【課題】発熱に起因する活性層の劣化を抑制することの可能な半導体レーザ素子、光電変換装置および光情報処理装置を提供する。
【解決手段】活性層を含むと共に上面に第１電極を有するメサ部と、前記メサ部を覆うと共に前記第１電極に達する第１接続孔を有する埋め込み部と、前記埋め込み部上に前記第１接続孔を跨がるよう設けられると共に前記第１接続孔を介して前記第１電極に電気的に接続された第１配線とを備えた半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】メサ構造の側面からの樹脂の剥離を抑制できる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光導波路層１１、クラッド層１２、コンタクト層１３、及びキャップ層１７を半導体基板２上に順次成長させる。エッチングマスク７０をキャップ層１７上に形成し、キャップ層１７に対してウェットエッチングを行う。少なくともコンタクト層１３及びクラッド層１２に対してドライエッチングを行い、メサ構造１４を形成する。メサ構造１４を覆う絶縁膜１５を形成する。半導体基板２上に樹脂を塗布することにより、メサ構造１４を誘電体樹脂層９によって埋め込む。メサ構造１４上の誘電体樹脂層９及び絶縁膜１５に対してエッチングを行い、キャップ層１７を露出させる。キャップ層１７を除去したのち、メサ構造１４上に電極５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】電極下に低誘電率の有機材料が挿入された構造であるにも関わらず、外力に対する破壊強度の低下を抑制して製造歩留まりを高めることができる半導体レーザを提供することにある。
【解決手段】光を出力する半導体レーザ部１０ａと、半導体レーザ部１０ａの出力側に設けられ、前記光を変調する光変調部１０ｂとからなる素子本体１０を、同一基板上に備え、光変調部１０ｂは、前記光が導波する光導波層と、前記光導波層に隣接して設けられ、低誘電率の有機材料から成る埋め込み層１２，１３と、埋め込み層１２，１３の表面に設けられた第一の絶縁膜１４と、第一の絶縁膜１４の上に設けられ、前記光導波層へ電気信号を給電する上部電極１６とを具備する半導体レーザであって、第一の絶縁膜１４の上面および上部電極１６の上面に第二の絶縁膜１７を設けた。 （もっと読む）

【課題】メサストライプ構造の光導波路を有するリッジ型の半導体光デバイスのレーザ活性層または光吸収層の特性を向上させる。
【解決手段】メサストライプ上に設けられた電極２９を、応力低減用スリット２９‐１によって光伝搬方向に少なくとも２つ以上の領域に分離することにより、レーザ活性層または光吸収層２４に加わる応力を低減し、さらに、必要に応じて当該電極２９のメサストライプ端部付近における分離領域のサイズを小さくすることで、特に応力が集中するメサストライプ端部付近の応力を低減させる。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を維持しながら光パワーモニタとしての機能を併せ持つ光パワーモニタ集積ＤＦＢレーザを提供する。
【解決手段】分布ブラッグ反射領域が集積された半導体レーザにおいて、前記半導体レーザの導波路の活性層が細線構造を有し、前記分布ブラッグ反射領域の吸収電流により前記半導体レーザの出力をモニタすることとした。 （もっと読む）

