Fターム［5F102GQ00］の内容
接合型電界効果トランジスタ (42,929) | ヘテロ接合近傍の２次元キャリア層を導電路に利用するもの（Ｈ） (2,045)
Fターム［5F102GQ00］の下位に属するFターム
単一ヘテロ構造（電子） (1,860)
ダブルヘテロ構造 (166)
多層ヘテロ構造 (11)
キャリア層を一次元化するもの（線状キャリア層）
キャリアとしてホール（正孔）を利用するもの (5)
２次元キャリア層に垂直に電流を流すもの (2)
Fターム［5F102GQ00］に分類される特許
1 - 1 / 1
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体及びその製造方法
【課題】炉内付着物からＧａやＮラジカルの発生が起こってもＳｉ基板表面を劣化させず、さらにはスループットを落すことなく良質なIII−Ｖ族窒化物半導体薄膜を実現すること。
【解決手段】加熱したＳｉ基板上に複数のIII族元素またはＶ族元素を含む原料ガスを供給し、熱分解反応させてIII−Ｖ族窒化物半導体を成長させるIII−Ｖ族窒化物半導体の製造方法において、Ｓｉ元素を含む原料ガスを供給しながらＳｉ基板１を加熱することにより、Ｓｉ基板１上にＳｉを成長しつつＳｉ基板１を昇温し、その後にIII−Ｖ族窒化物半導体、例えばＡｌＮ層２の成長を行う。
（もっと読む）
1 - 1 / 1
[ Back to top ]