【課題】 酸化物、窒化物、塩化物、フッ化物などの化合物の薄膜を分子線エピタキシー装置で作製する場合、気体材料がチャンバ内に雰囲気ガスとして残留し、他方の材料の分子線セルのるつぼに進入し、気体材料との化合物を作る。化合物になった分は材料の損失となる。材料損失が大きいと、原料の補填のためにたびたび超高真空チャンバを大気圧に戻さなければならず作業能率が悪くなる。
【解決手段】 るつぼ底部または上部に到るようにパージガス導入管を設け、パージガス導入管を通して、不活性ガスをるつぼ内へ吹き込み雰囲気ガスがるつぼ内の材料と接触しないように遮断する。 （もっと読む）

【課題】 半導体結晶成長処理されるべき基板を保持する基板ホルダが、大気に曝されることを防止し、基板ホルダに付着する堆積物を除去することによって、基板ホルダおよび堆積物が半導体結晶を成長させる際の酸素汚染源となることを防止し、特性に優れた半導体結晶を得る。
【解決手段】 半導体結晶の成長が完了した基板２７の取外された基板ホルダ２８が、基板導入室２２の所定位置から取出されるとき、半導体結晶成長の過程において基板ホルダ２８に付着した堆積物を基板ホルダ処理室２６で除去するとき、および堆積物が除去された基板ホルダ２８を基板導入室２２の所定位置にセッティングするとき、のいずれのときにおいても、基板ホルダ２８は、不活性ガス雰囲気または真空雰囲気中で取り扱われる。 （もっと読む）