【課題】 従来の導波路型光フィルターと比較して、小型化及び低コスト化を図ることができる導波路型光フィルターを提供するものである。
【解決手段】 導波路型光フィルターは、１×３型マルチモード干渉導波路４ａと、３×１型マルチモード干渉導波路５ａの入力ポートに一端が接続される１本の入射光導波路１ａからなる第１の光導波路群１と、１×３型マルチモード干渉導波路４ａの出力ポートに一端が接続される３本の光導波路（直線導波路２ａ、第１の曲線導波路２ｂ、第２の曲線導波路２ｃ）からなる第２の光導波路群２と、を備え、第２の光導波路群２のうち、一の光導波路の長さが、他の光導波路の長さと異なる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体結晶中への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】メサ構造を埋め込む埋め込み部のメサ構造部からの剥離を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ構造部２１を備えた光半導体素子と、メサ構造部２１を少なくとも側方から埋め込む埋め込み部２２と、メサ構造部２１に接続された電極２３と、が設けられている。埋め込み部２２には、メサ構造部２１の側方に形成された第１の有機絶縁膜８と、第１の有機絶縁膜８よりもメサ構造部２１から離間して形成された第２の有機絶縁膜１１と、第１の有機絶縁膜８と第２の有機絶縁膜１１との間に形成された無機絶縁膜１０と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】時間ジッタが小さいパルスレーザ光を出力できるモード同期半導体レーザを提供すること。
【解決手段】化合物半導体からなる基板上に、ささやき回廊モード共振器が外周部を有し、該外周部の内側を光が周回するように構成した化合物半導体製のささやき回廊モード共振器と、前記ささやき回廊モード共振器に直接、もしくは間接的に接続し、光増幅利得を有する化合物半導体製の光増幅部と、前記ささやき回廊モード共振器に直接、もしくは間接的に接続し、該ささやき回廊モード共振器に光を入出力する化合物半導体製の光導波路とを有し、前記ささやき回廊モード共振器と前記光増幅部と光導波路がモノリシックに集積され、モード同期によりパルスレーザ光を発振するモード同期の手段を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化層狭窄型の面発光レーザにおいて、ＤＢＲミラー内の酸化部分を効果的に除去し、面発光レーザの信頼性を向上させる。
【解決手段】メサポスト３８内に形成された上部ＤＢＲミラー２２のペア層のうち、低屈折層を構成するＡｌ組成が高いＡｌＧａＡｓ層４２の酸化部分をウェットエッチングによって除去する。エッチングで除去された部分４３は、ポリイミド層２６によって埋め戻す。ウェットエッチングには、フッ酸や、バッファード・フッ酸、アンモニア水などを含むエッチャントを用いる。 （もっと読む）

【課題】 放熱特性の低下を抑制しながら、動作速度を十分に向上させることができ、かつ、ヒートシンクを装着する場合にリーク電流が発生しにくい半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子は、ｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成されたＭＱＷ活性層５と、ＭＱＷ活性層５上に形成され、平坦部と平坦部から突出するように形成されたリッジ部を構成する凸部とを有するｐ型クラッド層７とを備えている。そして、ｐ型クラッド層７の凸部近傍に位置する部分には、第１電流ブロック層９のみが形成されており、凸部近傍以外に位置する部分の平坦部上には、第１電流ブロック層９および第２電流ブロック層１０からなる積層膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 再現性よく目標位置に端面を形成することができ、かつ光ファイバとの結合効率の低下を抑制することができる光半導体素子を提供する。
【解決手段】 相互に反対方向を向く一対の端面(15A,15B)を有する半導体基板の上に、活性層(18)が形成されている。活性層の上に、活性層の屈折率よりも小さな屈折率を持つ上側クラッド層(19)が形成されている。半導体基板の一方の端面から他方の端面まで延在し、両端に端部領域(22B)が画定され、内部に分布帰還領域(22A)が画定された導波路領域(22)の、該分布帰還領域の両側の上側クラッド層内に、回折格子(25)が配置されている。導波路領域の端部領域の各々の両側の上側クラッド層内に、上側クラッド層の屈折率よりも低い屈折率を持つ低屈折率領域(26)が配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザにおいて、比較的高い放射品質を提供すると同時に電気特性も向上させる。
【解決手段】半導体レーザ１には、電磁放射を発生させるための活性領域３を含む半導体層列２と、高次のモードを減衰させるための吸収領域４が設けられており、この吸収領域４は半導体層列２内に配置されているかまたは半導体層列２に接している。 （もっと読む）

【課題】ダミー素子を用いずに基板の面内方向におけるエッチング深さの差を低減可能な面発光レーザアレイを提供する。
【解決手段】面発光レーザアレイは、各々が面発光レーザ素子１の構造からなる複数の面発光レーザ素子を備える。面発光レーザ素子１において、反射層１０２は、４０．５周期の［ｎ−ＡｌＡｓ／ｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ］からなり、共振器スペーサー層１０３，１０５の各々は、（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。活性層１０４は、ＧａＩｎＰＡｓからなる井戸層と、Ｇａ_０．６Ｉｎ_０．４Ｐからなる障壁層とを含む量子井戸構造からなる。さらに、反射層１０６は、２４周期の［ｐ−Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓ／Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ］からなる。そして、メサ構造体の底面は、反射層１０６におけるエッチング深さの差を吸収する共振器スペーサー層１０３の途中に位置している。 （もっと読む）

