半導体装置はセル（１８）に隣接するトレンチ（４２）を有する。このセルは、ソース・コンタクト領域及びドレイン・コンタクト領域（２６、２８）と、それとは逆の導電型の中央本体（４０）とを含む。この装置は双方向性であり、比較的低いオン抵抗で電流をいずれの方向にも制御する。好ましい実施形態は、ソース・ドリフト領域及びドレイン・ドリフト領域（３０、３２）と共に働いてＲＥＳＵＲＦ効果を生み出す電位プレート（６０）を含む。
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窒化ゲート誘電体層を形成するための方法及び装置。この方法は、電子温度スパイクを減少するために、滑らかに変化する変調のＲＦ電源により処理チャンバー内に窒素含有プラズマを発生することを含む。電源が滑らかに変化する変調のものであるときには、方形波変調のものに比して、電界効果トランジスタのチャンネル移動度及びゲート漏洩電流の結果が改善される。 （もっと読む）

窒素を含む誘電体膜を形成するための方法。この方法は、プラズマ窒化プロセスを使用して誘電体膜に窒素を組み込んで、酸窒化シリコン膜を形成するステップを含む。該酸窒化シリコン膜はまず、約７００℃〜１１００℃の温度で不活性または還元雰囲気においてアニーリングされる。該酸窒化シリコン膜は、約９００度〜１１００℃の温度で酸化雰囲気において２回目のアニーリングがなされる。 （もっと読む）

【課題】 従来のＭＯＳＦＥＴデバイスに比べてＧＩＤＬ電流が小さい低ＧＩＤＬ電流ＭＯＳＦＥＴデバイス構造を提供する。
【解決手段】 ＭＯＳＦＥＴデバイス構造は、縁部がソース／ドレイン拡散にわずかに重なる場合（８２）がある中央ゲート導体と、薄い絶縁性の拡散バリア層によって中央ゲート導体から分離した側方ウイング・ゲート導体とを含む。また、側方ウイング・ゲート導体の左右の横方向の縁部が、前記ソース拡散領域および前記ドレイン拡散領域の一方に重なる場合（８０）も含まれる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層を用いた素子構造において、電流駆動能力の高いＭＩＳＦＥＴを含む半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板１０１上に、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層１０３を形成し、このＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層１０３にＭＩＳＦＥＴを形成する。ソース層及びドレイン領域１０６，１０７の接合深さを、前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層１０３とシリコン層とが接する面を越えないようにする。 （もっと読む）