本発明の実施形態は概して、半導体基板を研磨プロセス後に洗浄する装置及び方法に関するものである。具体的には、本発明の実施形態は、加圧流体を使用して基板を洗浄する装置及び方法に関するものである。本発明の一実施形態は、基板を略垂直な姿勢で支持し、回転させる２つのローラと、押圧力を加えて、前記基板を前記２つのローラに係合させる圧力ホイールと、加圧流体を前記基板に向けて放出するように構成される揺動ノズルと、を備える。
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【課題】ブラシにより基板を洗浄処理する基板処理装置の高さを低減すること。
【解決手段】シーソー部材９１は、支持部材９０を支点として揺動可能であって、支点９３に対して一方側に力点部９６を有し、支点９３に対して他方側に作用点部９７を有している。押圧用アクチュエータ９２は、力点部９６の下方に配置されており、ブラシ２０を基板に押し付けるための押し付け力を当該力点部９６に与えて、シーソー部材９１を揺動させる。前記押し付け力は、作用点部９７からブラケット８２および回転シャフト４５等を介してブラシ２０に伝達される。
【効果】押圧用アクチュエータ９２をシーソー部材９１の下方に配置することにより、ハウジング３２の高さが低減されており、これによって、基板処理装置の高さが低減されている。 （もっと読む）

【課題】回転させた基板に処理液を供給して所定の処理を行い、しかも、基板から外方へ飛散する処理液を受け止める飛散防止部材を設けた基板処理装置および該装置の制御方法において、装置の異常を確実に検出する。
【解決手段】飛散防止部材を昇降させる一対のサーボモータ１１９のそれぞれにかかる負荷トルクを検出するトルク検出部５１２２を設ける。両サーボモータ１１９のいずれかにかかる負荷トルクが極端に小さいとき、および、両サーボモータ１１９の負荷トルク差が大きいとき、同期制御装置５１１は装置に異常があるものと判定してモータの駆動を停止する。 （もっと読む）

【課題】ブラシの交換時期を適切に判断することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に対する裏面洗浄処理時には、ブラシ１６は、裏面処理時位置に配置され、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周縁部に対して押し込まれる。そして、その状態が所定時間にわたって維持された後、ブラシ１６は、ウエハＷから離間される。一方、ブラシに加わる荷重が圧力センサにより検出され、その検出される荷重に基づいて、制御部により、ブラシ１６が裏面側処理時位置に配置されたか否かが判断される。そして、ブラシ１６が裏面側処理時位置に配置されたと判断された時点からブラシ１６がウエハＷからの離間のために移動し始めるまでの時間が計測され、その時間がメモリに累積して記憶される。 （もっと読む）

基板洗浄装置は、洗浄部材２に押し付けてこれを洗浄する当接部材１４、当接部材１４を駆動制御する駆動制御手段２１、及び洗浄液１１を収納し洗浄部材２と当接部材１４の当接部分を浸漬させる洗浄槽１２を含む洗浄装置１０、洗浄部材２の表面画像を取り込む画像取得手段１６、並びに画像処理装置１７を含み、洗浄部材２の表面状態をモニターしその交換時期を判断する。基板洗浄装置は、洗浄槽１２内の洗浄液１１中のパーティクル数及び／又は成分濃度を測定する測定手段１３を具備し、測定手段１３による測定結果を駆動制御手段２１にフィードバックし、洗浄部材２の汚染を防止する。
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