【課題】外部磁場を用いることなく、電子スピン共鳴を生じさせること。
【解決手段】本発明は、半導体からなり、電子の走行方向に対し交差する方向に第１のスピン軌道相互作用に起因した一定の第１有効磁場が生じるチャネル１８と、前記チャネル内に前記第１有効磁場に起因して生じた前記電子のスピン分離エネルギに対応する周波数の交流電界を生じさせることにより、前記チャネル内に前記電子の走行方向および前記第１有効磁場の方向に交差する方向に第２スピン軌道相互作用に起因した交流の第２有効磁場を発生させる電極２４と、を具備する電子スピン共鳴生成装置である。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を備えたトランジスタ型の歪み検出素子であって、金属製歪みゲージよりも格段に優れた検出感度を有する歪み検出素子の提供。
【解決手段】ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネルが形成される圧電材料からなる層と、を備えた歪み検出素子であって、（ａ）上記ゲート電極の長さが２μｍより大きいこと、（ｂ）上記ゲート電極の幅が１ｍｍより小さいこと、（ｃ）上記ゲート電極と上記ソース電極の距離と、上記ゲート電極と上記ドレイン電極の距離との和が１３μｍより大きいこと、の３条件のうち少なくともいずれか１つの条件が成立していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Rashbaスピン軌道相互作用とキャリア経路の分岐により、キャリアスピン上向き下向きを制御することを可能とし、さらにスピン偏極度に依存して、ドレイン電流が流れる超伝導接合を用いることにより、ドレイン電流の大きさをゲート電極で制御するスピントランジスタを実現する。
【解決手段】強磁性体電極（ソース）１０１と、超伝導体電極（ドレイン）１０２と、第１ゲート電極１０３と、第２ゲート電極１０４と、ゲートコンタクト層１０５と、２次元電子ガスが形成されているチャネル層１０６と、スペーサ層１０７と、キャリア供給層１０８と、バッファ層１０９と、基板１１０とを備えて、Rashbaスピン軌道相互作用とキャリア経路の分岐により、キャリアスピン上向き下向きを制御することを可能とするゲート電極と、超伝導体により形成されたドレイン電極を用いることにより、スピン偏極度によりドレイン電流が制御可能である。 （もっと読む）

【課題】原子核スピンを制御するための配線を可能としつつ、固体結晶の原子核スピン間の相関強度を制御することを可能とする。
【解決手段】閃亜鉛鉱型結晶を有する半導体素子１００の結晶軸と磁場Ｂ_１とのなす角度がマジックアングルになるように半導体素子１００及び磁場Ｂ_１を設置することで、まず、半導体素子１００において、原子核スピン間の相互作用を抑制する。そして、一対のショットキースプリットゲート３，４に印加した一定のバイアス値を調整することで、ポイントコンタクト領域９において、自由電子の電子密度を調整し電子スピンを介した原子核スピン間の相互作用の強度を制御する。 （もっと読む）

【課題】原子核スピンをナノメートルの領域で制御する。
【解決手段】２つのノンドープ層５，６に挟まれた二次元電子ガス層８と、ノンドープ層５の表面に二次元電子ガス層８にナノ領域を形成可能な間隔で配置された一対のショットキースプリットゲート３，４とを半導体素子に備え、この半導体素子に磁場を印加し、ショットキースプリットゲート３，４に負バイアスを印加することで、二次元電子ガス層８に無偏極状態と偏極状態の電子スピンが共存するナノ領域を形成させ、無偏極状態と偏極状態の電子スピンに跨って電流を流すことで原子核のスピン状態を反転させ、原子核スピンの制御を可能にする。 （もっと読む）