【課題】単チャネル効果を防止しつつチャネル長の短い微細な半導体装置を微細化する。
【解決手段】チャネル形成領域１０３に、ドットパターン上の不純物領域１０４を形成する。ドットパターンによってチャネル幅Ｗは実質的に細分化され短チャネル効果に伴うしきい値電圧の低下を緩和する。一方、ドットパターンが半導体の内部に深く形成されているので、ドレイン側空乏層のチャネル領域１０３への広がりを抑えることができるようになる。 （もっと読む）

トランジスタは、ソース領域（ＳＯ）とドレイン領域（Ｄ）とを備えている。複数の充填領域（ＦＢ）が、以下のように形成されている。すなわち、充填領域（ＦＢ）とソース領域（ＳＯ）および／またはドレイン領域（Ｄ）とが相互に噛み合うように形成されている。充填領域（ＦＢ）の垂直方向のサイズは、ソース領域（ＳＯ）および／またはドレイン領域（Ｄ）の垂直方向のサイズ以上となっている。充填領域（ＦＢ）とソース領域（ＳＯ）および／またはドレイン領域（Ｄ）とは、少なくとも一部が、共通の垂直部分上に延びている。
（もっと読む）