【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 消費電力を抑制しつつ広帯域波長可変を実現することができる半導体レーザおよびレーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、複数の利得領域と複数の屈折率可変領域とが交互に配置された導波路と、前記導波路に対応して設けられた回折格子を備えた第１反射器と、前記利得領域に電流を注入するための電極と、前記屈折率可変領域の温度を制御するためのヒータと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高出力用途に好適なレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るレーザ素子は、基板と、該基板の上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層の上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層の上方の層に１００μｍ×１００μｍ以上の大きさで形成された、該活性層で発生した光を該上部クラッド層の上方に回折する２次の回折格子と、該下部クラッド層、該活性層、及び該上部クラッド層を有する共振器の第１端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第１反射膜と、該共振器の該第１端面と反対側の端面である第２端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第２反射膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】導波路層に形成される屈折率分布のコントラストを従来よりも向上させた半導体光反射器及び半導体レーザ、並びにそれらの駆動方法及び装置を提供する。
【解決手段】ｎ型基板１１と、ｎ型基板１１自体の一部またはｎ型基板１１の上方に形成されたｎ型クラッド層１２と、ｎ型クラッド層１２の上方に形成されたｐ型クラッド層１３と、ｐ型クラッド層１３とｎ型クラッド層１２との間に形成された、光を導波するための導波路層１４と、ｎ型基板１１の底面及びｐ型クラッド層１３の上面にそれぞれ形成されたｎ型電極１５及びｐ型電極１６と、導波路層１４の近傍に光導波方向に沿って規則的に配置された複数の電圧制御部材１７と、を備え、複数の電圧制御部材１７は、ｎ型電極１５及びｐ型電極１６の間に逆バイアス電圧が印加された状態で、導波路層１４内に光導波方向に沿った規則的な屈折率の分布を生じせしめる。 （もっと読む）

【課題】波長可変動作を行わせても出力が低下せず、低消費電力で高出力動作が可能な半導体レーザ素子およびそれを備える半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】活性層２４に沿って回折格子層２５を設ける。前方ＤＦＢ領域Ｓ１の回折格子層２５には、格子間隔がレーザ光の出力方向に連続的に変化するチャープ回折格子３０を形成し、後方ＤＦＢ領域Ｓ２の回折格子層２５には、格子間隔が一定の領域を含む均一回折格子３１を形成する。活性層２４を挟んで回折格子層２５と反対側には、活性層２４とは独立して電流を注入可能なチューニング層２２を設ける。後方ＤＦＢ領域Ｓ２にチューニング電極２８を設け、前方ＤＦＢ領域Ｓ１とは独立して、後方ＤＦＢ領域Ｓ２のチューニング層２２に電流を注入する。 （もっと読む）

【課題】発振閾値電流までのプラズマ効果による発振波長の短波長化、又は発振後の温度上昇に伴う発振波長の長波長化が生じても、活性領域のブラッグモードが常に分布反射鏡領域の有効反射帯域から外れることなく、安定した良好な単一モード発振を得ることのできる、信頼性の高い半導体レーザを実現する。
【解決手段】第１の回折格子１１を有する活性領域１と、第２の回折格子１２を有する分布反射鏡領域２とを備え、第２の回折格子１２は、第１の回折格子１１から伝搬する光の波長に応じて光路を変更する第１の部分１２Ａと、第１の部分１２Ａから入射される光の波長に整合した格子周期を有する、例えば円弧形状の各格子を持つ第２の部分１２Ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】動作モード制御性に優れる半導体レーザの作製方法を提供する。
【解決手段】光の伝播方向において活性層領域Ａと制御層領域Ｂとが交互に接続する半導体レーザの作製方法において、活性層領域Ａの上側ＳＣＨ層１３又は制御層領域Ｂの上側ＳＣＨ層１７のうちいずれか一方の上層に半導体犠牲層１８を形成し、活性層領域Ａ及び制御層領域Ｂの表面に回折格子を形成し、活性層領域Ａ及び制御層領域Ｂの上層に半導体犠牲層１８と同一材料の半導体層２０を形成する際、半導体犠牲層１８の厚さを厚くして、活性層領域Ａの回折格子の深さ又は制御層領域Ｂの回折格子の深さのうちいずれか一方を浅く形成する。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造プロセスで安価に作製でき、信頼性および特性の再現性の高い、半導体レーザを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザでは、共振器内に、屈折率を変化させることが可能な屈折率変調領域１８（または、利得を変化させることが可能な利得変調領域３１）と、マッハツェンダー結合器が形成された垂直結合領域１９とを、備えている。ここで、屈折率変調領域は、一方の反射鏡端面９Ａから、（共振器長Ｌ）／（２以上の整数）を満たす、位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザにおいて、所望の光出力が得られるように注入電流値を大きくした場合にも、安定した単一波長動作及び低しきい値動作を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザを、半導体基板上に、電流注入によって利得を発生しうる光導波路と、位相シフトを有し、光導波路の全長にわたって光導波路に沿って設けられる回折格子とを備えるものとし、光導波路に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長が、位相シフトの近傍領域のブラッグ波長よりも長くなるように構成し、位相シフトを、１箇所に設け、位相シフト量を１／４波長とする。 （もっと読む）

