒化物ベースのｎ型半導体材料のコンタクト領域及び窒化物ベースのチャネル層は、表面積拡大構造を含んでいる。
（もっと読む）

本発明に係る電界効果トランジスタは、基板（１２）上に連続的に形成されるバッファ及びチャネル層（１６）を備える。ソース電極（１８）、ドレイン電極（２０）、並びに、ソース及びドレイン電極間にあるゲート（２２）はすべて、チャネル層に電気的に接続して形成される。スペーサ層（２６）は、前記ゲートと前記ドレイン電極との間にあるチャネル層の表面の少なくとも一部の上に形成され、フィールドプレート（３０）は、前記ゲート及びチャネル層から絶縁されるスペーサ層上に形成される。フィールドプレート（３０）は、少なくとも１つの導電性パスによってソース電極に電気的に接続され、金属半導体電界効果トランジスタ内におけるピーク操作電界を低減する。
（もっと読む）

窒化物ベースの半導体チャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を形成すること、および窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に保護層を形成することによって、トランジスタが製作される。パターニングされたオーム性接触金属領域が、バリア層上に形成され、第１および第２のオーム性接触を形成するためにアニールされる。アニールは、保護層をゲート領域上に載せたままで実施される。バリア層のゲート領域上に、ゲート接点も形成される。ゲート領域内に保護層を有するトランジスタも形成され、バリア層の成長させたままのシート抵抗と実質的に同じシート抵抗をもつバリア層を有するトランジスタも同様である。
（もっと読む）

【解決手段】材料層の界面の面内格子定数の間の関係を操作することにより、ＩＩＩ族窒化物ベースの電界効果トランジスタの性能特性を改善する。ＩＩＩ族窒化物材料の界面において生成される高移動度の二次元電子ガスは、低いオン抵抗での高い導電を可能にし、ＩＩＩ族窒化物材料の特性に従って得られた自発分極電界の操作によって制御可能である。電界効果トランジスタは、ノミナリーオン型の素子として形成可能であり、その際、界面を形成する材料の面内格子定数は一致する。材料層の一方が、他方の層の材料よりも大きい面内格子定数を有するようにして、ノミナリーオフ型の素子を形成してもよい。層の材料は、本発明の特性に対して特に調整したＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮの層であることが好ましい。 （もっと読む）

低接触抵抗を実現しつつ表面荒れの少ない電極が得られる技術を提供する。
半導体膜１０１の上部に設けられる電極であって、この半導体膜１０１の上部にこの半導体膜の側から順に積層された第一金属層１０２と第二金属層１０３とを有し、この第一金属膜１０２が、Ａｌからなり、この第二金属膜１０３が、Ｎｂ、Ｗ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｒｅ、ＴａおよびＺｒからなる群より選ばれる１種以上の金属からなることを特徴とする電極。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体素子およびその製造方法の実施形態は、高温処理中にＩＩＩ族窒化物材料に損傷を与えずに、素子のコンタクトを形成することを可能にする低抵抗の不動態化層を備えてよい。不動態化層は、素子全体を不動態化するために用いられてよい。不動態化層は、さらに、素子のコンタクトと活性層との間に設けられて、導電のための低抵抗の電流路を提供してもよい。この不動態化処理は、ＦＥＴ、整流器、ショットキダイオードなど、任意の種類の素子に用いて、破壊電圧を改善すると共に、コンタクトの接合部付近の電界集中効果を防止してよい。不動態化層は、外部拡散に関してＩＩＩ族窒化物素子に影響を与えない低温アニールで活性化されてよい。 （もっと読む）