【課題】 坩堝の側面に原料融液が這い上がった状態で成膜を行うと、形成された薄膜の厚さの均一性が低下してしまう。
【解決手段】 チャンバ内に基板ホルダが配置されている。坩堝の内部に蒸発源が収容される。坩堝の開口部が、基板ホルダに保持された基板に向けられている。第１の加熱装置が坩堝を加熱する。測定装置が、坩堝の深さの１／２の深さよりも浅い位置の、坩堝の温度に依存する物理量を測定する。回転機構が坩堝を回転させる。制御装置が、測定装置による測定結果に基づいて、回転機構を制御する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の半導体酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜と、この膜の製造方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）を使用してｐ型ＺｎＯ材料を成膜させる。この方法では、ＬｉとＰの両方を含有する化合物とＺｎＯとの混合物からなる固体ターゲット上にパルスレーザビームを集光させる。集光されたレーザパルスの高いパワー密度により、ターゲット表面上の材料が融除されてプラズマが形成され、これが基板表面上に堆積する。また、パルスレーザ源を含んだ透明な基板と、パルスレーザの波長に対し透明である基板と、マルチターゲットシステムとを使用するパルスレーザ成膜プロセスについて説明する。パルスレーザの光路は、パルスレーザが基板の裏から入射して基板を通過し、ターゲット上に集光するように配置されている。基板をターゲットに向かって並進運動させ、アブレーションプルームのルートを利用した微細パターンの付着が可能になる。 （もっと読む）

【課題】基材にさらされる面を有するスパッタターゲットと、当該ターゲットの面に対して移動する磁界を与えるマグネトロンとを有する、基材上に層を堆積させるためのスパッタリング装置を用いたスパッタリング法を提供する。
【解決手段】本発明においては、場の移動速度は、基材上の堆積の均一性が向上するように制御される。とりわけ、本方法は、均一性対速度を監視する工程；好ましい均一性を与える速度を選択する工程；及び選択された速度に場を制御する工程を含む。選択された速度はターゲットの寿命にわたって変化させることができ、ターゲットが薄くなるにつれて速度を高くすることが望ましい。 （もっと読む）