【課題】 イオン化水素化ホウ素分子から形成されたイオンビームの注入によってＰ型ドーピングが達成される半導体製造法を提供する。
【解決手段】 イオン化された水素化ホウ素分子クラスターがＰ型トランジスタ構造を形成するために注入される、イオン注入装置及び半導体素子を製造する方法。例えば、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）素子の製造において、このクラスターは、ソース及びドレーン構造及びポリゲートに対してＰ型ドーピングを提供するために注入され、これらのドーピング段階は、ＰＭＯＳトランジスタの形成に極めて重要である。分子クラスターイオンは、化学形態Ｂ_nＨ_x⁺及びＢ_nＨ_x^-を有し、ここで、１０＜ｎ＜１００及び０≦ｘ≦ｎ＋４である。
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