【課題】超伝導電極層としてＭｇＢ₂、接合部にＩｎＧａＡｓチャネル層を用い、第三電極を用いて超伝導電流を制御する半導体結合超伝導三端子素子において、超伝導電極層の成長時のＭｇのＩｎＧａＡｓチャネル層への拡散を抑制し、接合特性を改善した半導体結合超伝導三端子素子を提供することにある。
【解決手段】超伝導電流のチャネル層となるＩｎＧａＡｓ層とソース電極となる第１のＭｇＢ₂超伝導電極層及びドレイン電極となる第２のＭｇＢ₂超伝導電極層とその二つの超伝導電極間のＩｎＧａＡｓ層中に流れる超伝導電流を制御する第三電極とを有する半導体結合超伝導三端子素子において、ＭｇＢ₂超伝導電極層１，２とＩｎＧａＡｓチャネル層６との層間にＡｕ層６が挿入された。 （もっと読む）

【課題】温度変化による動作特性の低下を抑制する電界効果トランジスタ回路を提案する。
【解決手段】本発明の例に係る絶縁ゲート型電界効果トランジスタ回路は、拡散層をそれぞれ備える第１のソース／ドレイン４Ｓ，４Ｄと、チャネル領域上に設けられる第１のゲート絶縁膜２と、前記第１のゲート絶縁膜２上に設けられる第１のゲート電極３とを有する第１の電界効果トランジスタＴｒと、半導体基板１とショットキー接合を形成する金属層をそれぞれ備える第２のソース／ドレイン１４Ｓ，１４Ｄと、チャネル領域上に設けられる第２のゲート絶縁膜１２と、第２のゲート絶縁膜１２上に設けられる第２のゲート電極１３と、を具備し、第１のドレイン４Ｄと第２のドレイン１４Ｄとが並列に接続される。 （もっと読む）

【課題】チャネルが形成される部分における分極電荷の発生を抑えると共に、ブレークダウンの発生を抑制できる、窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】電界効果トランジスタは、ｎ型ＧａＮ層３、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５が積層された窒化物半導体積層構造部２を備えている。窒化物半導体積層構造部２には、ドレイントレンチ６が形成されることにより、メサ積層部８が形成されている。メサ積層部８の壁面９は、ｎ型ＧａＮ層５の頂面５ａとの境界付近に位置する上側端部１１と、ｎ型ＧａＮ層３の上面３ａとの境界付近に位置する下側端部１２と、上側端部１１と下側端部１２との間に位置する中央部１０とを有している。より具体的には、壁面９は、全体として傾斜角度の異なる複数の平面形状の傾斜部分１７〜２７を有している。そして、この壁面９には、ゲート絶縁膜１５を挟んで、ゲート電極１６が対向配置されている。 （もっと読む）

【課題】高温下で動作するダイヤモンド半導体を使用して、高温下でも冷却装置を設けることなく動作させることができるダイヤモンドトランジスタ及びそれを使用した高温動作デバイスを提供する。
【解決手段】ダイヤモンド電界効果トランジスタ１はソース・ドレインとして、ボロンドープのダイヤモンド層３ａ、３ｂを使用し、チャネルとしてアンドープダイヤモンド層５を使用し、更に、ダイヤモンド層５上のゲート絶縁膜９上にゲート電極１０が設けられている。このとき、ドレイン電流をＩｄ、絶対温度をＴ（Ｋ）、電界効果トランジスタ及びバイアス条件により決まる定数をａ０、ａ１、ボルツマン定数をｋＢ（１．３８×１０^−２３Ｊ／Ｋ）とすると、Ｉｄ＝ａ０・exp｛−ａ１／（ｋＢ・Ｔ）｝を満足する。 （もっと読む）

【課題】高い精度で電子の転送が可能でより高温で動作可能であり、かつより容易に製造ができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層１０１と、半導体層１０１の表面より形成されたｐ型領域１０２と、半導体層１０１の表面よりｐ型領域１０２と離間して形成されたｎ型領域１０３と、半導体層１０１の表面に形成されたゲート絶縁層１０４と、ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３との間のゲート絶縁層１０４の上に形成されたゲート１０５とを備える。加えて、ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とに挟まれた半導体層１０１の表面より３０ｎｍ以内の領域に導入された１個の不純物１０６を備えている。不純物１０６は、ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とに挟まれたチャネル領域に導入されている。 （もっと読む）

【課題】チャネル材料として絶縁体−半導体相転移物質膜を利用した電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電界無印加時に、表面にホール電荷が流入しない第１状態と、負電界が印加されることにより、表面に多量のホール電荷が流入して導電性チャネルを形成する第２状態とを選択的に示す絶縁体−半導体相転移物質膜を備える電界効果トランジスタである。該絶縁体−半導体相転移物質膜上には、ゲート絶縁膜が配置され、絶縁体−半導体相転移物質膜に一定の大きさの負電界を印加させるためのゲート電極がゲート絶縁膜上に形成される。ソース電極及びドレイン電極は、絶縁体−半導体相転移物質膜が第２状態にある間、導電性チャネルを介してキャリアが移動するように、絶縁体−半導体相転移物質膜の両側から互いに対向するように配置される。
（もっと読む）