【課題】
１つ以上の凹凸パターンが形成されたシリコーン・エラストマー・スタンプにおいて、
前記シリコーン・エラストマー・スタンプの凸部表面のみに親水層を設けることで、親水性インクを用いることができる、印刷解像度の高いシリコーン・エラストマー・スタンプを提供すること。
【解決手段】
１つ以上の凹凸パターンが形成されたシリコーン・エラストマー・スタンプについて、
前記シリコーン・エラストマー・スタンプの凸部表面のみに親水層が設けられていることであり、上記、親水層を親水性ポリマー層で形成することであり、また、当該親水性ポリマー層をアミノ基を有するポリマー層にすることである。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】サイズが小さく、耐圧の高い薄膜トランジスタにより構成された保護回路を有する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置の保護回路において、非晶質半導体層と、微結晶半導体層と、該微結晶半導体層に接するゲート絶縁層と、ゲート電極層と、が重畳する薄膜トランジスタを用いる。微結晶半導体層の電流駆動能力が高いため、トランジスタのサイズを小さくすることができる。また、非晶質半導体層を有することで耐圧を向上させることができる。ここで表示装置とは、液晶表示装置又は発光装置である。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にトリベンゾ［ｄｅ，ｋｌ，ｖｗｘ］ヘキサフェン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】スループット良くＳＯＩ基板を製造できる方法を提供する。
【解決手段】支持基板に半導体基板から分離させた半導体層を転置して、ＳＯＩ基板を製造する。まず、半導体層の基となる半導体基板を準備する。該半導体基板には所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ、一表面上に絶縁層を形成する。半導体基板と支持基板とを、絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合した後、半導体基板にレーザビームを選択的に照射して脆化層の脆化を進行させる。そして、物理的手段又は加熱処理により、脆化層の脆化を進行させた領域を始点として、半導体基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料としての薄膜形成が容易で、しかも特性の優れた有機半導体材料、それを用いた有機半導体装置、及びそれを用いた有機電界効果トランジスタなどの有機半導体素子を提供する。
【解決手段】−Ｃ_６Ｈ_４Ｏ（−Ｒ^４−Ｏ−）ｎＲ^３（Ｒ^３はアルキル基を表し、Ｒ^４はアルキレン基を表し、ｎは０または正の整数を表す。）等の基を持つヘキサペリヘキサベンゾコロネン誘導体よりなる有機半導体材料、及びその製造方法で実現する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する発光装置、及び該発光装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する発光装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上にバッファ層と、バッファ層上において微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、チャネル保護層及びバッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域上にソース電極及びドレイン電極を有する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、プレーナ構造を有する蓄積容量を有し、例えばトランジスタにおける光リーク電流を低減すると共に容易に開口率を向上させる。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０上に、半導体膜１ａと同一膜から形成された第１容量電極と、ゲート電極３ａよりも上層側に配置されると共に第１容量電極に誘電体膜７５を介して対向する第２容量電極３００とを有する第１蓄積容量７０ａ又は７０ｂを備え、第２容量電極３００は、第１容量電極に対向する第１本体部分３００ｃと、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを少なくとも部分的に覆うように第１本体部分３００ｃから延設され、ＴＦＴ３０と層間絶縁される延設部分３００ｓとを有する。 （もっと読む）