【課題】素子内で深さの異なる回折格子を有することにより波長制御性に優れた半導体レーザの作製方法及び半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板の表面又はバッファ層の表面に形成される回折格子と、前記半導体基板上又は前記バッファ層上に積層される下側ＳＣＨ層１０２、活性層１０１及び上側ＳＣＨ層１０３と、前記活性層１０１を有する活性層領域Ａ以外の領域である制御層領域Ｂにおいて前記半導体基板又は前記バッファ層上に積層される該半導体基板又は該バッファ層と同一の材料の半導体犠牲層１０８、下側ＳＣＨ層１０６、制御層１０５及び上側ＳＣＨ層１０７とを備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、素子内で深さの異なる回折格子を有することにより波長制御性に優れた半導体レーザの作製方法及び半導体レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上に下側ＳＣＨ層、活性層及び上側ＳＣＨ層の順に積層された積層構造の表面の一部に半導体犠牲層を形成する工程と、前記上側ＳＣＨ層と前記半導体犠牲層に光の伝播方向において深さが変化する回折格子を形成する工程と、前記回折格子を形成した前記上側ＳＣＨ層と前記半導体犠牲層の上層に前記半導体犠牲層と同一材料の半導体層を形成する工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】レーザ発振波長を変更可能であって、光学的損失を抑えつつ光処理素子を同一基板上に集積可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、第１の反射手段３及び第２の反射手段５によってレーザキャビティが構成されている。第２の反射手段５は、利得導波路７及び第１の反射手段３と直列に半導体基板Ｓ上に配置されたチャープ型回折格子５５であり、半導体レーザ素子１におけるレーザ光の出射面として機能する。このような構成により、溝をレーザ光の反射手段にする場合とは異なり、溝を挟んだ２つの半導体光導波路の光結合効率や、溝内での多重反射の影響を回避することが可能となっており、光学的損失を抑えつつ光処理素子を同一半導体基板Ｓ上に集積できる。 （もっと読む）

