【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向を向き、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向するように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。この配置する工程の後に、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぎ、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向する空間を埋めるように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２上に炭化珪素層３０が分子線エピタキシ法によって形成される。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを低下させるドロップレット発生を低減、かつ良好な結晶性を有する化合物エピタキシャル層製造方法を提供。
【解決手段】ＺｎＯ基板上の化合物エピタキシャル層形成方法で、（ａ）ＺｎＯ基板の成長面が、｛０００１｝面で、（ｂ）化合物エピタキシャル層を形成するための元素の全てまたは一部を、基板上の成長面に間欠的に供給し、供給継続時間Ｔｏｎ（ｓｅｃ）と供給休止時間Ｔｏｆｆ（ｓｅｃ）が、論理式：（Ｂ−１）ａｎｄ｛（Ｂ−２）ｏｒ（Ｂ−３）ｏｒ（Ｂ−４）｝、ここで（Ｂ−１）１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｆｆ≦１×１０^−２ｓｅｃ、１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｎ≦１×１０^−２ｓｅｃ（Ｂ−２）２×１０^−３ｓｅｃ＜Ｔｏｆｆ≦１×１０^−２ｓｅｃ（Ｂ−３）０．０１％≦Ｔｏｎ／（Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆ）＜５％（Ｂ−４）１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｆｆ＜５×１０^−５ｓｅｃ、１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｎ＜５×１０^−５ｓｅｃを満たす。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶を効率よく、かつ割れ等の破損がない状態で容易に切り出すことができる炭化ケイ素単結晶の研削方法を提供する。
【解決手段】昇華法により形成された炭化ケイ素単結晶１０の種結晶１１側に対向する成長面に対して研削砥石３０の砥石加工部３２を接触させる工程と、研削砥石３０を回転させると共に研削砥石３０を種結晶１１方向に下降させて炭化ケイ素単結晶１０を研削する工程とを含み、炭化ケイ素単結晶１０を研削する工程にて、中空円筒状砥石３０又は固定装置２１に超音波振動を与えて炭化ケイ素単結晶１０の切子を排出させる。 （もっと読む）