【課題】所望のスペクトル線幅および所望の光強度のレーザ光を出力できる集積型半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の分布帰還型の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光がそれぞれ入力される、該半導体レーザと同じ数の入力ポートを有し、該出力光を合流させて出力させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器と、が集積され、前記半導体レーザの個数をＮ、前記各半導体レーザの共振器長および出力されるレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬdfb、Δν０とし、前記半導体光増幅器の増幅器長、増幅率、および出力される増幅されたレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬsoa、Ａ、Δνとし、Δν／Δν０をＲとすると、所定の関係式が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド光デバイスに関し、利得半導体導波路と非線形光学結晶導波路を方向性結合させる際に、高効率なレーザ発振を実現する。
【解決手段】 下部に分布ブラッグ反射鏡を有する利得半導体導波路と非線形光学結晶導波路とを近接配置して方向性結合させ、前記利得半導体導波路の一方の端面と前記非線形光学結晶導波路の一方の端面とをレーザ共振器用反射面とするとともに、前記非線形光学結晶導波路の他方の端面を前記非線形光学結晶導波路で発生した二次高調波の出射面とする。 （もっと読む）

【課題】光源装置を小さくすることができ、装置全体の小型化を図ることができるテラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置を提供すること。
【解決手段】テラヘルツ波発生装置１は、光パルスを発生する光源装置３と、前記光源装置３で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、前記光源装置３は、光パルスを発生する光パルス発生部４と、前記光パルス発生部４で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第１のパルス圧縮部５と、前記第１のパルス圧縮部５でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第２のパルス圧縮部７と、前記第１のパルス圧縮部５の前段、または前記第１のパルス圧縮部５と前記第２のパルス圧縮部７との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部６とを有する。 （もっと読む）

【課題】緩和振動周波数を向上させて、良好なアイ開口を得ることができる直接変調型半導体レーザを提供する。
【解決手段】第１の信号光１１７を出力する第１の半導体レーザ１２８と、第１の半導体レーザ１２８のＩｎＧａＡｓＰ活性層１２２に吸収される波長を含む第２の信号光１１３を出力する第２の半導体レーザ１２７とを独立して有し、第２の信号光１１３がＩｎＧａＡｓＰ活性層１２２に入射するように、第１の半導体レーザ１２８と第２の半導体レーザ１２７とを直列に配置し、同一の信号電流１１１をｐ型電極１０８及びｐ型電極１２５に入力した。 （もっと読む）

【課題】素子作製において複数の種類の回折格子の作製に起因して無駄領域を発生させることなく、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０４で、素子サイズに対応したサイズ値の周期で配列された複数のパターン部を有するパターン面を含むモールドを準備する。複数のパターン部のうちの少なくとも一のパターン部は別のパターン部と異なる。モールドを用いてナノインプリンティング法で半導体領域上に第１のマスクを工程Ｓ１０７で形成する。第１のマスクを用いたエッチングにより、複数のパターン部にそれぞれ対応する複数の周期構造を半導体領域に工程Ｓ１０８で形成する。別の素子区画に位置する第１及び第２の所望の周期構造上にそれぞれ第１及び第２のパターンを有する第２のマスクを形成した後に、第２のマスクを用いて第１及び第２の区画にそれぞれ第１及び第２のストライプメサを工程Ｓ１１０で形成する。 （もっと読む）

【課題】高出力の第二高調波発生素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、少なくとも1つのシングルモード導波路１２ａと、シングルモード導波路１２ａと光学的に結合された、少なくとも1つのマルチモード干渉導波路１２ｂと、を有する周期構造光導波路１２を備える。シングルモード導波路１２ａとマルチモード干渉導波路１２ｂとが、周期Λでｎ（ｎは自然数）周期繰り返す。周期Λは、コヒーレンス長の偶数倍と等しい。 （もっと読む）

【課題】光の増幅率が高く、高出力化を図ることができる光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュール１００は、外部共振器型レーザー１５０と、波長変換素子１６０とを含み、外部共振器型レーザー１５０は、垂直方向に光を出射する発光部１２０と、発光部１２０の垂直方向側に、波長変換素子１６０を介して設けられた外部ミラー１３０と、を有し、発光部１２０は、基板と、基板の上方に形成された第１クラッド層と、活性層と、第２クラッド層と、を備え、活性層の少なくとも一部は、利得領域を構成し、利得領域は、活性層の第１側面から、平面視において第１側面と平行となる活性層の第２側面に、向かって設けられており、第２側面は、垂直方向に対して４５度に傾斜しており、利得領域内を第２側面から第１側面の方向に進行する光は、第１側面において反射して、第２側面の方向に進行し、第２側面において反射して、垂直方向に進行する。 （もっと読む）

