【課題】リーク電流を低減することができる構成を備えた半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体レーザが、Ｐ型ＩｎＰ基板１と、Ｐ型ＩｎＰ基板１に、Ｐ型ＩｎＰクラッド層２と、ＡｌＧａＩｎＡｓ歪量子井戸活性層３と、Ｎ型ＩｎＰクラッド層４と、Ｐ型ＩｎＰ埋込み層５と、Ｎ型ＩｎＰ埋込み層６と、Ｐ型ＩｎＰ埋込み層７と、Ｎ型ＩｎＰ層８と、Ｎ型ＩｎＰコンタクト層９と、ＳｉＯ_２絶縁膜１０と、Ｎ型電極１１と、Ｐ型電極１２とを備えている。半導体レーザが、Ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２１を備える。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑制することが可能な埋め込みヘテロ構造の半導体レーザ等を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１Ａは、ｎ型半導体領域３ａとｐ型半導体領域７ａと半導体メサ５Ａと深部埋め込み層２０Ａを有する半導体埋め込み領域１９Ａとを備える。深部埋め込み層２０Ａは、第１高抵抗深部埋め込み層２１Ａを有し、ｐ型半導体領域７ａ及び半導体埋め込み領域１９Ａにはトレンチ３１ａ、３１ｂが形成されている。第１高抵抗深部埋め込み層２１Ａの伝導帯Ｅｃの下端のエネルギーレベルＥｃ２１は、ｎ型半導体領域３ａの伝導帯Ｅｃの下端のエネルギーレベルＥｃ３及び半絶縁性半導体埋め込み層２３の伝導帯Ｅｃの下端のエネルギーレベルＥｃ２３よりも低い、又は、エネルギーレベルＥｃ３及びエネルギーレベルＥｃ２３よりも高い。 （もっと読む）

【課題】電流を効率よく狭窄でき、且つマルチモード発振を抑制できるIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０は、ｎ型半導体領域１２と、活性層４４を含むアンドープ半導体層１４と、所定方向に延びる開口１６ａを有する電流狭窄層１６と、ｐ型半導体領域１８とを備える。電流狭窄層１６のバンドギャップは、ｐ型半導体領域１８のバンドギャップより大きい。ｐ型半導体領域１８は、上部光ガイド層３２及びクラッド層３３，３４を含む。アンドープ半導体層１４は、活性層４４上に設けられた上部光ガイド層４６を更に含む。電流狭窄層１６は、Ｉｎ_ｘ１Ａｌ_ｙ１Ｇａ_{１−ｘ１−ｙ１}Ｎ（０≦ｘ１≦０．５，０．５≦ｙ１≦１）からなる。電流狭窄層１６の厚さは、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。開口１６ａの幅は、１．３μｍ以上２．３μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】大面積で低コストな基板を用いながら、分極に起因する光学利得の低下が抑制された半導体レーザを提供する
【解決手段】基板上に、クラッド層２、７で挟持された活性層４を有する窒化物半導体レーザ。活性層は、基板の主面とは異なるように制御された面方位を有する領域を備え、制御された面方位を有する活性層領域の少なくとも一部を含むように光導波路が形成されている。例えば、基板は、底部基板１３とその主面上に形成された下地層１６とを備え、下地層は、底部基板の主面とは異なるように制御された面方位の領域を有し、下地層における制御された面方位の領域の上部に、制御された面方位を有する活性層領域が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い動作特性を維持しつつ、光学損傷を軽減し、信頼性の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１半導体層１０と、第２導電型の第２半導体層２０と、その間の発光層３０と、第１半導体層に接する第１電極４０と、第２半導体層に接する第２電極５０と、を備える。積層方向に垂直な第１方向で互いに対向する第１、第２端面Ｓ１、Ｓ２間で光が共振する。前記第２半導体層は、第１、第２端面との間に設けられ、第１方向及び積層方向に垂直な第２方向に沿った幅が、発光層の側よりも第２電極の側において狭いリッジ部ＲＰと、第１及び第２端面の少なくともいずれかに接して設けられ、第２電極の側における第２方向に沿った幅が、リッジ部よりも広い幅広部ＷＰと、を有す。幅広部の上の第２電極は、リッジ部の上の第２電極よりも、第２方向に沿った幅が狭い部分を有す。 （もっと読む）

