【課題】パージ・システムを有する化学物質デリバリー・システムを提供する。
【解決手段】中レベル真空源、ハード真空源および／または液体フラッシュ・システム（５０６）の種々の組合せを用いるパージ技術を用いた化学物質デリバリー・システム（５００）。また、化学物質デリバリー・システムを加熱するヒータ・システムを備え得る化学物質デリバリー・システムも開示される。 （もっと読む）

本発明は、オーバーパック、瓶、容器などに使用される３次元ライナーであって、射出ブロー成形または射出延伸ブロー成形により成形された可撓性を有する３次元ライナーおよびその製造方法に関する。前記ライナーの製造方法には、予備成形体を形成するために予備成形用鋳型に重合体を射出すること、ライナーを形成するために予備成形体をブロー成形すること、ライナーを折畳んでオーバーパック内に配置させることおよびライナーを膨張させることが含まれる。予備成形体にはフルオロ重合体が用いられる。ライナーは、オーバーパックの内面に実施的に一致する可撓性本体と、可撓性本体に一体化された嵌めこみ開口部とからなる。可撓性本体は、可撓性本体を折畳むことによってオーバーパック内に着脱自在に挿入されるように構成されても良く、可撓性本体をオーバーパック内に装入してオーバーパック内で可撓性本体を再膨張させる。可撓性本体はフルオロ重合体からなり、多層を構成する。
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【課題】改良されたバルク化学物質供給システムを提供する。
【解決手段】少なくとも１つのマニホールド・ボックスに接続されたバルク化学物質キャニスターを含み、各マニホールド・ボックスが少なくとも２つの流出ラインを有し、各流出ラインが二次キャニスターと接続している、バルク化学物質供給システム。代表的な実施例においては、バルク化学物質キャニスターは２００リットルの容量を有するが、これに限定されるものではない。また、キャニスターおよび輸送／格納カートから化学物質を供給するのに使用するための新規なマニホールドが開示される。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスの製造において使用される半導体処理システムのコンポーネントから残留物を洗浄するための方法および装置。残留物を効果的に除去するために、コンポーネントは、十分な時間の間および十分な条件下において、気相反応物質に接触させられて、残留物を少なくとも部分的に除去する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが異なる場合には、気相反応物質は、残留物と選択的に反応し、イオン注入装置のコンポーネントを構成する物質とは最小限だけ反応する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが同一である場合には、気相反応物質は、残留物およびコンポーネントパーツの両方と反応し得る。
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コネクタは２以上の容積間の物質移動通路を、容積の内部の内容物を外部環境に露出することなく、形成するために設けられている。取り外し可能なカバーがフラップ形成膜又は境界要素に設けられ、フラップは接着剤を含む。２つの容器及び/又は導管は、カバーを取り外し、フラップを一致させ、容器及び/又は導管を接合し、フラップを周囲の膜から解放することで、対応するコネクタを用いて互いに接続されてもよい。
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洗浄されるべき構造物に洗浄液を接触させる洗浄プロセスのエンドポイントを決定するための装置及び方法を提供する。当該洗浄プロセスは、洗浄されるべき構造物に洗浄液を接触させる工程と、当該構造物の洗浄の程度に対応してセンシブルヒートサーマルエネルギ特性を有する洗浄排出物を生成する工程と、上記洗浄排出物のセンシブルヒートサーマルエネルギ特性を示すレスポンスを発生させるため、上記洗浄液中に、上記洗浄排出物と相互作用する目的物を浸漬させる工程と、洗浄が完了した時点を決定するため上記レスポンスをモニタリングする工程と、を備える。エンドポイントアルゴリズム及びエンドポイントモニタリング、並びに効果的で再現可能な方法でエンドポイント条件を決定するために有益なエンドポイントモニタセンサエレメントについても記載されている。
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選択的に閉止可能なドレンコネクタ（１００，１００Ａ、８００）は、空間部を規定するドレンフランジ（１５０，１５０Ａ、２５０，８５０）に対して相対的に動き得る中空プランジャ（１１０、２１０、８１０）を含んで成る。コネクタ（１００，１００Ａ、３００，４００，５００，５００Ａ、８００）はプランジャ（１１０，２１０，８１０）およびフランジ（１５０，１５０Ａ、２５０，８５０）の間に二個の周状シール（１３３，１３５，２３５，２３６）を含み、およびシール（１３３，１３５，２３５，２３６）間に、中空内部（１２５，２２５，８２５）へと通じる少なくとも一つの通路（１２６Ａ−１２６Ｃ、２２６Ａ−２２６Ｄ、８２６Ａ−８２６Ｃ）を含んで成る。ドレンコネクタ（１００，１００Ａ，３００，４００，５００，５００Ａ，８００）は、物質処理容器（３００，４００，５００，５００Ａ）を形成するために、処理バッグ（４９１，５９１，５９１Ａ，６０１，７０１）および／またはタンク（３０１，５０１，５０１Ａ，６０１，７０１）に結合してよい。
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ホウ素含有イオンを、三フッ化ホウ素と比較してより容易に劈開する、フッ化ホウ素含有ドーパント種を用いて、注入する方法。ホウ素含有イオンを、三フッ化ホウ素と比較してより容易に劈開する、フッ化ホウ素含有ドーパント種を用いて注入することを含む、半導体デバイスの製造方法。水素化ホウ素前駆体を供給するシステム、および水素化ホウ素前駆体を形成する方法、ならびに水素化ホウ素を供給する方法もまた、開示される。発明の一つの実施形態において、集積回路のような半導体製品を製造するために、水素化ホウ素前駆体は、クラスターホウ素注入のために生成される。
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半導体基材のドーピングにおいて、低圧ドーパントガスを高電圧イオン源に配送するシステムであって、ガスが高電圧イオン源に入る前に、電子イオン化カスケードを維持する水準より低くなるまで電子加速効果を下げるために、高電圧イオン源の上流側の電子エネルギーを調節することで、低圧におけるガスの望ましくないイオン化を抑制する。具体的適用におけるガス配送システムはガス流路、ガス流路の少なくとも一部と電気的に接続してそこに電場を印加する電圧発生装置、およびガスのイオン化ポテンシャルと関係する低圧ガスの電子の加速長を調節してガス流路中でのイオン化を抑制するために設置される妨害構造物とを有する。
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危険なガスを輸送するためのユーティリティを有する閉じ込めパッケージ（１０）、およびパッケージ、例えば、危険なガスの閉じ込めパッケージ（２０）へのアクセスを制御する保安システム。具体的な実施において、閉じ込めパッケージは、輸送（例えば空輸）の間、ガス閉じ込め容器の安全と保安を向上させるために、オーバーパック（１１）を含み、オーバーパックは、ガス閉じ込め容器内の圧力よりも高い圧力にて、保護的なガスにより加圧され、また、および全地球測位システム（ＧＰＳ）で調整されるプログラム可能なロック・アンド・キーシステム（３０）がコンテナパッケージと組み合わされて、ＧＰＳ部品が閉じ込めパッケージが特定の地理的な場所にあることを示すときにのみ、ガス閉じ込め容器へのアクセスが可能なように制御されている。
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