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Fターム[5F157AB97]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 処理槽(室)内での洗浄時の運動 (1,468) | 直線運動 (177) | ジグザグ運動 (2)

Fターム[5F157AB97]に分類される特許

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【課題】大口径化したシリコンウェーハであっても、装置が過剰に巨大化せず、かつ使用薬液量も口径の割には低減できる洗浄方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽中の洗浄液中でシリコンウェーハを移動させながら洗浄する方法。洗浄槽中に設けられた、表面の一部から水流または気流が噴出する下り斜面を、シリコンウェーハを斜面に接触させることなく自由落下により移動させ、洗浄槽中に設けられた下り斜面に続く上り斜面を、自由落下により移動させたシリコンウェーハを斜面に接触させることなく牽引移動させて、移動の間に洗浄する。底部が入口側からの下り斜面と出口側に向けての上り斜面を有する洗浄槽を含む、シリコンウェーハ洗浄装置。下り斜面は、水流および/または気泡を吹き出す吹き出し口を有し、上り斜面は、シリコンウェーハを斜面に沿って牽引移動させるための手段を有し、シリコンウェーハを前記下り斜面および上り斜面を移動させながら洗浄槽中の洗浄液で洗浄する。 (もっと読む)


【課題】微粒子の除去率を高め、露光装置のスループットを維持し、被洗浄面の損傷を低減する洗浄装置及び方法、並びに洗浄装置を有する露光装置を提供する。
【解決手段】真空環境下に配置されたレチクル2のパターンを投影光学系5を介してウエハ1に露光すると共に、真空環境下でレーザー光Lをレチクル2に照射することによってレチクル2を洗浄する洗浄装置を有する露光装置100において、洗浄装置は、レーザー光Lをレチクル2のパターン面2aに対して1°以上45°以下の範囲の角度で照射する照射手段を有し、前記照射手段が、レーザー光Lのパターン面2aに対する入射角度を前記範囲内に維持した状態で、レーザー光Lをパターン面2aの法線周りの入射方向が互いに異なる複数の入射方向から入射させることを特徴とする露光装置100を提供する。 (もっと読む)


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