【課題】閾値電流値を低減させ、光出射効率を高めた光半導体装置を得る。
【解決手段】（００１）面を主面とするＩｎＰ基板と、前記ＩｎＰ基板の主面上に形成され、第１導電型の下部ＩｎＰクラッド層と、前記下部ＩｎＰクラッド層上に形成された前記ＩｎＰクラッド層の幅よりも狭い幅を有するＡｌＧａＩｎＡｓを含む活性層と、前記活性層上に形成された前記下部ＩｎＰクラッド層と同幅の第２導電型の上部クラッド層とを有するストライプメサ構造と、前記ストライプメサ構造における前記活性層の側面に形成されるサイドバリア層と、を有し、前記ストライプメサ構造は［１１０］方向に延伸し、前記サイドバリア層は、Ａｌ組成が０．３２以上のＡｌＧａＩｎＡｓ、または、Ａｌ組成が０．４５〜０．５１のＩｎＡｌＡｓにより形成されたものであることを特徴とする光半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高い光学特性を有しながら、下層の結晶性層との選択エッチングを容易に行うことができる電流狭窄層を備えた、窒化物半導体素子を得ること。
【解決手段】一電導型の第１の窒化物半導体層（１０７）と、前記一電導型とは逆の二電導型、もしくは高抵抗のＡｌＩｎＮにより形成された第２の窒化物半導体層（１０８）とが直接積層されていて、前記第２の窒化物半導体層（１０８）に、前記第１の窒化物半導体層（１０７）が露出するような開口部（１１２）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低コスト化及び高出力化を図ることができるとともに、通電劣化を抑制することができるリッジ型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】
第１導電型クラッド層（３）と、第１導電型クラッド層（３）上に形成された活性層（４）と、活性層（４）上に形成され、平坦部と、前記平坦部から突出するように形成されたリッジ部を構成する凸部とを有する第２導電型クラッド層（５，６，７）と、前記凸部の側面上及び前記平坦部上に形成される電流ブロック層（９）とを備え、電流ブロック層（９）が窒化珪素からなり、電流ブロック層（９）の屈折率が１．８６以下であるリッジ型半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有する自励発振型の埋込型の窒化物半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子は、基板の上に形成された窒化物半導体からなる活性層１０６と、活性層１０６の上に形成され、活性層１０６に選択的に電流を流す開口部１０９ａを有する電流狭窄層１０９とを備え、開口部１０９ａと電流狭窄層１０９との実効屈折率差をΔｎとし、活性層１０６から発光するレーザ光のうち活性層１０６に閉じ込められるレーザ光の垂直方向の光閉じ込め率をΓｖとするとき、０．０４４＜Δｎ／Γｖ＜０．０６２の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】活性層へのｐ型不純物の拡散を抑え、利得、雑音指数の特性劣化が生じないようにする。
【解決手段】半導体素子を、ＩｎＰ基板１上に設けられ、活性層４を有するメサ構造６と、ｐ型不純物をドープした半導体材料からなり、メサ構造の両側を埋め込む第１埋込層７と、少なくとも活性層４の側面と第１埋込層７との間に設けられたＩｎ_１−ｘＧａ_ｘＰ（０＜ｘ≦１）ブロック層１２とを備えるものとし、Ｉｎ_１−ｘＧａ_ｘＰ（０＜ｘ≦１）ブロック層１２の膜厚を、臨界膜厚よりも薄く、かつ、ｐ型不純物の拡散長よりも厚くする。 （もっと読む）

