トランジスタ構造体であって、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）半導体基板と、インジウムアルミニウムガリウムヒ素（ＩｎＡｌＧａＡｓ）格子整合層と、格子整合層の上に配設されるインジウムアルミニウムヒ素（ＩｎＡｌＡｓ）バリア層と、バリア層上に配設されるＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ下部チャネル層であって、ｙは下部チャネル層のＩｎ含有量のモル分率である、Ｉｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ下部チャネル層と、下部チャネル層上に配設されるＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ上部チャネル層であって、ｘは上部チャネル層のＩｎ含有量のモル分率であり、ｘはｙと異なる、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ上部チャネル層と、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ上部チャネル層上のＩｎＡｌＡｓショットキー層とを有するトランジスタ構造体。下部チャネル層は、上部チャネル層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有し、下部チャネル層は、上部チャネル層のバルク電子移動度より低いバルク電子移動度を有する。 （もっと読む）