【課題】１２μｍ以上、１８μｍ以下の波長を有する赤外線を出射可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、積層体と、誘電体層と、を有する。積層体は、量子井戸層を含む活性層を有し、リッジ導波路が設けられる。また、前記活性層は前記量子井戸層のサブバンド間光学遷移により１２μｍ以上、かつ１８μｍ以下の波長の赤外線レーザ光を放出可能な第１領域と、前記第１領域から注入されたキャリアのエネルギーを緩和可能な第２領域と、が交互に積層されたカスケード構造を有し、前記赤外線レーザ光を前記リッジ導波路が延在する方向に出射可能である。誘電体層は、前記リッジ導波路と直交する断面において、前記積層体の側面の少なくとも一部を両側から挟むように設けられる。前記誘電体層は、光の透過率が５０％に低下する波長が１６μｍ以上であり、前記活性層を構成するいずれの層の屈折率よりも低い屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】接合時の加熱プロセスに起因して電極層が有するオーミック性が劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体発光素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の下面上に形成され、非晶質ＳｉからなるＳｉ層３１とＡｌ層３３とを有するオーミック電極層３０と、オーミック電極層３０のｎ型ＧａＮ基板１とは反対側に形成されたＡｕ層４１を有するパッド電極層４０と、オーミック電極層３０とパッド電極層４０との間に形成されたＰｄからなるバリア層３５とを含むｎ側電極２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】光閉じ込めを効果的に向上させるとともに、非発光再結合や電流リークを抑制することにより、電力−光変換効率の高い高効率な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型バッファ層１２１やｎ型クラッド層１２２などのｎ型半導体層と、発光層１２４と、ｐ型クラッド層１２６などのｐ型半導体層とを有する窒化物半導体発光素子１００であって、リッジ側面として発光層１２４の側面を含むリッジ構造を備え、発光層１２４の側面は、発光層１２４よりも抵抗が高いＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（但し、０≦ｘ，ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で構成されるパッシベーション膜１４０によって覆われており、パッシベーション膜１４０は、発光層１２４の屈折率よりも屈折率が低い低屈折率膜１５１によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】迷光を散乱、吸収、或いは反射する散乱／吸収／反射構造と光導波路との間隔を広く設定しても、遠視野像のプロファイル形状を改善可能とする。
【解決手段】迷光を散乱、吸収、ないしは反射する機能を有する構造２０を、光導波路１１に沿った領域に複数ずつ備える。光導波路１１に沿った領域を該光導波路１１の長手方向において３つ以上に等分した分割領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の各々に、少なくとも１つ以上の構造２０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】ダメージ層の形成および除去困難な残渣の発生を抑制することにより、二次元フォトニック結晶を有する半導体レーザ素子を歩留まりよく製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１の製造方法は、キャリアの注入により発光する活性層５と、互いに屈折率の異なる第１の部分２ｎおよび第２の部分Ｖ１を有し、かつ活性層５で発生する光の波長を規定する二次元回折格子を構成するように設けられた二次元フォトニック結晶７１とを備えた半導体レーザ素子１０１の製造方法である。ＧａＮ系材料からなる二次元フォトニック結晶７１となる部分を有する第１の薄膜５２ｎの第２の部分が光電気化学エッチングにより選択的に除去されることにより、第２の部分に空洞部Ｖ１となる凹部が形成される。 （もっと読む）

【課題】光の放出効率を高め、高出力化を行うことのできる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】活性層４と第１クラッド層５、第２クラッド層６との間に、高屈折率層３１と低屈折率層３２とを交互に積層した多層部２１、２２を設けることにより、活性層４と第１クラッド層５、第２クラッド層６との臨界角を超える角度で発生した光も、多層部２１、２２によって屈折および反射し、活性層４内を進行させ、外部に出力させることができ、高出力化を計ることができる。 （もっと読む）