【課題】光学破壊による端面劣化を抑制できるとともに低閾値電流な半導体レーザを歩留良く生産できる構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザにおいては、一方の端面から共振器方向の距離が２μｍ以内の位置の量子井戸活性層５０４のバンドギャップに相当する光の波長をλｗ（ｎｍ）とし、共振器長をＬとして、一方の端面から共振器方向の距離が（３／１０）Ｌ以上、（７／１０）Ｌ以下の位置の量子井戸活性層５０４のバンドギャップに相当する光の波長をλａ(ｎｍ)とし、共振器方向において、光の波長がλｗ＋２（ｎｍ）に相当するバンドギャップを有する量子井戸活性層５０４の位置から、光の波長がλａ−２（ｎｍ）に相当するバンドギャップを有する量子井戸活性層５０４の位置との間を遷移領域とし、遷移領域の長さをＬｔとしたとき、λａ−λｗ＞１５ｎｍであり、Ｌｔが２５μｍ未満となるものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体光素子において、高温動作時、または大電流駆動時におけるリーク電流の抑制が十分ではない。
【解決手段】 ＩｎＰからなる基板の上にメサストライプ形状の積層構造体が形成されている。積層構造体は、下部クラッド層、活性層、及び上部クラッド層を含む。積層構造体の両側の基板の上に、Ｉｎ及びＰを含む高抵抗の埋込層が配置されている。積層構造体の側面と埋込層との間に、ＩＩＩ族元素としてＡｌを含み、Ｖ族元素としてＰを含む化合物半導体からなる第１の被覆層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】内部に形成した電流狭窄層において、ｐ型窒化物半導体層から拡散されるｐ型の不純物によるｐ型転化を抑制して良好な電流狭窄特性を得る。
【解決手段】第３のｐ型光ガイド層１０から電流狭窄層９へのｐ型の不純物の拡散を考慮して、電流狭窄層９中にｎ型の不純物濃度が少なくとも１つのピークを持つように分布させる。これにより、ｎ型の不純物のピーク領域によって、拡散してくるｐ型の不純物を補償，捕獲して、電流狭窄層９のｐ型転化を抑制して、良好な電流狭窄特性を得る窒化物半導体装置の作成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】内部電流狭窄層を有する埋込型の窒化物半導体レーザ装置において、電気抵抗の上昇に伴う動作電圧の増大を抑制して、安定な動作特性が得られるようにする。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板１００上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０２、ｎ型ＧａＮ光ガイド層１０３、活性層１０４、ｐ型ＧａＮ光ガイド層１０５、ｎ型不純物を含むＡｌＧａＮ第１電流狭窄層１０６、ｎ型不純物を含むＡｌＧａＮ第２電流狭窄層１０７、ｐ型ＧａＮ第１再成長層１０８、及びｐ型ＡｌＧａＮ第２再成長層１０９が順次形成されている。第１電流狭窄層１０６はストライプ状の第１開口部１１１を有する。第２電流狭窄層１０７は、第１開口部１１１と接続し且つ活性層１０４から離れるに従って拡がっていく第２開口部１１２を有する。第１開口部１１１の側壁の基板主面に対する傾斜角は５８°よりも大きく、第２開口部１１２の側壁の基板主面に対する傾斜角は５８°以下である。 （もっと読む）

【課題】高信頼性と高電流注入効率とを同時に実現する面発光レーザ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、ｐ型半導体層領域とｎ型半導体層領域とに挟まれるとともに、上部ミラーと下部ミラーとの間に配置された活性層を有する面発光レーザ素子であって、前記ｐ型半導体層領域内に配置され、砒素およびリンの少なくとも一方と５％以下の組成比の窒素とを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、ｐ型の電流注入部と、該電流注入部および前記ｐ型半導体層領域よりも高濃度の水素を含む電流狭窄部とを有する電流狭窄層を備える。 （もっと読む）

