【課題】 内部量子効率を低下させることなく、吸収損失を低減することができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】 本発明の半導体レーザは、ｐ型クラッド層と、ｎ型クラッド層と、ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層との間に設けられた活性層と、活性層とｐ型クラッド層との間に設けられ、ｉ型半導体から成る第１光閉じ込め層と、活性層とｎ型クラッド層との間に設けられ、ｉ型半導体から成る第２光閉じ込め層と、第１光閉じ込め層とｐ型クラッド層との間に設けられ、ｐ型クラッド層からの不純物が活性層へ拡散することを抑制する拡散抑制層とを備える。 （もっと読む）

空隙からなる凹部（１０２ｂ）およびＩＩＩ族窒化物からなる凸部（１０２ａ）が表面に形成されている基板（１０１）と、基板（１０１）上に形成された窒化物半導体層（１０６）と、窒化物半導体層（１０６）上に形成され活性層を有する窒化物半導体積層体とを備え、基板（１０１）の格子定数は、ＩＩＩ族窒化物（１０２ａ）の格子定数とは異なり、基板（１０１）は誘電体（１０４）からなるマスク（１０４ａ）を有しており、マスク（１０４ａ）は、凸部（１０２ａ）の側面にのみ形成され、凸部（１０２ａ）の上面は露出しており、かつ凹部（１０２ｂ）には基板（１０１）が露出しており、マスク（１０４ａ）の高さＬ１は、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であり、凹部（１０２ｂ）の幅Ｌ２は、５０００ｎｍ以上５００００ｎｍ以下であり、凹部（１０２ｂ）のアスペクト比Ｌ１／Ｌ２は、０．００１以上１．０以下である窒化物半導体素子である。このような構成により、窒化物半導体素子の信頼性を高めることができる。
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少なくとも、基板、平均屈折率がＮ_１ｃｌｄである第一導電型クラッド層、平均屈折率がＮＡである活性層構造、平均屈折率が、_{Ｎ２ｃｌｄ}である第二導電型クラッド層を有する発振波長λ（ｎｍ）の半導体レーザであって、基板と第一導電型クラッド層の間に、第一導電型を示し平均的な屈折率がＮ_１ＳＷＧである副導波路層を有し、かつ、副導波路層と基板の間には、第一導電型を示し平均屈折率がＮ_１ＬＩＬである低屈折率層を有し、かつ、これら屈折率が特定関係式を満たすことを特徴とする半導体レーザを開示する。この半導体レーザは、電流／光出力／温度等の変化に対して安定な発振波長を有する。
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【課題】 利得結合型分布帰還型半導体レーザ素子は、屈折率結合型分布帰還型半導体レーザ素子と比較して過渡的な出力変動が少ないという特徴を持つが、利得を持つ活性層の途中まで回折格子を形成する際に、活性層のある特定深さで制御性良く回折格子エッチングを止めることができないという課題があった。
【解決手段】
エッチング停止層を上下2つの利得を有する領域の間に形成し、且つ、エッチング停止層として利得領域とエッチングレートが異なる材質を用いることで、選択的に上側の利得領域のみをエッチングし、一様な深さをもつ周期的な回折格子を形成することが可能となる。 （もっと読む）