【課題】段差領域における被り成長を抑制しながら、段差領域から一定の距離以上離れた領域でも十分な厚さを有する平坦性の良い埋込層が形成されるようにして、その後のプロセスを容易にし、歩留まりを良くすることができるようにする。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の（１００）面上に存在する段差領域Ｍ１を、酸素を供給しながらＩＩＩ族元素としてＩｎ又はＧａを含む半導体結晶を成長させて埋込層１４を形成する埋込工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 エッチング深さの制御性が良好で製造が容易であり、動作電圧を低減させたＩｎを含む活性層を有する屈折率導波型のIII族窒化物材料系の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板上に、少なくとも、第１導電型クラッド層，活性層，第２導電型エッチングストップ層，第１導電型または半絶縁性の電流狭窄層，第２導電型クラッド層、第２導電型コンタクト層を含む構造が積層されており、活性層はＩｎを含むIII族窒化物材料からなり、第２導電型エッチングストップ層は、Ｉｎを含むIII族窒化物材料で活性層よりも禁制帯幅の大きい材料からなり、第１導電型または半絶縁性の電流狭窄層は、Ｉｎを含まずに少なくともＡｓまたはＰを含むIII族窒化物材料からなり、第２導電型エッチングストップ層の表面までエッチングされてストライプ領域が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＴＤＬＡＳでガス検知を行う際に、簡易的な構成で十分な可変波長幅で波長を制御する。
【解決手段】 波長可変半導体レーザ吸収分光法に使用される半導体レーザ素子１は、半導体基板１０、活性層１２、クラッド層１３が一対の電極１７，１８間に積層形成され、光導波路が活性領域と該活性領域に連続する位相調整領域とＤＢＲ領域とからなり、少なくとも位相調整領域の全体または一部を加熱するようにクラッド層１３の上面に絶縁層１９を介して薄膜抵抗からなる加熱手段２０が配設される。この加熱手段２０と一対の電極１７，１８には単一の電源２から電力が供給される。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流を抑制できる半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層５と、III−V族化合物半導体層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層９とを備える。また、半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層９上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層１１と、III−V族化合物半導体層１１上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層１３とを備える。III−V族化合物半導体層１１とIII−V族化合物半導体層１３とによって電流狭窄層１２が構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザーダイオードを提供する。
【解決手段】基板１１０と、基板１１０上に形成された第１クラッド層１２０と、第１クラッド層１２０上に形成された活性層１３４と、活性層１３４上に形成され、垂直方向に突出したリッジ部１４４が形成された第２クラッド層１４０と、を備え、第２クラッド層１４０で、リッジ部１４４の両側には、高次横モード発振を抑制する不純物が拡散された不純物層１４６が形成されたことを特徴とする半導体レーザーダイオード。不純物は、空孔またはＺｎイオンである。 （もっと読む）

【課題】 信号光の導波方向に発振光を混入させることなく、入力光強度による利得変動を抑えることができるとともに、使用時に信号光の利得を調整できるようにする。
【解決手段】 入力導波路４０２および出力導波路４０４は、ＩｎＧａＡｓＰをコアとした利得媒質からなるシングルモード導波路から構成するとともに、多モード導波路４０３ａ、４０３ｂは、ＩｎＧａＡｓＰをコアとした利得媒質からなる多モード導波路から構成し、多モード導波路４０３の両脇に高反射膜４０９、４１０を対向配置し、入力信号光４１１の導波方向と直交する方向に多モード導波路４０３内でレーザ発振を起こさせながら、入力信号光４１１を多モード導波路４０３内に伝搬させることにより、入力信号光４１１を増幅するとともに、入力導波路４０２および多モード導波路４０３ａ、４０３ｂの利得媒質にはそれぞれ独立して電流を注入できるようにする。 （もっと読む）

【課題】 変調ストライプ構造を有する半導体レーザ素子において、駆動電圧を低減しつつ、スロープ効率や閾値電流、ＦＦＰといった特性も良好である窒化物半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】 本発明は、対向する２つの共振器面に対して略垂直な水平方向光閉じ込めリッジストライプ構造を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記ストライプ構造は、少なくとも狭ストライプ領域および移行領域を含み、前記狭ストライプ領域の幅Ｗ１は、１．３μｍ〜１．８μｍの範囲内であり、かつ狭ストライプ領域の長さＬ１は、１５０μｍ以上であり、前記移行領域の最大幅Ｗ３は、２μｍ〜４μｍの範囲内であり、前記狭ストライプ領域の長さＬ１は、前記ストライプ構造の全長Ｌに対して８５％以下であり、前記狭ストライプ領域に対する前記移行領域の広がり角θが２°以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 戻り光ノイズを小さくできると共に、駆動電流を低減できて運転コストを小さくできる自励発振型半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】 Ｎ型GaAs基板１上に、活性層６を形成すると共に、活性層６上に、Ｐ型AlGaInPクラッド層８を形成する。また、Ｐ型AlGaInPクラッド層８上に形成されたリッジ部の側方に、Ｐ型AlGaInPクラッド層８と略同等の屈折率を有するＮ型AlGaInPブロック層１３を形成する。 （もっと読む）