【課題】三次元半導体装置における特性を向上させることができる製造方法および装置構成を提供する。
【解決手段】第１半導体膜（９）上にカーボンナノチューブを備えるプラグ電極（１５）を形成する工程、形成されたプラグ電極（１５）の周囲に層間絶縁膜（１６，１８）を形成する工程、層間絶縁膜の表面を平滑化してプラグ電極（１５）の頂部を露出させる工程、層間絶縁膜およびプラグ電極の頂部上に非晶質の第２半導体膜を形成する工程、非晶質の第２半導体膜にエネルギーを供給して露出したプラグ電極（１５）を触媒として機能させて非晶質の第２半導体膜を結晶化させ結晶化した第２半導体膜（２３）とする工程を備える。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を用いた絶縁膜を低温プロセスで結晶化することが可能で、これによりガラス基板やプラスチック基板上に特性の向上が図られた素子を設けることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、金属酸化膜１５と非晶質シリコン膜１９との積層体を成膜形成する。積層体の上部に光吸収層２３を形成する。光吸収層２３で吸収される波長のエネルギー線Ｌｈを光吸収層２３に対して照射し、光吸収層２３で発生させた熱により非晶質シリコン膜１９と金属酸化膜１５とを同時に結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、今後のさらなる高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進められるように、複数の素子を限られた面積に形成し、素子が占める面積を縮小して集積することを課題とする。
【解決手段】同一基板上に第１のトランジスタと第２のトランジスタを有し、第１のトランジスタは、結晶構造を有する第１の半導体膜と、その上に順に積層して設けられた第１の絶縁膜と、結晶構造を有する第２の半導体膜と、第２の絶縁膜と、第１のゲート電極とを有し、第２のトランジスタは、結晶構造を有する第３の半導体膜と、その上に順に積層して設けられた第１の絶縁膜と、第３の絶縁膜と、第２のゲート電極とを有し、第２の絶縁膜と第３の絶縁膜は同一の材料からなる。 （もっと読む）

【課題】凹部を用いた結晶成長をより安定に実現し、高性能な半導体素子を安定して得ることを可能とすること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、基板(11)の一方面側に凹部(125)を形成する第１工程と、上記基板の一方面側に膜厚Ｔの半導体膜(130)を形成する第２工程と、上記半導体膜に熱処理を行い、上記凹部を略中心とする略単結晶粒を形成する第３工程と、上記半導体膜を用いて半導体素子を形成する第４工程と、を含み、上記第２工程では、上記凹部の直径Ｄと深さＦがＦ＋Ｔ≧４×Ｄ＋５３２（ｎｍ）の関係を満たすように上記凹部が形成される。 （もっと読む）