【課題】 微小でしかも強磁場下でも高感度に磁気検出ができる縦型共鳴トンネル素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ソース電極１２となる金属膜と導電層からなるドレイン電極１３との間に変調ドープ構造を持つ柱状半導体１１を有し、柱状半導体１１のソース電極１２とドレイン電極１３との間に前記金属膜と略平行な多重障壁層１４，１５を備え、柱状半導体１１の中心軸部分にソース電極１２側から有底穴１７が形成された縦型共鳴トンネル素子の製造方法において、有底穴１７を形成するとき有底穴１７の底部が多重障壁層１４，１５を貫通しない深さにすることにより生じる空乏層によって多重障壁層間の電子閉じ込め領域１６が実効的にリング状になる深さにする。 （もっと読む）

【課題】２つの微小伝導領域に対する結合を最大に設計・調整可能とし、ポイント接合の特性を独立に調整可能とし、１つの端子から出力される電圧の測定のみで十分として外部測定系を簡略化し、微小伝導領域に占有する電子の数の差に比例した電圧を生じさせ、電子の数が２以上変化するような状況においても動作可能とし、高温での動作を可能にする。
【解決手段】２つの端子３と端子４の間に、トンネル障壁５と微小伝導領域１とトンネル障壁６と微小伝導領域２とトンネル障壁７とを直列に接続する。また、微小伝導領域１と強く静電的に結合したポイント接合８と、微小伝導領域２と強く静電的に結合したポイント接合９を設け、このポイント接合８とポイント接合９の片側の電極を共通にして出力端子１２に接続し、このポイント接合８とポイント接合９の反対側の電極はそれぞれ電源供給端子１０と電源供給端子１１に接続する。 （もっと読む）

【課題】スピンＦＥＴ／スピンメモリの低消費電力と高信頼性を実現する。
【解決手段】本発明の例に関わるスピンＦＥＴは、磁化方向が固定される磁気固着層１２と、磁化方向が変化する磁気フリー層１３と、磁気固着層１２と磁気フリー層１３との間のチャネルと、チャネル上にゲート絶縁層１８を介して配置されるゲート電極１９と、磁気フリー層１３上に配置され、電場により磁化方向が変化する磁性層１５とを備える。 （もっと読む）

本発明は、ソース(24)およびドレイン(29)、並びにこれらのソースとドレインの間に配置されたバリア領域(27)を備えたトランジスタ(21)を提案する。バリア領域は、半導体材料の真性または低濃度ドーピング領域(26,28)によってソースおよびドレインから分離されている。バリア領域と真性または低濃度ドーピング領域との界面にポテンシャルバリアが形成される。ゲート電極(32)はポテンシャルバリアの付近に設けられ、ゲート電極に適切な電圧を印加することによって、ポテンシャルバリアの実効的な高さおよび／または幅を調整することができる。
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【課題】シリコン基板上に形成可能であり、かつ、負性微分抵抗を顕著に発現し得る共鳴トンネル素子及びその製造方法並びに記憶素子を実現する。
【解決手段】本発明の共鳴トンネル素子６は、エネルギー障壁を両端として、量子井戸とエネルギー障壁とが交互に連続するように形成されてなる多重障壁構造を有している。エネルギー障壁は熱酸化膜２であり、かつ量子井戸は金属ナノ粒子３である。負イオン注入によって、熱酸化膜２中に金属ナノ粒子３を形成する。 （もっと読む）