【課題】アモルファス薄膜を溶融加熱により結晶化させる際に、結晶薄膜の表面に突起が形成されるのを防止する。
【解決手段】アモルファス薄膜４の下層に、溶融結晶化に際し、少なくとも表層側が溶融してアモルファス薄膜４が結晶化されて凝固する際の体積変化を緩和するバッファ層３を設ける。バッファ層成膜という単純な１工程を追加するだけで、結晶化した時点で既に突起の高さが十分低いものにすることができ、絶縁膜を十分薄くする。さらには突起が形成された際の研磨・エッチングなどという無駄なプロセスを導入する必要がなくなり、コンタミネーションの発生防止や歩留まりの向上、製造効率の向上などの効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】キャリア移動度がよく且つプラスチック基材に密着性よく設けられたポリシリコン膜を有する、低コストの薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基材１０と、プラスチック基材１０上に形成された歪付与膜１１と、歪付与膜１１上に形成されたバッファ膜１２と、バッファ膜１２上に形成されたポリシリコン膜１３と、そのポリシリコン膜１３上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に、又はゲート絶縁膜１４のコンタクトホールを介して形成された電極１５と、電極１５等を覆う保護膜１８とを有する薄膜トランジスタ基板１により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及びその製造方法に関し、特に、漏洩電流を減少するための薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性基板１００と、可撓性基板１００上に形成される拡散防止層１１０と、拡散防止層１１０上に少なくとも二個の絶縁物質が積層して形成されるバッファ層１２０と、バッファ層１２０の一の領域上にチャンネル層１３０aとソース／ドレイン領域１３０ｂを有して形成される半導体層１３０と、半導体層１３０を含むバッファ層１２０上に形成されるゲート絶縁層１４０と、ゲート絶縁層１４０上のチャンネル層１３０aと対応する領域に形成されるゲート電極１５０と、ゲート電極１５０を含むゲート絶縁層１４０上に形成される層間絶縁層１６０と、層間絶縁層１６０にソース／ドレイン領域１３０bの少なくとも一の領域を露出させる所定のコンタクトホール１７０有し、ソース／ドレイン領域１３０ｂに接続されるように形成されるソース／ドレイン電極１８０a、１８０ｂと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 移動度を大きくすることが可能な薄膜トランジスタ素子、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１と、基板１上に形成されており、かつチャネル領域２１とこれを挟むソース領域２２Ａおよびドレイン領域２２Ｂとを有するポリシリコン層２と、を備える薄膜トランジスタ素子Ａであって、基板１およびポリシリコン層２の間に介在する介在部３ａとポリシリコン層２から基板１の面内方向に延びる延出部３ｂとを有し、かつ基板１よりも熱伝導率が大きい絶縁層３をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な銅配線層の形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に銅シード層のパターンを形成する工程、及び前記銅シード層のパターン上に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームを照射することによってアモルファスシリコン膜を結晶化する際に蓄積される電荷を逃がす。
【解決手段】 導電性遮光膜２０４は、電子ビームが照射されるアモルファスシリコン膜及びポリシリコン層に蓄積される電荷を外部に逃がすことが可能である。より具体的には、導電性遮光膜２０４は、配線Ｌ１及びＬ２を介して電荷を装置外部に逃がすことが可能である。したがって、アモルファスシリコン膜或いはポリシリコン層におけるチャージアップを低減できる。これにより、アモルファスシリコン膜或いはポリシリコン層に蓄積した電荷による電界の発生を抑制でき、電子ビームをアモルファスシリコン膜等に到達させることができる。 （もっと読む）