【課題】パルスレーザ毎の照射位置の変動を評価できる照射位置安定性評価サンプルを生成するレーザ照射位置評価サンプル生成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に対しレーザ照射による半導体改質処理を行うために、半導体基板１にパルスレーザを順次照射しながら、半導体基板１におけるパルスレーザの照射部分を所定の移動方向に改質処理用速度で移動させることで、半導体基板上のパルスレーザ照射領域を移動方向に連続的に増やしていくレーザ照射装置のレーザ照射位置評価サンプル生成方法であって、レーザ照射位置評価サンプルとするレーザ被照射体２に、レーザ照射装置３によりパルスレーザを照射しながら、レーザ被照射体２上におけるパルスレーザの照射部分を、改質処理用速度よりも速い評価用速度で移動方向に移動させる。評価用速度は、レーザ被照射体２上における各パルスレーザの照射領域を互いに移動方向に分離できる速さである。 （もっと読む）

【課題】 基板の上に成膜したアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射して多結晶半導体膜を形成したときの結晶性のむらを低減する。
【解決手段】 基板の上に成膜されたアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射し、該アモルファス半導体膜を溶融、結晶化させて多結晶半導体膜を形成する工程を有する表示装置の製造方法であって、前記多結晶半導体膜を形成する工程は、前記アモルファス半導体膜が成膜された前記基板を回転させるとともに、該基板の前記アモルファス半導体膜が成膜された面と平行な一方向に相対移動させながら前記連続発振レーザを前記アモルファス半導体膜に照射して、微結晶または粒状結晶の集合で構成される多結晶シリコン膜を形成する工程であり、前記基板の回転軸は、該基板の前記アモルファス半導体膜が成膜された面の法線方向と概ね一致しており、かつ、前記基板上を通る表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 表示装置において、各単位画素に対応する単位領域内に、耐熱性の低い材料や拡散特性のある材料によって構成される部材が予め形成された場合にも、各画素を構成する駆動素子の特性の均一化や生産性の向上を、レーザーアニールの効率を犠牲にすることなく可能とする。
【解決手段】 互いに隣り合う第１及び第２の単位領域内を、前記基板の主面に直交する仮想面について、少なくとも一部対称な配置形状として形成する。 （もっと読む）