【課題】発光効率を高める。
【解決手段】半導体基板上に形成されたＮ型クラッド層２と、Ｎ型クラッド層２上に形成された障壁層３と、障壁層３上に形成され、バンドギャップが障壁層３よりも小さい量子ドット５ａと、バンドギャップが量子ドット５ａよりも大きく、量子ドット５ａの側面を覆う埋め込み層６と、を有する量子ドット層５と、量子ドット層５上に形成され、バンドギャップが障壁層３よりも小さいＰ型半導体層７と、Ｐ型半導体層７上に形成され、バンドギャップが量子ドット５ａとＰ型半導体層７よりも大きい障壁層８と、障壁層８上に形成されたＰ型クラッド層９が設けられるため、Ｐ型半導体層７で発生するホールの、障壁層８または埋め込み層６への流れが妨げられる。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子を形成する活性層の材料系を問わず、経時的に発振波長が変動しない高信頼性を有するＤＷＤＭ光伝送用レーザと、高速動作が可能な低容量な外部変調器とを両立する変調器集積レーザを高歩留・低コストで実現する。
【解決手段】レーザ部と変調器部のメサ構造を異なる構造にする。すなわち、レーザ部はメサ周囲が空気であるリッジ導波路構造、変調器部はメサ周囲を有機絶縁物で埋め込んで平坦化したリッジ導波路構造とする。 （もっと読む）

【課題】放射角の狭い放射パターンのレーザ光を得ることのできる面発光レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る面発光レーザ１００は、第１ミラー１０２と、第１ミラーの上方に形成された活性層１０３と、活性層の上方に形成された第２ミラー１０４と、第２ミラーの上方に形成された熱レンズ層１１０と、を含み、熱レンズ層の温度分布は、熱レンズ層に入射する光の中心軸から外側に向かって低くなっている。 （もっと読む）

【課題】基準値以上の寿命を有する面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子１０は、基板１と、反射層２，６と、共振器スペーサー層３，５と、活性層４と、選択酸化層７と、コンタクト層８と、パッシベーション膜９と、配線電極１１と、ｎ側電極１２とを備える。反射層２、共振器スペーサー層３と、活性層４、共振器スペーサー層５、反射層６、選択酸化層７およびコンタクト層８は、順次、基板１上に積層される。そして、活性層４、共振器スペーサー層５、反射層６、選択酸化層７およびコンタクト層８は、メサ構造体２０を構成する。パッシベーション膜９は、メサ構造体２０に接して形成され、配線電極１１は、コンタクト層８の一部およびパッシベーション膜９上に形成され、ｎ側電極１２は、基板１の裏面に形成される。パッシベーション膜９は、−６×１０^４ｄｙｎ／ｃｍの全応力を有する。 （もっと読む）

【課題】機械的強度の低下を招くことなく、高周波特性にすぐれた垂直共振型面発光半導体レーザを提供する。
【解決手段】配線１１３及びボンディングパッド１１４の下（−Ｚ側）に位置する、ｐ型上部ＤＢＲ１０７（ＡｌＡｓ層１０６を含む）、上部スペーサ層１０５、多重量子井戸活性層１０４、及び下部スペーサ層１０３をエッチングで除去し、ポリイミド１１１を埋め込んで平坦化する。ポリイミドの誘電率は、各半導体層の約３分の１と小さい値であり、配線１１３及びボンディングパッド１１４とｎ側オーミック電極１１５との間に、低誘電率の絶縁性誘電体が数μｍと厚く設けられることになる。 （もっと読む）

【課題】 半導体光素子に関し、特に極めて簡易な作製法で実現可能な信頼性の高く、且つ低しきい値電流で高温動作に優れたリッジ導波路型光素子、特に半導体レーザの素子構造及びその作製方法を提供すること。
【解決手段】 量子井戸構造を有する光学的活性領域（例えば、レーザ活性領域）の障壁層に不純物を添加して、活性層内のキャリアの横方向拡散を低減するリッジ導波路型光素子（半導体レーザ）を構成する。この変調ドープ多重量子井戸活性層構造を有するリッジ導波路型光素子を用いた光送信モジュールおよび光通信システムに応用する。
【効果】 半導体発光素子の素子性能、歩留まりを飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光モジュール、光通信システムの高性能化、低コスト化を容易に実現できる。 （もっと読む）