【課題】開口を有する電流狭窄層上にｐ型クラッド層が再成長された構成を備えるIII族窒化物半導体レーザ素子において、半極性の再成長界面に存在するｎ型不純物による影響を低減する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０は、ｎ型半導体領域１４、活性層１６、第１のｐ型半導体領域１８、電流狭窄層２０、及び第２のｐ型半導体領域２２を備える。第２のｐ型半導体領域２２は、電流狭窄層２０の開口２０ａの形成後に第１のｐ型半導体領域１８上及び電流狭窄層２０上に再成長された領域である。第１のｐ型半導体領域１８における第２のｐ型半導体領域２２との界面は、III族窒化物半導体の半極性面を含む。第１のｐ型半導体領域１８は、第１のｐ型半導体領域１８と第２のｐ型半導体領域２２との界面を構成し且つ１×１０^２０ｃｍ^−３以上のｐ型不純物濃度を有する高濃度ｐ型半導体層１８ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】メサストライプ形状の積層体の側部に埋込層を有する半導体光素子および集積型半導体光素子において、埋込層を流れる無効電流を抑制するとともに、高速応答特性を実現することができる半導体光素子および集積型半導体光素子を得る。
【解決手段】ｐ型半導体基板１上に、ｐ型クラッド層２、活性層３およびｎ型クラッド層４が積層されたメサストライプ形状の積層体が形成され、積層体の側部に埋込層が形成され、埋込層は、第１ｐ型半導体層５、第１ｎ型半導体層６、Ｆｅドープ半導体層７、第２ｎ型半導体層８、低キャリア濃度半導体層９および第２ｐ型半導体層１０が積層され、Ｆｅドープ半導体層７は、第１ｐ型半導体層５および第１ｎ型半導体層６の結晶面の（１１１）Ｂ面上に成長されず、第２ｎ型半導体層８は、第１ｐ型半導体層５、第１ｎ型半導体層６およびＦｅドープ半導体層７の結晶面の（１１１）Ｂ面上に成長されない。 （もっと読む）

【課題】 高速大容量の光伝送が可能な集積型光半導体素子および光モジュールを提供する。
【解決手段】 半絶縁性材料で埋め込まれた光素子が複数同一基板上に集積された集積型半導体光素子およびこれを用いた光モジュールにおいて、光素子毎に埋込層の構成（材料や電気特性）を異ならしめる。 （もっと読む）

【課題】素子単体でスペックルが低減された半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、基本横モードと１次横モードとを許容する能動多モード導波路と、前記基本横モードが前記１次横モードよりも多く分布する第１の活性層領域と、前記１次横モードが前記基本横モードよりも多く分布する第２の活性層領域と、を有する活性層と、を備え、前記第１の活性層領域の発光波長と、前記第２の活性層領域の発光波長が異なることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型半導体レーザにおいて、高温、高光出力条件下で連続通電した場合における発振しきい値電流の上昇や外部微分量子効率の低下を防いで、信頼性を向上させる。
【解決手段】光半導体装置は、ｎ型クラッド層１１、活性層１２及びｐ型クラッド層１３ａ、１３ｂからなる光導波路構造と、ｐ型ブロック層１５及びｎ型ブロック層１６からなる電流狭窄構造と、を備え、ｐ型クラッド層１３ａ、１３ｂに含まれる水素濃度がｐ型ブロック層１５に含まれる水素濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】電流の広がりによるロスを抑えることができる窒化物半導体レーザ素子を再現性良く製造することができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、第１のｎ型窒化物半導体層と、ｐ型の窒化物半導体または前記第１のｎ型窒化物半導体層よりも高抵抗な窒化物半導体からなる電流阻止層と、をこの順序で含む第１の層構造を結晶成長により形成する第１工程と、電流阻止層の一部を溝状に除去する第２工程と、溝状に除去された部分を埋め込むようにして電流阻止層上に第２のｎ型窒化物半導体層をその表面が概ね平坦になるまで結晶成長させる第３工程と、第２のｎ型窒化物半導体層の一部を除去する第４工程と、除去後の第２のｎ型窒化物半導体層の表面上に、活性層と、ｐ型窒化物半導体層と、をこの順序で含む第２の層構造を結晶成長により形成する第５工程と、を含む、窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】リア端面の破壊を抑制してサージ耐圧を改善することができる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１端面１０Ｆと第２端面１０Ｒとの間にレーザ共振器１０を構成する。光が出射される第１端面１０Ｆとは反対側の、第２端面１０Ｒの側に光吸収抑制領域４０を設ける。光吸収抑制領域４０は、活性層で発生した光が第２端面１０Ｒの第２反射鏡膜３０Ｒを構成するａ−Ｓｉに吸収されるのを抑えるためのものであり、ホウ素（Ｂ），ケイ素（Ｓｉ）または亜鉛（Ｚｎ）などの不純物添加領域である。中でもホウ素（Ｂ）が好ましい。第２反射鏡膜３０Ｒを、活性層で発生した光に対して吸収のあるａ−Ｓｉにより構成した場合にも、光吸収の影響が緩和されて第２端面１０Ｒの破壊が抑制される。 （もっと読む）

【課題】半導体層構造を構成する全ての半導体層に低抵抗領域を形成することなく、改善された抵抗率を持つ領域を含む層を有する半導体層構造を成長させることができる成長方法を提供する。
【解決手段】半導体層構造の成長方法は、第１の半導体層１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）を成長させる工程と、第１の半導体層１１中に水素を導入する工程とを含む。その後、第１の半導体層１１の上に少なくとも１つの他の半導体層１２を成長させ、それによって半導体層構造を形成する。その後、第１の半導体層１１の選択された部分の電気抵抗を変化させるように、第１の半導体層１１の選択された部分１１ａをアニールする。第１の半導体層１１の上に成長された少なくとも１つの他の半導体層１２の電気抵抗は、上記アニールによって有意の変化を受けない。本発明は、例えば半導体層構造内の１つの半導体層に電流開口部を形成するのに使用できる。 （もっと読む）

【課題】キンク（電流−光出力特性の曲がり）の発生を抑制しながら、素子の動作電圧を低減させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子は、活性層６上に形成され、側面１１ａと、側面１１ｂとを有するリッジ部１１を含む窒化物系半導体各層（７〜１０）を備えている。そして、側面１１ｂと活性層６の上面とがなすリッジ部１１の内側の角度θ２は、側面１１ａと活性層６の上面とがなすリッジ部１１の内側の角度θ１以上の大きさ（図１ではθ１＝θ２）を有しており、リッジ部１１の側面１１ａ側の発振波長（約４１０ｎｍ）に対する実効屈折率は、リッジ部１１の側面１１ｂ側の発振波長（約４１０ｎｍ）に対する実効屈折率よりも高い。 （もっと読む）