【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、保護膜と、を有し、該保護膜は金属酸化膜を有し、該金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】ポアの発生を抑制することにより良好な特性を持った有機膜を得る。
【解決手段】図１（ｃ）に示されるように、弾性膜２０は、積層構造１０の間に空隙を形成することなしに密着した状態となる。すなわち、積層構造１０がこの弾性膜（封止層）２０で封止された状態となる（封止層形成工程）。図１（ａ）の状態ではパターニングされた有機膜１２の端部が露出しているが、この端部も弾性膜２０で封止される。次に、図１（ｄ）に示されるように、図１（ｃ）の構成をそのまま冷間静水圧加圧装置５０中に入れ、加圧する（加圧工程）。 （もっと読む）

【課題】任意の基板上に形成でき良好な結晶性を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記第１層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。前記機能層は、前記第１層の上に形成され、窒化物半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生
産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向か
って結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化
物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部
材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の
同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供すること。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】絶縁層に凸状構造体を形成し、該凸状構造体に接して酸化物半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を３次元方向（基板垂直方向）に延長させる。これによって、トランジスタの微細化を達成しつつ、実効的なチャネル長を延長させることができる。また、凸状構造体の上面と側面とが交わる上端コーナー部に曲面を形成し、酸化物半導体層が当該曲面に垂直なｃ軸を有する結晶を含むように形成する。これによって、酸化物半導体層の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶の提供。
【解決手段】 昇華させた昇華用原料を炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させて、炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造され、最大直径が、前記種結晶の直径よりも大きい炭化ケイ素単結晶である。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を向上させることが可能な光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】低温で成長させることにより作製した第１窒化ガリウム層と、該第１窒化ガリウム層の表面に形成された窒化インジウム量子ドットと、を有する光電変換素子、及び、低温で成長させることにより窒化ガリウム層を形成する第１工程と、該第１工程によって形成された窒化ガリウム層の表面に窒化インジウム量子ドットを形成する第２工程と、を有する、光電変換素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも発光波長が広い波長領域で均一に分布している量子ドット構造を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明では、量子ドット構造を以下の手順で製造する。
まず、基板１１を用意する。次に、基板１１上に、量子ドット１３を設ける。次に、量子ドット１３よりも低く、かつ表面拡散が抑制されるように基板１１上に薄膜１４を堆積する。
最後に、量子ドット１３のうち、薄膜１４から露出した部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素基板１１の第１の側面Ｓ１と、第２の炭化珪素基板１２の側面Ｓ２とが互いに面するように、処理室６０内にベース部３０および第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。処理室６０内に、炭素元素と化合することができる固体材料からなる吸収部５１が設けられる。第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２を互いに接合するために、炭化珪素が昇華し得る温度以上に処理室６０内の温度が高められる。温度を高める工程において吸収部５１が炭化される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属硅素化合物薄膜を、チャネル領域とした薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】 遷移金属原子Ｍの周りをz個のシリコン原子Siが取り囲む遷移金属内包シリコンクラスター（ＭＳｉz）を単位構造とし、シリコンと遷移金属との組成比（＝シリコン／遷移金属）をｎとしたとき、シリコンと遷移金属との組成比（＝シリコン／遷移金属）ｎが７以上１６以下である遷移金属とシリコンの化合物であって、ｎ／Ｚが０．７７８以上１．８１以下である遷移金属珪素化合物薄膜をチャネル領域としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
ただしＺは、遷移金属原子Ｍの周りを取り囲むシリコン原子の数zの平均値である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有するトランジスタ又は当該トランジスタを具備する半導体装置において、電気的特性の劣化を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル層として用いるトランジスタにおいて、酸化物半導体層の表面に接してｐ型シリコン層を設けた構成とする。また、ｐ型シリコン層を、少なくとも酸化物半導体層においてチャネルが形成される領域に接して設けると共に、酸化物半導体層においてｐ型シリコン層が設けられない領域にソース電極層及びドレイン電極層を接して設けた構成とすることができる。 （もっと読む）

【課題】
巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。
【解決手段】
本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。 （もっと読む）

