Fターム[5F103BB18]の内容
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Fターム[5F103BB18]に分類される特許
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化学量論的組成勾配層及び層構造の製造方法及び装置
【課題】本発明は、連続成膜設備において、化学量論的組成勾配を有する形で基板に成膜するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明では、それぞれ一つの蒸発器チューブを有する少なくとも二つの蒸発機器が配備され、両方の蒸発器チューブは、互いに独立して傾斜可能な形に構成されており、そうすることによって、両方の蒸気ビームの移行領域を勾配形態の要件に適合させることができる。 更に、基板に対する蒸発器チューブの間隔及び蒸発器チューブの互いの間隔を調整することができる。
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トップダウン式の材料堆積用システム及び方法
基板上に薄膜を堆積するための方法及びシステムは、基板上方に位置付けた蒸気供給流源からの蒸発可能材料を導入することを含む。蒸発可能材料は蒸発され、蒸気供給流源から蒸気供給流として基板から離れる方向に向けられる。蒸気供給流は、リディレクタから基板の方へ向きなおされて、基板上に薄膜として堆積される。 (もっと読む)
薄膜トランジスタ及びその製造方法
【課題】環境への負荷が小さく、安価な薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極1の表面に、絶縁膜2及びAZO半導体よりなるチャネル層3がこの順に形成されており、該チャネル層3の表面に、間隔をあけてソース電極4及びドレイン電極5が形成された構成となっている。チャネル層がAZO半導体よりなるため、安価であると共に環境への負荷が小さく、低温プロセスで製造することができる。ソース電極4及びドレイン電極5がAZO半導体よりなるため、チャネル層6と同一の成膜装置で製造することが可能である。
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