Fターム[5F103DD02]の内容
半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | 析出物質 (905) | 3−5族化合物 (251) | BN (1)
Fターム[5F103DD02]に分類される特許
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III族窒化物化合物半導体積層構造体およびその成長方法
【課題】MBEやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたIII族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。
【解決手段】ドーパント元素のみを供給するプロセスと、III族元素を含む化合物と窒素原料を同時に供給するプロセスを交互に繰り返すことからなる第一の工程を含む、ラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたIII族窒化物化合物半導体層の成長方法。
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