【課題】ホールの注入を妨げる障壁の形成を回避可能であり量子細線の埋め込みを制御可能な構造を有する半導体レーザ及びこの半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザは、ｎ型半導体からなる第１クラッド層１３上に設けられた第１光閉じ込め層１５と、周期的に配列された複数の量子細線１７と、各量子細線１７の側面及び第１光閉じ込め層１５上に設けられた第１の部分と各量子細線の上面上に設けられた第２の部分とを有し、量子細線を埋め込む埋め込み半導体領域１９と、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰ半導体からなり埋め込み半導体領域１９上に設けられた第２光閉じ込め層２１とを備える。故に、埋め込み半導体領域１９は量子細線１７の上面上にも形成される。一方、埋め込み半導体領域１９はＡｌＩｎＡｓ半導体からなるので、ホールの注入を妨げる障壁とはならない。 （もっと読む）

【課題】動作電流が低く、高温出力時においても安定して発振する半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に設けられたｎ型クラッド層１２と、ｎ型クラッド層１２上に設けられた活性層１３と、活性層１３上に設けられたＡｌを含有する化合物であり、電流通路となるストライプ状のリッジ構造を有するｐ型クラッド層１４と、リッジ構造の上面を除くｐ型クラッド層１４の表面に設けられたＡｌを含有する化合物であり、Ａｌの組成比がｐ型クラッド層１４のＡｌの組成比以下である電流ブロック層１６と、電流ブロック層１６上に設けられ、レーザ発振波長に対して光を吸収する光吸収層１７とを備える。 （もっと読む）

本発明は、例えば電流閉じ込め層として機能する、Ｉｎ含有量量がゼロではないＡｌＩｎＮ層（７）を有するIII−窒化物複合デバイスに関する。ＡｌＩｎＮ層（７）は、その内部に規定される少なくとも１つの開口部を有する。ＡｌＩｎＮ層（７）は、その下にあるＧａＮ層などに対する格子不整合が少ないように成長され、その結果、デバイス内の付加的な結晶ひずみを抑制する。最適化された成長条件を用いて、ＡｌＩｎＮの抵抗率を１０^２Ω．ｃｍよりも高くする。その結果、より小さな抵抗率を有する層を、多層半導体デバイス内の電流ブロック層として用いるときに生じる電流の流れが、抑制される。結果として、ＡｌＩｎＮ層が開口部を有し、レーザーダイオードデバイス内に配置されると、デバイスの抵抗率は相対的に低くなり、デバイスの性能が向上する。
（もっと読む）

【課題】活性層にＡｌを含んでいなくても、より高い光出力を実用的な動作時間出すことができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】多重量子井戸活性層３は、２層の量子井戸層３ａと、各量子井戸層３ａの両側に設けられた障壁層３ｂと、ガイド層３ｃ，３ｄを有している。上記量子井戸層３ａはＩｎ_1-v1Ｇａ_v1Ａｓ_1-w1Ｐ_w1結晶からなり、障壁層３ｂはＩｎ_1-v2Ｇａ_v2Ａｓ_1-w2Ｐ_w2結晶からなる。ここで、ｖ１，ｖ２はｖ１＜ｖ２を満たし、ｗ１，ｗ２はｗ１＜ｗ２を満たす。また、障壁層３ｂはＧａＡｓ基板に対して引っ張り歪を有し、量子井戸層３ａはＧａＡｓ基板に対して圧縮歪を有する。ガイド層３ｃ，３ｄはＧａＡｓ基板に対して略格子整合し、隣接する障壁層の厚さよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】スペックルを抑制することの可能な半導体レーザ装置およびこれを用いたレーザモジュールならびに光学装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置１は、ストライプ状の複数のリッジ部１３を有する半導体レーザアレイ１０を、リッジ部１３側を下にしてヒートシンク１９上に備える。複数のリッジ部１３のうち、中央領域Ｇ１に配列されたリッジ部１３のストライプ幅は、端部領域Ｇ３に配列されたストライプ幅よりも大きくなっている。一方、各リッジ部１３上に設けられる電流注入層１４のストライプ幅は略一様であることが好ましい。合成光のスペクトル帯域幅を５ｎｍ程度にまで拡大できると共に、各リッジ部１３に対して均等な電流・電圧で駆動することができる。 （もっと読む）