Fターム[5F103GG00]の内容
半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | 析出状態 (499)
Fターム[5F103GG00]の下位に属するFターム
単結晶・エピタキシャル成長 (278)
多結晶 (78)
アモルファス(非晶質) (94)
選択析出 (11)
その他の析出状態 (38)
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半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | 析出状態 (499)
単結晶・エピタキシャル成長 (278)
多結晶 (78)
アモルファス(非晶質) (94)
選択析出 (11)
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