Fターム[5F110FF23]の内容
Fターム[5F110FF23]に分類される特許
2,061 - 2,062 / 2,062
薄膜トランジスタ装置およびその製造方法
【課題】 電気特性の優れた多結晶TFTを提供する。
【解決手段】多結晶膜3を堆積させる工程、堆積した多結晶膜のうち所望の位置4のみを残すようにエッチングする工程、残された部分的な多結晶膜の中で所望の結晶方位の結晶粒5だけを、しかも所望の結晶面(ファセット)6を出した状態になるように異方性エッチングする工程、さらに、こうして得られた結晶核の上に膜を堆積し結晶化させる工程を用いる。
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電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
【課題】 電気光学装置において、比較的簡単な構成を用いて、画素部のTFTのチャネル領域やチャネル隣接領域における入射光や戻り光に対する遮光性能を高める。
【解決手段】 電気光学装置は、一対の基板間に挟持された電気光学物質層(50)と、TFTアレイ基板(10)にマトリクス状に設けられた画素電極(9a)とを備える。TFT(30)の下側には、第1遮光膜(11a)が設けられている。データ線(6a)は、遮光性の材料からなり、TFTのチャネル領域(1a’)及びチャネル隣接領域(1a”)を対向基板(20)の側から見て夫々覆う主配線部と、この主配線部の縁から層間絶縁膜に形成された溝に向けて伸びておりチャネル隣接領域を側方から囲む側方遮光部(6b)とを有する。
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2,061 - 2,062 / 2,062
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