【課題】 異なる配向の半導体が共通のＢＯＸ層上に配置された、プレーナ型ハイブリッド配向半導体基板構造体を形成するための、より簡単で優れた方法を提供すること。
【解決手段】 異なる結晶配向の半導体層を有するプレーナ型基板を製造するための、スタック状テンプレート層の局部的なアモルファス化及び再結晶化を用いる方法が提供される。本発明の方法を用いて構築されるハイブリッド配向半導体基板構造体、及び、デバイスの性能を高めるために異なる表面配向上に配置された少なくとも２つの半導体デバイスを含む種々のＣＭＯＳ回路と一体化されたこうした構造体が提供される。 （もっと読む）

【課題】絶縁体上歪み半導体（ＳＳＯＩ）基板を作製する方法が提供される。
【解決手段】この方法で、歪み半導体は、あらかじめ形成された絶縁体上半導体基板の絶縁体層の上に直接配置された５０ｎｍ未満の厚さを有する薄い半導体層である。本発明のＳＳＯＩ基板を形成する際に、ウエハボンディングは使用されない。 （もっと読む）

【課題】 コストが低く歩留まりの高い、引っ張り歪みＳＯＩ層を形成するための方法および引っ張り歪みＳＯＩ層の構造を提供する。
【解決手段】 歪みＳｉベースの層を製造するための方法、この層に製造されるデバイス、ならびに、かかる層およびデバイスを含む電子システムを開示する。この方法は、基板上にＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させるステップと、このＳｉＧｅ層において様々なＧｅ濃度を生成するステップを含む。ＳｉＧｅ層内のＧｅ濃度は、Ｇｅ濃度が突然かつ著しく増大する固有のＧｅオーバーシュート・ゾーンを含む。ＳｉＧｅ層上に、Ｓｉベースの層をエピタキシャル堆積させ、これによって引っ張り歪みが与えられる。また、典型的にＳｉまたはＳｉＧｅである歪みＳｉベースの層を、異なるバルク基板または絶縁体に転写可能であることも開示される。 （もっと読む）