【課題】回折格子構造のデューティ比のばらつきに起因するレーザ特性の悪化を低減する。
【解決手段】半導体レーザ素子１の製造方法は、第１方向に沿って交互に配列された凸部１２ｂと凹部１２ａとを有する回折格子Ｇを半導体基板１１の主面１１ａ上に形成する工程と、回折格子Ｇを形成した後、主面１１ａを撮像し、撮像された画像データにおける凸部１２ｂに対応する第１領域３１と凹部１２ａに対応する第２領域３２との面積比を示す値を算出する工程と、予め定められた結合係数κとなるように値に基づいてスペーサ層１３の厚さｄｓを決定する工程と、回折格子Ｇを覆うようにスペーサ層１３を成長する工程と、スペーサ層１３上に活性層１４を成長する工程と、を備え、凸部１２ｂおよび凹部１２ａは、第１方向と交差する第２方向に沿って延在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高出力用途に好適なレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るレーザ素子は、基板と、該基板の上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層の上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層の上方の層に１００μｍ×１００μｍ以上の大きさで形成された、該活性層で発生した光を該上部クラッド層の上方に回折する２次の回折格子と、該下部クラッド層、該活性層、及び該上部クラッド層を有する共振器の第１端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第１反射膜と、該共振器の該第１端面と反対側の端面である第２端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第２反射膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】２ＤＰＣ光共振器を用いた単一光子発生装置に関して、高効率化、高集積化、高偏波制御化を、同時に実現すること。
【解決手段】２次元フォトニック結晶光共振器のコアとなる材料と、２次元フォトニック結晶光共振器のコアとなる材料中に導入された発光体と、水素化アモルファスシリコンをコアとする光導波路と、２次元フォトニック結晶光共振器のクラッドとして機能する低屈折率材料と、水素化アモルファスシリコン光導波路のクラッドとして機能する低屈折率材料と、ウエハ接合用接着材料と、デバイス基板とを含み、２次元フォトニック結晶光共振器が、少なくとも１つの鏡映面を有し、水素化アモルファスシリコン光導波路が、２次元フォトニック結晶光共振器近傍において、少なくとも１つの鏡映面を有するとともに、２次元フォトニック結晶光共振器、水素化アモルファスシリコン光導波路が、互いの鏡映面が重なり合うように配置されている単一光子発生装置。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの高い半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、（１）ＩｎＰ基板上に、第１導電型のＩｎＰクラッド層、活性層、第２導電型のＩｎＰクラッド層、及び、キャップ層を形成する工程と、（２）キャップ層上に、誘電体膜を形成する工程と、（３）誘電体膜をマスクとして、エッチングにより、第１導電型のクラッド層、活性層、及び、第２導電型のＩｎＰクラッド層を含むメサ構造を形成する工程と、（４）メサ構造の側面に埋込層を形成する工程と、（５）誘電体膜を除去する工程と、（６）前記メサ構造上のキャップ層を除去する工程と、（７）キャップ層を除去する工程により生成された生産物をふっ酸を含む溶液に浸漬する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】良好な初期特性及び長期信頼性を確保しつつ、直接変調において高速応答性及び単一モード性を向上させることができる半導体光素子を実現する。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ基板１０上にｐ型ＩｎＰクラッド層１２、活性層１４、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６及びｎ型ＩｎＰ層１８が順次積層されている。ｎ型ＩｎＰクラッド層１６及びｎ型ＩｎＰ層１８中に光導波方向に沿って回折格子２０が形成されている。向かい合う出射端面３６と後端面３８の光の反射率が非対称である。活性層１４の光導波方向の長さＬが１３０μｍ以下である。回折格子２０は、１２００ｎｍ以上のＰＬ波長を有する物質で形成されている。長さＬと回折格子２０の結合定数κの積であるκＬが１．５以上３．０未満である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一般的な水銀ランプ等の低エネルギーの光を照射して発光し、その発光した光が増幅し、また狭線化する有機光学デバイス及びその製造方法を提供する。