【課題】良好な特性の多結晶シリコン膜を短時間に形成できる多結晶シリコン膜の形成方法、形成装置及びそれにより形成された多結晶シリコン膜が形成された基板を提供する。
【解決手段】シリコン蒸発源１５の加熱によりシリコン微粒子を生成し、次に、シリコン微粒子を移送し、超音速フリージェットＪの気流に乗せて真空チャンバー３０中に噴出して、真空チャンバー３０中に配置された基板３３上に物理蒸着させ、シリコン微粒子からなる多結晶シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】６Ｈ型の結晶多形単一で形成される炭化ケイ素単結晶を製造する。
【解決手段】昇華用原料が昇華する温度Ｔ１まで坩堝が加熱された後、坩堝内の不活性雰囲気の圧力が大気圧よりも低い圧力Ｐ１まで減圧され、種結晶上に炭化ケイ素単結晶の凸面が形成されるまで圧力Ｐ１が維持される工程Ｓ１と、不活性雰囲気の圧力が圧力Ｐ１よりも上昇させられる工程Ｓ２と、工程Ｓ２の後、温度Ｔ１よりも高い温度Ｔ２まで坩堝が加熱された後、昇華用原料の昇華が始まるまで坩堝内の不活性雰囲気の圧力が減圧される工程Ｓ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】低温、かつ少ない工程で、ナノドットを作製する方法、並びにこのナノドットを有する浮遊ゲートトランジスタ及びその作製方法の提供。
【解決手段】同軸型真空アーク蒸着源１を用いて、金属材料又は半導体材料から、絶縁層３４中に埋め込まれる、電荷を保持するためのナノドット３３を作製する。基板３１上に酸化物膜３２を形成する工程と、ナノドット３３を酸化物膜３２上に作製する工程と、ナノドット上に絶縁層３４を形成することでナノドットを埋め込むようにする工程と、絶縁層３４上に電極膜３５を形成する工程とを有し、かくして浮遊ゲートトランジスタが作製される。 （もっと読む）

【課題】量子ドットのサイズ制御を可能とし、かつ設計自由度の大きい、量子ドット作製装置及びその生産方法を提供すること。
【解決手段】基板３０が搭載される基板ホルダ４０と、基板３０で形成される複数の量子ドットのサイズを熱放射により制御する当該基板に近接した構造体１０と、構造体１０の温度を所定の範囲に加熱する加熱器５０と、構造体１０が搭載される構造体ホルダ２０と、を備える量子ドット作製装置。 （もっと読む）

【課題】基板および活性領域を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ半導体デバイスの作製方法が提供される。
【解決手段】当該方法は、活性領域を、（ｉ）プラズマアシスト分子線エピタキシーと、（ｉｉ）上記活性領域が成長される温度で上記基板の表面において解離する窒素含有分子を含むガスを使用した分子線エピタキシーと、の組み合わせを用いて成長させるステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ層上に形成されるＩｎＡｓ量子ドットのサイズを適切に制御する。
【解決手段】量子ドットの形成方法は、基板（１１０）上にＧａＡｓを含んでなる第１半導体層（１２０）を形成する第１形成工程と、基板の基板温度を摂氏４８０度及び摂氏５３０度の間の温度にした後に、第１半導体層の上に、Ｉｎ及びＡｓを夫々照射して、ＩｎＡｓを含んでなる第２半導体層（１３０）を形成する第２形成工程とを備える。第２形成工程において、第２半導体層の成長速度を０．０２ＭＬ／ｓ及び０．１ＭＬ／ｓの間の成長速度とし、第２半導体層の成長量を１．２ＭＬ及び２．５ＭＬの間の成長量とすることにより、第２半導体層の第１半導体層と対向しない側の面（１３０ａ）にＩｎＡｓを含んでなる量子ドット（１３１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】領域選択成長技術を適用して、均一性のある微細構造を生産できる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板が搭載される試料ホルダ４０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるため基板の温度を所定の範囲に加熱する加熱器５０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるための少なくとも１つ以上の第１の開口部と、当該１つ以上の第１の開口部の外側に複数の第２の開口部を有するマスク１０と、マスク１０が搭載されるマスクホルダ２０と、を備える微細構造素子製造装置。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度の高い化合物半導体膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２のドーパント１７ａ、１９ａと、III族窒化物半導体４７の構成元素の原料とを供給して第1半導体層４７ｂを形成する工程Ｓ１０３と、第２半導体層４７ａを形成する工程Ｓ１０１と、第１半導体層４７ｂと、第２半導体層４７ａの形成を繰り返す工程Ｓ１０７とを備え、第２のドーパント１９ａは、第１のドーパント１７ａと同一の導電型のドーパントとして働き、第２半導体層４７ａは、アンドープ層、又は、低ドープ層であり、低ドープ層は、第１及び第２のドーパント１７ａ、１９ａが第１半導体層４７ｂにおける濃度よりも低濃度にドープされ、第１半導体層４７ｂにおいて置換される構成元素の原子半径は、第１のドーパント１７ａの原子半径よりも大きく、第２のドーパント１９ａの原子半径よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）