【課題】任意の２つの光送受信部が相互に通信可能な光集積回路装置を提供する。
【解決手段】光導波路１〜ｉおよび光送受信部１１〜１ｊ，２１〜２ｊ，・・・，ｉ１〜ｉｊは、半導体基板２０の一主面に配置される。光源３０は、半導体基板２０の端面に配置され、発生した光を光導波路１〜ｉへ導く。各光送受信部１１〜１ｊ，２１〜２ｊ，・・・，ｉ１〜ｉｊにおいて、光共振部材４０は、電圧が印加されると、光導波路１〜ｉ中を伝搬する光の１つの一部の光と光共振し、その一部の光を光伝送部材１０中へ出射する。また、各光送受信部１１〜１ｊ，２１〜２ｊ，・・・，ｉ１〜ｉｊにおいて、光共振部材５０，６０は、電圧が印加されると、光伝送部材１０中を伝搬する光と光共振し、その共振した光を光検出部７０，８０へ出射する。 （もっと読む）

発光装置（４００）は、電気的にポンピングされるゲイン領域（２０）を有する導波路（２４）と、可飽和吸収体（４０）と、非線形結晶（１４０）と、傾斜鏡（Ｍ１）と、集光構造体（１２０）とを有する。ゲイン領域（２０）から放出される光パルス（Ｂ１）が、傾斜鏡（Ｍ１）によって反射され、集光構造体（１２０）によって非線形結晶（１４０）内へ向けて合焦され、周波数変換光パルス（Ｂ２）を生じさせる。ゲイン領域（２０）、可飽和吸収体（４０）、集光構造体（１２０）および傾斜鏡（Ｍ１）は、共通の基板（１０）上または内に実装される。結果として生じる構造体は、安定的かつ小型であり、生じるエミッタ（Ｅ１ａ，Ｅ１ｂ，Ｅ１ｃ）のオンウエハ試験を可能とする。折曲げ構造体は非線形結晶（１４０）の容易な配置を可能とする。
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【課題】高変換効率を有する面型の波長変換素子を得る。
【解決手段】基板２と反射層３と波長変換層３及び活性層６１とｐ側反射鏡６２とｎ側反射鏡６３を有する面発光レーザ部６からなり、基板２に形成された反射層３と面発光レーザ部６のｎ側反射鏡６３が波長変換層３を挟んで対向配置され、面発光レーザ部６の放出された光を反射するｐ側反射鏡６２と反射層３が共振器を形成し、波長変換層３の厚さをコヒーレント長以下にして波長変換層３内に光を閉じ込め、実効的な変換光路長を伸ばし、かつ波長変換された光の位相が反転することによる効率低下を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】正孔および電子の注入効率を低下させることなく緑色などの所望の波長のレーザ光を出射することが可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層３Ａ、活性層４Ａ、およびｐ型半導体層５Ａを含んでおり、ｎ型半導体層３Ａ、活性層４Ａ、およびｐ型半導体層５Ａの積層方向に対して垂直である方向に活性層４Ａからレーザ光が出射されるレーザダイオード部２Ａを備える半導体発光素子Ａ１であって、レーザダイオード部２Ａに対してその光出射方向に配置されており、少なくともその一部に希土類元素が添加されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる波長変換部２Ｂをさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】面発光型半導体レーザ及び静電耐圧素子を有し、高速駆動が可能な光半導体素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板の表面に直交する方向にレーザ光を射出する多層構造の面発光型半導体レーザと、面発光型半導体レーザの上方または下方に形成された多層構造の光検出素子と、面発光型半導体レーザを静電破壊から保護する静電耐圧素子とを半導体基板上に備え、面発光型半導体レーザを駆動する一対のパッド部３５ｃ、３６ｃと光検出素子の一対のパッド部３５ｃ、３６ｃとが、それぞれ独立して設けられている。 （もっと読む）

