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Fターム[5F157AA45]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の形状、形態 (6,397) | 被洗浄物から除去するもの (3,139) | ハロゲン (2)

Fターム[5F157AA45]に分類される特許

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【課題】本発明は、洗浄特性に優れた洗浄液、洗浄方法、洗浄システム及び微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化性物質と、フッ酸と、を含み、酸性を呈すること、を特徴とする洗浄液が提供される。また、硫酸溶液を電気分解する方法、フッ酸が添加された硫酸溶液を電気分解する方法、若しくは、硫酸溶液と過酸化水素水とを混合する方法のいずれかの方法により、酸化性物質を含む酸化性溶液を生成し、前記酸化性溶液と、フッ酸と、を洗浄対象物の表面に供給すること、を特徴とする洗浄方法が提供される。 (もっと読む)


ポストプラズマエッチング残渣および/またはハードマスク材料を、上記残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから洗浄するための、酸化性水性洗浄組成物および方法。本発明の酸化性水性洗浄組成物は、少なくとも1種類の酸化剤と、第1級アミン、第2級アミン、第3級アミン、およびアミン−N−オキシドからなる群より選択されるアミン種を含む少なくとも1種類の酸化剤安定剤と、必要に応じて少なくとも1種類の共溶媒と、必要に応じて少なくとも1種類の金属キレート剤と、必要に応じて少なくとも1種類の緩衝性化学種と、水とを含む。本発明の組成物は、マイクロ電子デバイスから残渣材料を非常に効果的に洗浄しながら、同時に、同じくデバイス上に存在する層間絶縁および金属相互接続材料は損傷しない。
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