【課題】上下方向へのビームの射出割合を制御する、上下非対称な大きさを持つ構造体を製造する際に、このような構造体を精度良く容易に製造することが可能となるフォトニック結晶面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１として、窒化物半導体基板のＣ軸が窒化物半導体基板の法線と窒化物半導体基板の主面１１２との双方から傾いた構造を有する窒化物半導体基板を用い、窒化物半導体基板の上に、活性層１０３を含む窒化物半導体層を成長させる成長工程と、窒化物半導体層１０４に、２次元フォトニック結晶を形成するための細孔１０６をエッチングにより形成するエッチング工程と、細孔が形成された窒化物半導体層を、窒素を含む原料雰囲気下で窒化物半導体層を構成する原子を輸送させる熱処理を行い、熱処理によって細孔の深さ方向の形状を上下非対称に変化させる熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜が機械的に損傷することを回避できる、シリコン薄膜に等電子中心を導入するための方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板上のシリコン薄膜に等電子中心を導入する方法であって、室温において、不純物原子イオンを高電圧で加速させシリコン薄膜に照射し、ラピッドサーマルアニール法によって窒素雰囲気中において不純物原子イオンを照射したシリコン薄膜をアニールし、ラピッドサーマルアニール法によって窒素雰囲気中においてシリコン薄膜を急冷することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定で均一な空間横モード動作をさせることのできる端面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 この端面発光型半導体レーザ素子は、半導体層内に形成された２次元フォトニック結晶４を備えており、電極８の接触領域の一方向を長さ方向（Ｘ軸）とし、この長さ方向及び基板の厚み方向の双方に垂直な方向を幅方向（Ｙ軸）とした場合、２次元フォトニック結晶４は、基板に垂直な方向（Ｚ軸）から見た場合、電極の接触領域を含み接触領域よりも幅方向に広い領域内に位置し、且つ、一方向（Ｘ軸）に沿った間隔毎に屈折率が、ブラッグの回折条件を満たしつつ、周期的に変化する屈折率周期構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】光の回折効率とキャリアの注入効率が高く、且つ、光の吸収を抑えることが可能となるフォトニック結晶面発光レーザ等を提供する。
【解決手段】基板１０１上に、活性層１０４と、該活性層の近傍に設けられ面内方向に共振モードを有する２次元フォトニック結晶層１０５と、を含む複数の半導体層が積層されたフォトニック結晶面発光レーザであって、前記２次元フォトニック結晶層１０５は、前記基板の面内方向に、低屈折率媒質１０５ｂと該低屈折率媒質よりも高屈折率の高屈折率媒質１０５ａとが周期的に配列され、前記低屈折率媒質と前記高屈折率媒質との間に、導電性を備えた側壁部材１０５ｃが配置されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の出射面の法線に対して線対称な斜め方向である２つ方向に出射されるレーザ光の強度比を制御することが可能な２次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】面内方向に共振モードを有する２次元フォトニック結晶を有し、レーザ光の出射面の法線に対して線対称な斜め方向である少なくとも２つの方向に、レーザ光を出射する２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
２次元フォトニック結晶は、
２つの方向に出射するレーザ光の出射方向ベクトルを、レーザ光の出射面に射影した射影方向に垂直な方向に沿って、２次元フォトニック結晶の格子点を構成する媒質の深さあるいは高さが一定であり、
２次元フォトニック結晶の格子点を構成する媒質の深さあるいは高さが、射影方向に沿って該射影方向に平行な方向を法線とする任意の面に対して非対称に変化している。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、近接した位置に配置された一方のフォトニック結晶面発光レーザから他方のフォトニック結晶面発光レーザの内部に到達するレーザ光を低減するフォトニック結晶面発光レーザアレイを提供する。
【解決手段】 フォトニック結晶面発光レーザにおけるフォトニック結晶は、正方格子または六方格子のフォトニック結晶であり、角度θについて、正方格子のフォトニック結晶は式（１）を満たし、六方格子のフォトニック結晶は式（２）を満たす。
０°≦θ≦２２．５° 式（１）
０°≦θ≦１５° 式（２） （もっと読む）