更に、本発明は、一般的な水銀ランプ等の低エネルギーの光を用いて発光させ、その発光を増幅し、狭線化した光として供給する方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）有機半導体材料の平板状結晶１１と、（Ｂ）回折格子１２を有して成る有機光学デバイスであって、（Ｂ）回折格子１２は、（Ａ）有機半導体材料の平板状結晶１１の少なくとも一つの主平面に設けられている有機光学デバイスである。（Ｂ）回折格子１２は、誘電体材料１３の表面に形成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】製品寿命の低下を抑制しつつ、１チップで所望の波長の光を出力できる発光装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０上に配置され、第１の波長の光を発生し、その第１の波長の光が共振する１次側導波路を有する共振装置２と、１次側導波路から第１の波長の光の光パワー移行が生じる距離ｄで半導体基板１０上に配置され、希土類元素がドープされた２次側導波路を有する出力装置３とを備える。 （もっと読む）

【課題】性能を向上することのできる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、フォトニック結晶層７と、活性層５とを備えている。フォトニック結晶層７は、高屈折率部分７１と、高屈折率部分７１の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率部分７２とを有している。活性層５は、フォトニック結晶層７の一方の主面側に形成されており、かつキャリアが注入されることにより発光する。高屈折率部分７１および低屈折率部分７２の各々はＧａＮを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】酸化によるレーザ特性への影響が大きい半導体を活性層とする半導体レーザ素子において、活性層を加工することなく利得結合型ＤＦＢ構造を得ることができる半導体レーザ素子及びその作製方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０は、III−Ｖ族化合物半導体を含むｎ型半導体基板２１と、半導体基板２１上に設けられたｎ型クラッド層１１と、活性層１５を有しｎ型クラッド層１１上に設けられた半導体積層部１２と、半導体積層部１２上に設けられたｐ型クラッド層１３とを備える。半導体積層部１２は、所定波長に応じた周期で活性層１５に沿って配列されており活性層１５が発する波長の光を吸収する複数の光吸収領域１８を有する。活性層１５は、組成中にＡｌを含むIII−Ｖ族化合物半導体からなる。複数の光吸収領域１８は、実質的にＡｌを含まないIII−Ｖ族化合物半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】回折格子のピッチを変えることができる回折格子の形成方法及び分布帰還型半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】この回折格子の形成方法では、まず、弾性材料からなり、回折格子２４を形成するためのパターン１２を有するモールド１０を準備する。次に、モールド１０を変形させた状態でパターン１２を樹脂体２２に押し付ける。次に、パターン１２を樹脂体２２に押し付けた状態で樹脂体２２を硬化させることによって、硬化した樹脂体２２ａに回折格子２４を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム露光装置を用いて回折格子のためのパターンを描画する際に良好なアライメントが可能になる半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】エッチングにより絶縁体１９が基板主面１１ａの一部上に形成される。絶縁体１９を形成した後に、積層領域２１をＩｎＰ基板１１の主面１１ａ上に形成する。積層領域２１のIII−Ｖ化合物半導体層２７は、当該半導体光素子の活性層のために形成される。回折格子は、活性層上に形成される。絶縁体１９の高さが積層領域２１の厚さ以上であるので、積層領域２１を形成した後でも、積層領域２１に対し選択的に絶縁体１９を除去できる。絶縁体１９を除去しても、積層領域２１の半導体はエッチングされない。絶縁体１９の除去によって、積層領域２１には、積層領域２１の半導体の結晶面に依存しない段差３３が形成される。積層領域２１を形成した後に、ＥＢ露光のためのアライメントを行う。 （もっと読む）

本発明の一つの態様によれば、レーザチップ（１０）と、光波長変換装置（２０）と、本発明による可変焦点レンズ（３）とを備える半導体レーザを提供する。その可変焦点レンズは、レーザチップから光波長変換装置へ光を導くように配置された第１および第２の液体レンズ部品（４０）（５０）を備える。第１および第２の液体レンズ部品は、そのレンズ部品により定義される第１および第２の同調長手軸（４５，５５）が互いに傾斜した関係となるように、また各レンズ部品のレンズ面（４８，５８）の各曲率が変化するように、配向され、また構成される。本発明の別の実施形態によれば、第１および第２の液体レンズ部品を備える可変焦点レンズが提供される。