【課題】反射率ピークの波長依存性が小さい回折格子デバイスを提供する。
【解決手段】回折格子デバイス１の光導波路コア３では、第１及び第２の領域３ａ、３ｂは、所定の軸Ａｘの方向に交互に配置されており、またこれらの領域３ａ、３ｂは互いに隣接している。回折格子構造５は、所定の軸Ａｘの方向に順に配置された回折格子部分５ａ〜５ｎを含む。回折格子部分５ａ〜５ｎは、それぞれ、光導波路コア３の第１の領域３ａに光学的に結合されている。回折格子部分５ａ〜５ｎは周期的に配置されている。この繰り返し配置の周期は値Λｓである。回折格子部分５ａ〜５ｎは互いに離間して配置されている。回折格子構造の周期は、所定の軸Ａｘに取られたｘ軸上の座標に対して単調に変化するチャープ回折格子の周期を提供する関数ｆ（ｘ）によって規定される。回折格子部分５ａ〜５ｎの各々におけるチャープされた周期は関数ｆ（ｘ）によって規定される。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザにおいて、所望の光出力が得られるように注入電流値を大きくした場合にも、安定した単一波長動作及び低しきい値動作を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザを、半導体基板上に、電流注入によって利得を発生しうる光導波路と、位相シフトを有し、光導波路の全長にわたって光導波路に沿って設けられる回折格子とを備えるものとし、光導波路に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長が、位相シフトの近傍領域のブラッグ波長よりも長くなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】レーザの外部に波長基準となる追加の素子を必要とせずに、光伝送のためのチャネル波長の高速な切り替えを可能にする発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、半導体光素子１１と、外部光学反射鏡１８と、ファブリペローエタロン１９とを備える。半導体光素子１１の光反射器１３では、回折格子２１ａ、２１ｂ、２１ｉの周期は互いに異なる。電極２３ａ〜２３ｉは、回折格子２１ａ〜２１ｉのためにそれぞれ設けられている。ファブリペローエタロン１９は、半導体光素子１１の第１の端面１５ａと外部光学反射鏡１８との間に設けられている。ファブリペローエタロン１９および利得導波路１７は、レーザキャビティ内において直列に配置されている。半導体光素子１１の第２の端面１５ｂからレーザ光Ｌが出射する。光反射器１３および外部光学反射鏡１８の各々は、発光装置１１のレーザキャビティのための反射鏡である。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上と、単一モード性の確保とを両立させることができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１の製造方法では、レジスト層１９に溝パターン２０を形成するにあたって、ナノインプリント法を用いている。これにより、回折格子層１３に対して深さの異なる複数の溝パターン２１を一括形成することができるので、電子線描画法に比べて、生産性の向上が図られる。また、ナノスタンパ２２をレジスト層１９に直接押し付けるので、雑音や振動の影響を小さくでき、さらに、電子線照射量の揺らぎの問題や電子銃の劣化の問題を生じないので、精度の高い溝パターン２１の形成が可能となる。従って、回折格子層１３の結合係数を最適値に近づけることが容易となるので、半導体レーザ素子１の共振器内における光強度分布の均一化が図られ、単一モード性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】光吸収を抑制することができると共に、活性層への電流注入が効率よく行うことができ、高出力化を図ることが可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板１０５上に活性層を介してフォトニック結晶層１３０を有する面発光レーザであって、前記フォトニック結晶層は、少なくとも面内方向に共振させる第１の周期構造と、面内方向の光の強度分布を変調させる第２の周期構造とを有する。
このフォトニック結晶層内の前記光の強度分布は、前記第２の周期構造によって、光強度が高い領域と低い領域とに周期性をもって分布している。前記光強度が低い領域の直上に、前記活性層に電流注入するための導電膜１７０が選択的に設けられている。 （もっと読む）

【課題】λ／４位相シフトＤＦＢレーザにおいて、空間的なホールバーニング（キャリア密度低下）を引き起こし、出力光のパワーが小さくなることを防止する。
【解決手段】λ／４位相シフトＤＦＢレーザは、誘導放出光を生成するための活性層４０と、この活性層４０の下又は上に積層され、単一縦モード化を図るための回折格子層３０と、活性層４０及び回折格子層３０を上下の方向から挟み込むように積層された上部クラッド層４１，４１ａ及び下部クラッド層２１とを有している。そして、回折格子層３０において、活性層４０を導波される誘導放出光のエバネセント場の及ぶ範囲内に、凹凸の回折格子３３が形成された回折格子形成領域３１と、前記回折格子３３が形成されていない回折格子非形成領域３２とが、交互に周期的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ブラック反射領域を光軸方向に短く形成しつつ、ブラッグ反射の効果を効率よく得る。
【解決手段】第１クラッド層１１、光導波路層２１、第２クラッド層２７がこの順に積層された積層体４７を有する。そして、光導波路層は、光軸方向に沿って互いに隣接したブラッグ反射領域３３及び活性領域３１を含む。ブラッグ反射領域は、第１の膜厚３５、及びこの第１の膜厚よりも薄い膜厚である第２の膜厚３７を光軸方向に周期的に繰り返している。これによって、ブラッグ反射領域では、第１クラッド層と光導波路層との間の境界に第１回析格子２３、及び第２クラッド層と光導波路層との間の境界に第２回析格子２９が、それぞれ設けられている。そして、これら第１回析格子と第２回析格子とは、位相が一致している。 （もっと読む）

【課題】 高次横モードの発振を抑制しつつ、基本横モードの導波路損失の増大を抑制することが可能な光素子を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された光導波構造が、基板の表面に平行な方向に光を導波させる光導波路を画定すると共に、導波光の横モードの光強度分布を該光導波路の第１の側に偏在させる。光導波路の両側のうち、少なくとも第１の側とは反対の第２の側に、光導波路を伝搬する導波光と結合する主回折格子が配置されている。光導波路の両側のうち第１の側に、主回折格子と結合して光導波路を伝搬する導波光を、光導波路の延在する方向とは異なる方向に回折させる副回折格子が配置されている。 （もっと読む）