【課題】光強度分布制御層による簡単な構成により２次元フォトニック結晶による回折光の強度を制御することが可能な２次元フォトニック結晶面発光レーザの提供。
【解決手段】基板１０１上に設けられた下部クラッド層１０２と、下部クラッド層上に設けられたキャリアを注入することで発光する活性層１０３と、活性層上に設けられた活性層で発生した光を面内で共振させる２次元フォトニック結晶層１０４を有する２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、２次元フォトニック結晶層上に設けられ、該２次元フォトニック結晶層中の光強度分布を制御する光強度分布制御層１０５を備え、下部クラッド層と、活性層と、フォトニック結晶層と、光強度分布制御層と、該光強度分布制御層上に設けられた上部クラッド層と、の積層構造によるスラブ導波路が構成され、光強度分布制御層の屈折率は、スラブ導波路の実効屈折率より大きく、面内での膜厚分布が異なっている。 （もっと読む）

【課題】開口数が１／√２以下の集光レンズで集光した際、円周偏光環状のビームの集光スポットを単峰形状とすることが可能な光学素子等を提供する。
【解決手段】ビームの入射平面７にビームが入射する際の入射ベクトル８の方向と平行する第一の分割平面５と、入射ベクトルと平行し且つ前記第一の分割平面と直交する第二の分割平面６とで分割された領域を備え、入射ベクトル方向に進行し、入射ベクトル方向と直交するビームの入射面と第一及び第二の分割平面との交線における第一の分割平面と平行な方向に直線偏光したビームが入射平面に入射する際に、第一の分割平面で分割される領域間でπ異なる位相回転角をビームに与え、交線における第二の分割平面と平行な交線の方向に直線偏光したビームが、入射面に入射する際に、第二の分割平面で分割される領域間でπ異なる位相回転角をビームに与える。 （もっと読む）

【課題】特性が改善可能な半導体面発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体面発光素子は、閃亜鉛構造の第１化合物半導体からなる基本層６Ａ内に複数の穴Ｈを周期的に形成し、穴Ｈ内に、閃亜鉛構造であって第２化合物半導体からなる埋め込み層６Ｂを成長させてなるフォトニック結晶層６と、フォトニック結晶層６に対して光を供給する活性層４と、を備え、基本層６Ａの主表面は（００１）面であり、穴Ｈの側面は、異なる２つの｛１００｝面を有している。 （もっと読む）

【課題】特性が改善可能な半導体面発光素子及び製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体面発光素子は、閃亜鉛構造の第１化合物半導体からなる基本層６Ａ内に複数の穴Ｈを周期的に形成し、穴Ｈ内に、閃亜鉛構造であって第２化合物半導体からなる埋め込み層６Ｂを成長させてなるフォトニック結晶層６と、フォトニック結晶層６に対して光を供給する活性層４と、を備え、基本層６Ａの主表面は（００１）面であり、穴Ｈの側面は、少なくとも異なる３つの｛１００｝面を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後に大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能な窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の微細構造の製造方法であって、Ａｌを除くＩＩＩ族窒化物半導体からなる第１の半導体層１０２の主面の上にＡｌを含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる第２の半導体層１０４を形成し、第２の半導体層を貫通してなる第１の半導体層に形成された細孔１０７を有する半導体構造を用意する第１の工程と、第１の工程後、半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、第１の半導体層に形成された細孔の側壁の少なくとも一部に、第１の半導体層の結晶面を形成する第２の工程と、第２の工程後、第２の半導体層の上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる第３の半導体層１１１を形成し、細孔の上部を塞ぐ第３の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを用いてフォトニック結晶構造を有する各種光デバイスを容易に形成することができるフォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。コア層２及び上部ＤＢＲ層３には膜厚方向に延びる複数の空孔９が形成され、これによりフォトニック結晶構造が実現される。このフォトニック結晶構造は、複数の空孔９に挟まれて空孔９が存在しない線欠陥部１０を有し、線欠陥部１０が光導波路として機能する。 （もっと読む）

【課題】二次元フォトニック結晶の面内方向の外側に漏れる光のロスと、発光に寄与せず吸収層として働いてしまうことによる活性層での吸収ロスと、を抑制し、光の利用効率を向上させることが可能となる二次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、該基板の面に対して垂直方向に、活性層と、フォトニック結晶の構造を有するフォトニック結晶層とが積層された積層構造を備え、
該フォトニック結晶の面内方向に共振モードを有し、該フォトニック結晶の面に対して垂直方向に光を取り出す二次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
前記積層構造中に、高屈折率媒質からなる中央部と、該高屈折率媒質よりも屈折率が低い低屈折率媒質からなる周辺部とを備えた屈折率層を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】動作中の温度上昇が著しく僅かな点で優れた半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体チップ１は活性層５を有しており、主放射方向６へ放射を送出する。活性層５はこの主放射方向６に対し垂直な方向で構造形成されており、これによって自然放出放射１０による半導体チップ１の加熱が低減される。 （もっと読む）