【課題】特性が均一な微結晶半導体を有する半導体装置を効率良く提供することを課題とする。また、高品質な電子機器を効率良く提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、半導体層が完全溶融する光強度のパルスレーザー光を照射することにより、微結晶半導体領域を形成する。これにより、特性が均一な微結晶半導体領域を有する半導体装置を作製することができ、また、これを用いて、高品質な電子機器を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】残存する結晶化誘導金属の量を減少させて電気的特性が優秀な薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００と、基板上に位置し、チャネル領域１６２、ソース領域１６１、およびドレイン領域１６３を含む半導体層１６０と、半導体層のチャネル領域とゲート絶縁膜１７０を介し対向して設けられたゲート電極２１０と、半導体層のチャネル領域以外の領域の上部または下部にゲート電極と離隔されて位置した、ゲート電極と同一物質からなる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層と、半導体層のソース領域およびドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されたソース電極２４０ａおよびドレイン電極２４０ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチエノベンゾチオフェン環、あるいは置換または未置換のナフトチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を抑制しつつ、且つ製造コストの増加を抑え、加えて、電気特性が高く、オフ電流の低減を図ることができる薄膜トランジスタを具備する液晶表示装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に設けられたゲート電極と、基板及びゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介したゲート電極上に、微結晶半導体膜と、上部に窪みが存在するバッファ層とが順に積層して設けられた第１の島状半導体膜及び第２の島状半導体膜と、導電性半導体膜と、導電性半導体膜上に接して設けられた導電膜と、を有し、導電性半導体膜が、第１の島状半導体膜及び第２の島状半導体膜の間に、ゲート絶縁膜に接して設けられている薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のインドール環を表す） （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する液晶表示装置、及び該液晶表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上にバッファ層と、バッファ層上において微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、チャネル保護層及びバッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域上にソース電極及びドレイン電極を有する。 （もっと読む）

【課題】小面積化が可能、素子数が少なく構成が簡易、低消費電力動作、製造における高歩留まりが見込める電流記憶回路を実現する。また、この電流記憶回路をＯＬＥＤ表示装置等の電流駆動型の表示装置に適用することにより、表示装置の画素開口率の向上、高信頼性化、高性能化等を実現する。
【解決手段】ドレインまたはソースを複数有するトランジスタのような形状の新規な半導体素子を用いることを特徴とする。この半導体素子を書込み用素子と駆動用素子に用いる場合、電流値の読込み、記憶、そして電流出力が、この半導体素子二つで行うことができ、小面積化が著しく容易となる。 （もっと読む）

【課題】酸素や水分から保護され、電磁的に保護され、特性が安定化し、集積化に適した有機薄膜トランジスタ。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極１２と、ゲート電極１２上に配置されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に配置されたソース電極１６およびドレイン電極１８と、ソース電極１６とドレイン電極１８間であって、ゲート絶縁膜１４上に配置された有機半導体層２０と、有機半導体層２０上に配置された正孔輸送層２２と、正孔輸送層２２上に配置された電子輸送層２４と、電子輸送層２４上に配置された導電体層２６とを備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性の高い薄膜トランジスタを有する発光装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する発光装置において、逆スタガの薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出するようにソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ガラス基板１の上にゲート電極膜２を形成し、前記ガラス基板１およびゲート電極膜２の上に窒化珪素膜３を形成し、前記窒化珪素膜３の上にアモルファスＳｉ膜４を形成し、前記アモルファスＳｉ膜４の上にバリア膜を介していずれもＣｕ−Ｏ−ＡＥＭ（アルカリ土類金属）銅合金膜１５の下地層を有するＣｕ−ＡＥＭ（アルカリ土類金属）銅合金からなるドレイン電極膜５およびソース電極膜６を形成し、前記アモルファスＳｉ膜４、ドレイン電極膜５およびソース電極膜６の上に窒化珪素膜３´を被覆形成してなる薄膜トランジスターにおいて、前記バリア膜は、Ｃｕ−Ｓｉ−Ｏ−ＡＥＭ（アルカリ土類金属）銅合金膜１９で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大判ガラス基板上に単結晶半導体層を大面積に設けることにより、大型のＳＯＩ基板を得る。
【解決手段】脆化層を設けた単結晶半導体基板と、分離層を設けたダミー基板とを貼り合わせ、熱処理によって脆化層を境として単結晶半導体基板を分離し、ダミー基板上に単結晶半導体片を形成する。単結晶半導体片上に保護膜を形成した後、ダミー基板を分断して単結晶半導体片を形成し、接着剤を用いて支持基板に単結晶半導体片を接着し、分離層を境としてダミー基板より単結晶半導体片を分離する。その後、大判ガラス基板上に複数の単結晶半導体片を接する状態に並べて転載する。 （もっと読む）