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【課題】信頼性を向上可能であり、バットジョイント構造を有する半導体光集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体１７ａを第１のエリア１１ｂ上に分子線ビームエピタキシ装置を用いて形成した後に、有機金属気相成長装置４３を用いて第１のアニール４５を行う。電界吸収型変調器の活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体５１を第２のエリア１１ｃ上に有機金属気相成長装置４３を用いて形成した後に、有機金属気相成長装置４３を用いて第２のアニール６１を行う。III−Ｖ化合物半導体１７ａは、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含み、III−Ｖ化合物半導体５１は、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含む。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性を悪化させずに短時間で窒化物半導体層を得ることのできる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、基板１の主面１ａ上に第１窒化物半導体層を形成する工程と、基板１１の主面１１ａ上にリフトオフ層１３を形成する工程と、リフトオフ層１３上に発光層１７を含む第２窒化物半導体層を形成する工程と、基板１の主面１ａと基板１１の主面１１ａとが互いに対向した状態で第１窒化物半導体層と第２窒化物半導体層とを貼り合わせる貼合わせ工程と、リフトオフ層１３をウエットエッチングすることにより、基板１１と第２窒化物半導体層とを分離する分離工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】歩留まりが高くコストが低いリングレーザシステムを提供する。
【解決手段】中間層１０６の上に光コア１１０をエピタキシャル層成長により形成し、前記光コア１１０に隣接して多重量子井戸１１２を形成し、そして内部全反射体を含む外側構造体１１６を形成して構成されるリングレーザシステム３００を提供する。当該リングレーザシステム３００では、多重量子井戸１１２内部で形成された光子は、外側構造体１１６、多重量子井戸１１２及び光コア１１０を含んで成るリングレーザ構造内部で循環し、外側構造体１１６に付着した不連続部１１４から出射する。 （もっと読む）

【課題】量子ドットなどの半導体微結晶を高品質に多層化した半導体構造をもつ光半導体装置、レーザモジュールおよび光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＩｎＡｓ層４ａに含まれる量子ドットの大きさと等しいかまたは小さい量子ドットを含むＩｎＡｓ層４ｂがＩｎＧａＡｓ層５ａを介してＩｎＡｓ層４ａ上に多層化される。ＩｎＡｓ層４ｂの材料供給量は、ＩｎＡｓ層４ａの材料供給量の半分以下にすることによって、ＩｎＡｓ層４ａ，４ｂの量子ドットの大きさをほぼ等しくすることができ、転位などを抑制し、高品質の多層量子ドットが形成される。 （もっと読む）

レーサの単一方向性は、レーザ共振器内に１つ以上のエッチングされたギャップ(78,80)を形成することにより強められる。そのギャップは、リングレーザのいずれの脚部のように、レーザのいずれのセグメントに、またはV字型レーザ(60)の一つの脚部(62)に備えられてもよい。レーザに結合された光機能デバイスの遠位の端面でのブルースター角の面は、レーザ共振器へのバック反射を低減する。配置されたブラッグ反射器は、レーザの横モード抑圧比を強めるために、レーザの出力部に用いられる。
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【課題】 青色や紫外光などの短波長の光を発振することのできる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子１は、主面３ａを有する基板３と、主面３ａが延びる方向に沿って基板３上に形成されたフォトニック結晶層７と、基板３上に形成されたｎ型クラッド層４と、基板３上に形成されたｐ型クラッド層６と、ｎ型クラッド層４およびｐ型クラッド層６に挟まれ、キャリアが注入されると発光する活性層５とを備えている。フォトニック結晶層７は、ＧａＮよりなるエピタキシャル層２ａと、エピタキシャル層２ａよりも低屈折率である複数の孔２ｂとを含んでいる。活性層５から出た光のうち素子の内部に存在する光の３％以上をフォトニック結晶層７に導入できる程度に、フォトニック結晶層７と活性層５との距離ｄ₁が規定されている。 （もっと読む）