【課題】従来例のような貼り合わせ技術を用いずに、フォトニック結晶層下部の部材と、該結晶層との屈折率差を確保することが可能となる面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】面発光レーザの製造方法であって、
基板上に、クラッド層と、面内方向に細孔が配列されたフォトニック結晶層とを有する部材を用意する第１の工程と、
前記フォトニック結晶層の細孔の下部側に位置する前記クラッド層を酸化し、該クラッド層に、該フォトニック結晶層の屈折率よりも低い屈折率を有する酸化領域、および非酸化領域を形成する第２の工程と、
を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】動作中の温度上昇が著しく僅かな点で優れた半導体レーザを提供する。
【解決手段】外部共振器を備えた面発光型の光ポンピング半導体レーザを構成する半導体チップ１は基板２、反射器３および活性層５を有している。反射鏡は外部反射器４とともに半導体レーザの共振器を成し、半導体レーザは主放射方向６へ放射を送出する。活性層はこの主放射方向に対し垂直な方向で構造形成されており、これによって自然放出放射１０による半導体チップ１の加熱が低減される。 （もっと読む）

【課題】発振波長に対して吸収層として機能する基板を用いた場合であっても、基板側で光量をモニタリングすることのできる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、活性層を含む複数の半導体層が積層され、前記基板に対して垂直方向に出力光を出射させる面発光レーザであって、
前記基板と、活性層を含む複数の半導体層で構成されたレーザ光の発振部との間に、波長変換層を有し、
前記波長変換層は、前記レーザ光の発振部から出射されたレーザ光の第１の波長を、前記基板を透過する第２の波長に変換することを可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ることのできるレーザモジュール、バーコードスキャナーおよび光電センサーを提供する。
【解決手段】レーザモジュール２０は、基板と、第１導電型のクラッド層と、発光層と、第２導電型のクラッド層と、フォトニック結晶層とを含むフォトニック結晶レーザ素子１を備えている。第１導電型のクラッド層は、基板上に形成されている。発光層は、第１導電型のクラッド層上に形成され、かつ光を発生する。第２導電型のクラッド層は、発光層上に形成されている。フォトニック結晶層は、第１導電型のクラッド層と第２導電型のクラッド層との間、第１導電型のクラッド層中、または第２導電型のクラッド層中のいずれかに形成され、かつ低屈折率部と、低屈折率部よりも屈折率の高い高屈折率部とを有する。 （もっと読む）

【課題】隣り合う面発光レーザとのクロストークを抑制することが可能となる二次元フォトニック結晶を備えた面発光レーザアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性層と二次元フォトニック結晶を備え、該二次元フォトニック結晶の面内方向に共振モードを有し、該二次元フォトニック結晶の面に対して垂直方向に光を取り出す面発光レーザが、アレイ状に配列された面発光レーザアレイであって、
前記面発光レーザはメサ状の傾斜した側壁面を有し、
前記二次元フォトニック結晶を含む導波路に入射光が結合する前記メサ状の傾斜した側壁面に対する最大受光角度をθｍａｘ°としたとき、
前記二次元フォトニック結晶の面と前記メサ状の傾斜した側壁面とのなす角度が、（９０＋θｍａｘ）°超、または（９０−θｍａｘ）°未満とされている。 （もっと読む）

【課題】 抵抗率の高いｐ型ＡｌＧａＮをクラッド層として用いる必要がなく、かつ、ｐ型電極による吸収損失を抑制した新規な窒化物半導体レーザの提供を目的とする。
【解決手段】 面内方向に共振モードを有する２次元フォトニック結晶層１０３を備えた窒化物半導体の面発光レーザ１００であって、活性層１０４と、２次元フォトニック結晶層１０３と、半導体層１０６と、電極１０５とがこの順で設けられている２次元フォトニック結晶層１０３の高屈折率媒質１０１はｐ型伝導性のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）である。また、半導体層１０６はｐ型伝導性のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）である。２次元フォトニック結晶層１０３の厚さｔ_ＰｈＣは発振波長λと、共振モードの実効屈折率ｎ_ｅｆｆによって記述される関係式ｔ_ＰｈＣ≧（λ／ｎ_ｅｆｆ）を満足する。 （もっと読む）