ＨＥＭＴは、シリコン基板（１）、窒化物半導体から成るバッファ領域（２）、窒化物半導体領域（３）、ソース電極（４）、ドレイン電極（５）、ゲート電極（６）、絶縁膜（７）、導体膜（８）及びコンタクト電極（９）を有している。バッファ領域（２）はシリコン基板（１）の上に複数回繰返して成長されたＡＩＮから成る第１の層（１３）とＧａＮから成る第２の層（１４）とから成る。半導体領域（３）は電子走行層（１５）と電子供給層（１６）とを有している。バッファ領域（２）及び半導体領域（３）の側面（１７）は傾斜している。この傾斜側面（１７）に絶縁膜（７）を介して導体膜（８）が対向している。導体膜（８）はコンタクト電極（９）を介してシリコン基板（１）に接続され、側面（１７）における漏れ電流の低減に寄与する。 （もっと読む）

電界効果型トランジスタの表面に、誘電性材料の堆積／成長させ、誘電性材料をエッチングし、および、メタルを蒸着させる、連続的なステップを用いる、シングルゲートまたはマルチゲートプレートの製造プロセス。本製造プロセスのは、誘電性材料の堆積／成長が、典型的には、非常によく制御できるプロセスなので、フィールドプレート動作を厳しく制御できる。さらに、デバイス表面に堆積された誘電性材料は、デバイスの真性領域から除去される必要はない。このため、乾式または湿式のエッチングプロセスで受けるダメージの少ない材料を用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを、実現することができる。マルチゲートフィールドプレートを使うと、マルチ接続を使用するので、ゲート抵抗を減らすこともでき、こうして、大周辺デバイスおよび／またはサブミクロンゲートデバイスの性能を向上することができる。
（もっと読む）

【課題】窒素を含む化合物半導体層の表面に生じた、エッチングによるダメージを除去あるいは軽減し、ゲート電極に良好なショットキ特性を有する半導体装置を形成する。
【解決手段】ドライエッチングにより、第１化合物半導体層２２のゲート電極形成予定領域３６の表面を露出するとともに、コンタクト層３２を形成する。次いで、この第１化合物半導体層２２の露出した表面に対するアニール処理を行う。前述のドライエッチングの際に第１化合物半導体層２２の表面に生じたダメージを、窒素プラズマを用いた表面処理を行うことにより、良好な電気特性をもつ第１化合物半導体層２２の表面を形成する。この窒素プラズマを用いた表面処理を行った第１化合物半導体層２２の表面上にゲート電極３８を形成し、良好なショットキ特性を有するゲート電極を具えたリセス型ＨＥＭＴ１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体上の膜付着力が強く、かつ温度特性が優れたショットキー電極を備えた窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の電極構造を提供する。
【解決手段】 この窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の電極構造は、電極４の材料として金属窒化物(窒化タングステン)を用いたので、半導体ＧａＮ層３への膜付着力が強く、かつ、加熱によってショットキー特性が劣化することがないショットキー電極４を得ることができた。 （もっと読む）