【課題】ノーマリオフで動作するとともに、高い耐圧と低いオン抵抗を具備した半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１では、ドレイン電極２１が第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ソース電極２９が第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層から電気的に絶縁可能に構成されているとともに第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ゲート部２８が第２ヘテロ接合面３４に対向しており、導通電極２５が第１ヘテロ接合面３２及び第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層の双方に対して電気的に接続可能に構成されている。第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層の電子濃度は、第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層の電子濃度よりも濃い。 （もっと読む）

【課題】複数のチャネルを有する窒化物半導体装置において、ノーマリオフかつ低オン抵抗を実現する技術を提供する。
【解決手段】第１の窒化物半導体層３，５，７と、第１の窒化物半導体層よりも禁制帯幅が大きい第２の窒化物半導体層５，６，８とが積層されたヘテロ接合体を少なくとも２つ以上有する窒化物半導体積層体１０を備え、窒化物半導体積層体１０に設けられたドレイン電極１４と、ソース電極１３と、ドレイン電極１４とソース電極１３の両者に対向して設けられたゲート電極１５，１６とを有し、ドレイン電極１４とソース電極１３は、窒化物半導体積層体１０の表面または側面に配置され、ゲート電極１５，１６は、窒化物半導体積層体１０の深さ方向に設けられた第１ゲート電極１５と、該第１ゲート電極１５と窒化物半導体積層体１０の深さ方向の配置深さが異なる第２ゲート電極１６とを有する。 （もっと読む）

【課題】電子が第１励起準位に存在する割合が増えても、量子井戸層の中の電子の有効質量が軽くなる井戸層にできるだけ多くの電子が存在するようにして、より一層の高速化を実現する。
【解決手段】半導体装置を、基板１０の上方に設けられた第１半導体層１１と、第１半導体層１１の上側に接する電子走行層２４と、電子走行層２４の上側に接する第２半導体層１７（２５）とを備えるものとし、電子走行層を２４、第１井戸層１３、中間障壁層１４、第２井戸層１５を順に積層させた構造を含む２重量子井戸層とし、中間障壁層１４の伝導帯のエネルギーが、第１半導体層１１及び第２半導体層１７（２５）の伝導帯のエネルギーよりも低くなり、第１井戸層１３及び第２井戸層１５の中に基底準位が形成され、２重量子井戸層の中に第１励起準位が形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の上昇を抑制しつつ閾値電圧を大きくできる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】キャリア走行層１３である第１窒化物半導体層13と、第１窒化物半導体層13の上に設けられた、第１窒化物半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい第２窒化物半導体層14と、第２窒化物半導体層14の上に順に設けられた、ＩｎＧａＮ16層と、ｐ型窒化物半導体層18と、ゲート電極２２とを備える電界効果トランジスタであって、ＩｎＧａＮ層16は、ゲート電極２２直下の表面に第１の凹部１９を有する。これにより、オン抵抗を一定に抑えつつ、閾値電圧を大きくすることができ、ノーマリオフ型のトランジスタが実現できる。 （もっと読む）

平行伝導を改善する量子井戸デバイスを提供する方法及び装置の実施形態が主に記載される。その他の実施形態についても、記載及び特許請求される。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗のＦＥＴを提供する。
【解決手段】本発明のＦＥＴは、第１の窒化物半導体層１０３と、第１の窒化物半導体層１０３の上に形成され、第１の窒化物半導体層１０３よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２の窒化物半導体層１０４と、第２の窒化物半導体層１０４の上に形成された第３の窒化物半導体層１０５と、第３の窒化物半導体層１０５の上に形成され、第３の窒化物半導体層１０５よりもバンドギャップエネルギーが大きい第４の窒化物半導体層１０６とを備え、第１の窒化物半導体層１０３及び第２の窒化物半導体層１０４のヘテロ接合界面には、チャネルが形成される。 （もっと読む）

【課題】 バッファ構造を適切にすることにより、低電圧印加時のリーク電流の低減（１×１０^-9Ａ以下）を図り、高耐圧化と高性能化を実現した電界効果トランジスタを提供することにある。
【解決手段】 半絶縁性基板１上に、下層から順にバッファ層２、活性層、コンタクト層を有する電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハにおいて、バッファ層２が複数層から成り、その複数層のうちの最下層２ａとしてｐ型のＡｌ_xＧａ_1-ｘＡｓ（０．３≦ｘ≦１）からなるｐ型バッファ層を設け、このｐ型バッファ層の膜厚とｐ型バッファ層のｐ型キャリア濃度との積が、１×１０¹⁰〜１×１０^1２／ｃｍ²の範囲にあるようにする。 （もっと読む）

シリコン−ゲルマニウムバッファ層及びシリコン−カーボンチャネル層構造を用いて製造された半導体素子、例えばヘテロ接合電界効果トランジスタ。本発明は、例えば合金のＳｉ格子中に実質的に組み入れられた約１．５原子％よりも少ないＣを含むシリコン−カーボン合金の歪シリコンチャネル層を形成することによって、上部に歪シリコンチャネル層が形成されたＳｉＧｅ緩和バッファ層における減少されたゲルマニウム含有量を介して貫通欠陥密度を減少させる方法を提供する。
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