【課題】光素子およびその製造方法に関して、静電破壊を防止して信頼性の向上を図る。
【解決手段】本発明にかかる光素子１００は、基板１０１の上方に、基板側から配置された、第１ミラーとして機能し、第１の導電型からなる第１の半導体部１０２と、活性層として機能する第２の半導体部１０３と、第２ミラーとして機能し、第２の導電型からなる第３の半導体部１０４、１０６と、を含む発光素子部１６０と、基板の上方に、基板側から配置された、第１の半導体部と同一組成からなる第１の支持部１１２と、第２の半導体部と同一組成からなる第２の支持部１１３と、第２の導電型からなる第４の半導体部１１４、１１６と第４の半導体部よりエッチング速度の大きい材料からなる第５の半導体部１１７と、容量低減部１１８と、第１の導電型からなる第６の半導体部１１９と、を含む整流素子部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】時間的に非常に安定したレーザ放射を持った表面発光半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】共振器と、放射発生用に設けられた層列を有する半導体ボディと、前記半導体ボディの放射通過面と熱コンタクトした透明な周波数選択性の熱伝導素子と、予め設定可能な共振モードを抑圧するのに適した光学バンドパスフィルタを有していることを特徴とする、表面発光半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】 入力信号の状態の変化に応じて所望の出力信号を得られるように特性を最適化できる非線形半導体光素子駆動装置を提供する。
【解決手段】 フィードバック制御回路２は、双安定半導体レーザ５０の入出力特性を調整するための制御信号を出力する。温度制御回路３は、フィードバック制御回路２からの制御信号に従って、ペルチェクーラー２１の温度を制御する。可変抵抗制御部４は、フィードバック制御回路２からの制御信号に従って、双安定半導体レーザ５０の所望の入出力特性が得られるように可変抵抗５の抵抗値を調整する。確率共鳴制御回路６は、双安定半導体レーザ５０の入出力特性を調整するための制御信号を出力する。電流供給部７は、確率共鳴制御回路６からの制御信号に従って、確率共鳴効果が得られるように雑音が付加された電流を、ｐ型電極５４，５５を介して双安定半導体レーザ５０に注入する。 （もっと読む）

【課題】 小型で安価な光波形整形素子を提供する。
【解決手段】 基板１１上に導波路１２が形成されており、これらの上部にＸ方向に分割された電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃが形成されている。導波路１２は、光信号の増幅を行う導波路部Ｐ１１，Ｐ１３と、光信号のうちの所定レベル以下の光信号を吸収して波形整形を行う導波路部Ｐ１２とされている。導波路部Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の各々の機能は、電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃから導波路１２に供給する電流を調整することにより実現される。 （もっと読む）

【課題】 自然放出増幅光を低減することが可能であり、低コスト、且つ小型化が可能な半導体光増幅素子を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態に係る半導体光増幅素子は、第１導電型の下部クラッド層、第２導電型の上部クラッド層、活性層、回折格子層を備えている。下部クラッド層は、所定方向に順に設けられた第１の領域及び第２の領域を表面に有する。上部クラッド層は、第１の領域に支持されている。活性層は、外部からの光を受ける一端と増幅した光を出力する他端とを有しており、下部クラッド層の第１の領域と上部クラッド層との間に設けられている。回折格子層は、活性層の他端と光学的に結合された一端及び所定方向に沿って設けられた回折格子を有しており第２の領域に支持されている。 （もっと読む）

【課題】三次元フォトニック結晶を用いた場合に、光の取り出しを行うことが可能となる発光装置、該発光装置を備えた光源装置を提供する。
【解決手段】活性媒質と、該活性媒質より発光する第１の波長を有する光を３次元空間内に閉じ込める共振器と、該第１の波長を有する光の波長を第２の波長に変換する波長変換媒質と、を備えた発光装置を構成する。
その際、前記活性媒質を前記三次元フォトニック結晶の内部に局所的または周期的に配置し、また前記波長変換媒質を非線形媒質で構成することができる。 （もっと読む）

クロック又はサンプリング信号を発生する回路は、量子ドットの領域を含む半導体量子ドットレーザ素子であって、量子ドットの領域が、少なくとも約１０ｍｅＶの半幅を有する放出分布で特徴付けられるような量子ドットレーザ素子と、周期的な、均一離間された一連のパルスを出力するモードロックレーザとして量子ドットレーザ素子を動作するために量子ドットレーザ素子に接続された駆動回路であって、クロック又はサンプリング信号が上記一連のパルスから導出されるような駆動回路と、を備えている。 （もっと読む）