【課題】半導体デバイスに用いるのに好適な酸化物半導体の提供を目的の一とする。又は、それを用いた半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層は、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表される非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む構造を有する。 （もっと読む）

【課題】低コストの表面処理方法を提供して、電子装置の試作等に要するコストを削減する。
【解決手段】エネルギービーム照射手段４１２と、ガス排気手段と、基板１０を保持可能な基板保持手段４１８と、を内部に備える真空処理室４０２と、ガス供給手段と、ガス排気手段と、基板１０を保持可能な基板保持手段４１８と、を備え、基板保持手段４１８で保持された基板１０上に液材を供給する液材供給手段４２２とを備える液材供給室４０４と、真空処理室４０２と液材供給室４０４との間を連絡する搬送路と、上記通路を開閉するゲートバルブと、真空処理室４０２と液材供給室４０４との間を基板１０を搬送可能な搬送手段４３６と、上記真空処理室および上記液材処理室の少なくともどちらか一方に連通する基板搬入口４３８と、を備えることを特徴とする電子装置の製造装置。 （もっと読む）

【課題】 酸化物半導体膜を用いた従来の薄膜トランジスタでは、半導体膜や半導体膜と絶縁膜との界面における酸素空孔欠陥の制御ができておらず、薄膜トランジスタの電気特性の再現性・信頼性が低かった。
【解決手段】 薄膜トランジスタ１００の構造に応じて、酸化物半導体膜１４と絶縁膜１２，１８の成膜の間に、大気に曝すことなく連続して酸化性処理（プラズマ処理など）１３１，１３２を施す。酸化物半導体膜１４や絶縁膜１２，１８、あるいはこれらの界面における酸素空孔起因の欠陥（過剰電子ドナーを生成する欠陥）を制御できる。欠陥が不要な箇所では積極的に抑制することにより、ドレイン電流の良好なオンオフ比を有し且つ再現性・信頼性に優れた薄膜トランジスタ１００の特性を実現する。 （もっと読む）

【課題】 良好な電気的特性のトランジスタが得られるようにし、これによって半導体装置の微細化や高密度化を可能にし、さらには３次元に積み重ねることをも可能にした、半導体装置の製造方法とこの製造方法によって得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】 基体１上に形成された結晶性半導体膜３のうち第１の部分以外の少なくとも第２の部分及び第３の部分に不純物を注入する第１の工程と、第２の部分および第３の部分にそれぞれソース及びドレインを形成する第２の工程とを備える。第２の工程において、少なくとも第２の部分および第３の部分に対して加熱処理を施すことにより、第１の部分の少なくとも一部をシードとする第２の部分及び第３の部分の固相エピタキシー過程を誘起する。 （もっと読む）

【課題】開発期間を短縮でき、製造コストを低減でき、しかも、回路特性を安定化させることができ、さらに、製造工程を簡略化でき、集積回路の損傷を防ぐことができる３次元半導体集積回路装置の製造方法および３次元半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体基板とこの第１の半導体基板に形成された第１の半導体集積回路とを有する第１の半導体集積回路基板１０上に、絶縁膜１５を介して非晶質シリコン層を形成する。非晶質シリコン層の複数の部分を選択的に再結晶化して、複数の再結晶化領域３４を含む多結晶シリコン層３１を形成する。複数の再結晶化領域３４と所定の位置関係を持つように、多結晶シリコン層３１に第２の半導体集積回路を形成して、多結晶シリコン層３１と第２の半導体集積回路とを有する第２の半導体集積回路基板３０を作製する。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた金属マスクと粒界フィルタ領域とを利用して大規模な単結晶シリコン薄膜を形成することにより、高品質の薄膜トランジスタチャンネル領域を形成する方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン薄膜形成の形成方法は、非晶質シリコン層をパターニングし、結晶化が始まる第１シリコン領域４１、第１シリコン領域４１の一側中央に位置し、第１シリコン領域４１より狭幅の細長い第２シリコン領域４２、及び第２シリコン領域４２と接して第２シリコン領域４２より広幅の第３シリコン領域４３を形成する工程と、第１シリコン領域４１上に部分的に金属マスク３４を形成する工程と、パターニングされた非晶質シリコン層にレーザビームを照射し、金属マスク３４の下部にある非晶質シリコンを除外した残りの非晶質シリコン層を全体的に溶融させた後で冷却することによって結晶化する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体膜が略平坦に形成されることよって電気特性が改善された半導体素子を含む半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、第１の主面（１０ａ）と第２の主面（１０ｂ）とを備えた基板と、第１の主面（１０ａ）に形成された溝に配置された遮光膜（１２）と、半導体膜を含む半導体素子（１）と、を備え、遮光膜（１２）は前記第２の主面（１０ｂ）と半導体膜との間に配置されていること、を特徴とする半導体装置を提供するものである。 （もっと読む）