【課題】一般に市場に出回っている安価なＳＯＩウェハを用いて直接遷移化して発光するゲルマニウム発光素子、あるいはゲルマニウム単結晶に大きな伸長歪みを印加することなく、良好な発光特性を有するゲルマニウム発光素子、あるいはレーザ発振のためのしきい値電流を低減することが出来るゲルマニウム発光素子を提供する。
【解決手段】（１００）面、もしくは（１１０）面、またはそれらと結晶学的に等価な面方位を表面に持つゲルマニウム層が絶縁体上に設けられた薄膜レーザ・ダイオード、あるいは、発光部として基板方向に垂直に形成された薄膜状のゲルマニウム・フィンを備え、該発光部は（１００）面または（１１０）面、もしくはそれと結晶学的に等価な面方位をを表面に持ち、一つまたは複数の発光層を有するゲルマニウム・レーザ・ダイオードであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発熱に起因する活性層の劣化を抑制することの可能な半導体レーザ素子、光電変換装置および光情報処理装置を提供する。
【解決手段】活性層を含むと共に上面に第１電極を有するメサ部と、前記メサ部を覆うと共に前記第１電極に達する第１接続孔を有する埋め込み部と、前記埋め込み部上に前記第１接続孔を跨がるよう設けられると共に前記第１接続孔を介して前記第１電極に電気的に接続された第１配線とを備えた半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ（ストライプ状の活性層）が高密度に配置された半導体レーザを提供すること。
【解決手段】互いに離間してストライプ状に設けられた、複数の活性層１０と、活性層１０のそれぞれに対応して、活性層１０の上側に設けられた複数の電極１２と、半導体からなり、活性層１０の間の領域にそれぞれに設けられ、電極１２よりも高い位置にその上面が位置する支持部４０と、複数の電極１２のうち１つと電気的に接続されるとともに、複数の支持部４０によって支えられて、当該複数の支持部４０の間に位置する電極１２と離間した構造を備える配線１６と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】高い単一基本モード出力で偏光安定性をもち、等方性の高いビーム断面形状で、ビーム発散角の小さく、高い歩留で安定して製造することができる面発光レーザを提供する。
【解決手段】 面発光レーザアレイの各発光部は、ｚ軸方向からみたとき、射出領域が、中心部を含み相対的に反射率が高い第１半導体表面構造体領域１１６Ｂと、相対的に反射率の低い第２半導体表面構造体領域１１６Ａとを有している。そして、各発光部における電流狭窄領域１０８ｂの形状は、ｚ軸方向からみたとき、ｙ軸方向に平行で中心を通る長さが、ｘ軸方向に平行で中心を通る長さよりも短い形状である。また、各発光部における第１半導体表面構造体領域１１６Ｂの形状は、ｚ軸方向からみたとき、ｙ軸方向に平行で中心を通る長さが、ｘ軸方向に平行で中心を通る長さよりも長い形状である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子をＯｐｅｎ−Ａｉｒパッケージで動作させた場合においても、電圧上昇を引き起こすことなく、安定に長時間動作することができる窒化物半導体発光素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板であるｎ型ＧａＮ基板１０１と、ｎ型ＧａＮ基板１０１上に形成されたｐ型窒化物半導体層を含む窒化物半導体層とを備え、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層１０８と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層１０８の下のｐ型ＡｌＧａＩｎＮクラッド層１０７と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮ層１０６からなるｐ型窒化物半導体層に形成された電流注入領域の上方に、窒化シリコン膜から構成される保護膜１１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた、Ａｌを含む化合物とその酸化絶縁物とを有する電流狭窄層を備える面発光レーザを提供する。
【解決手段】電極１２１と電極１３１との間に流れる電流の経路を制限する電流経路制限層であって電流注入部１１０ａと電流狭窄部１１０ｂとを有する電流狭窄層１１０の両側に擬似的組成傾斜層１０９、１１１を設ける。擬似的組成傾斜層１０９、１１１を複数の半導体層１７１〜１７５で形成し、半導体層１７１〜１７５の各層をＧａＡｓ層１７１ａ〜１７５ａとＡｌＧａＡｓ層１７１ｂ〜１７５ｂとでそれぞれ形成し、ＧａＡｓ層１７１ａ〜１７５ａとＡｌＧａＡｓ層１７１ｂ〜１７５ｂの膜厚比を変化させることによって、平均的Ａｌ組成が変化する擬似的組成傾斜層１０９、１１１を構成する。 （もっと読む）

【課題】集積型の半導体レーザ装置において、各々のレーザ素子が有する発光点の相対的な位置関係が、チップ毎にばらつくのを抑制することが可能な集積型半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置１００の製造方法は、第１半導体レーザ素子層を有する第１半導体レーザ素子基板Ｓ１に第１光導波路Ｌ１を形成する工程と、第１半導体レーザ素子基板Ｓ１と第２半導体レーザ素子層を有する第２半導体レーザ素子基板Ｓ２とを接合する工程と、この接合する工程の後に、第２半導体レーザ素子層に第２光導波路Ｌ２を形成する工程とを備え、第１半導体レーザ素子基板Ｓ１は、ｎ型ＧａＮ基板１１の表面１１ａ上に第１半導体レーザ素子層を有し、第２半導体レーザ素子基板Ｓ２は、ＧａＡｓ基板５１の表面５１ａ上に第２半導体レーザ素子層を有し、第１光導波路Ｌ１は、第１半導体レーザ素子層に形成され、第２光導波路Ｌ２は、第２半導体レーザ素子層に形成される。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、放熱性に優れる高出力の半導体レーザ装置を提供する
【解決手段】活性層と、活性層上のｐ型半導体層と、ｐ型半導体層を掘り込んで形成される一対の溝部と、ｐ型半導体層に形成され、一対の溝部に挟まれるリッジ形状のストライプと、溝部を埋め込む絶縁物の埋め込み層を備え、溝部の底面がストライプから離れるに従い浅くなることを特徴とする半導体レーザ装置 （もっと読む）

【課題】酸化絶縁物による電流狭窄構造を有するストライプ状リッジ構造の半導体レーザにおいて、酸化絶縁物による電流狭窄構造部分からクラック等が発生するのを防止または抑制する。
【解決手段】基板１０と、基板内の活性層１４と、基板に設けられた第１および第２の溝４２、４４と、溝４２と４４の間に形成されＡｌ含有化合物半導体を含む層を有するリッジ４６とを備え、Ａｌ含有化合物半導体を含む層は、第１の溝の全周囲にわたって設けられた酸化絶縁物２０と、第２の溝の全周囲にわたって設けられた酸化絶縁物２０と、リッジ内の両側の酸化絶縁物２０に挟まれたＡｌ含有化合物半導体と、を有し、リッジ内において、両側の酸化絶縁物２０により電流狭窄構造を形成し、基板の端面には酸化絶縁物２０は露出しない。 （もっと読む）

【課題】簡素な製造工程により、光検出精度を高めることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】活性層２２および半導体光検出素子１の間に、電流狭窄のための第１酸化層４１とは別に、一層以上の第２酸化層４２を設ける。自然放出光は発散成分が多いので、第２酸化層４２によって反射散乱されて、半導体光検出素子１側への伝播が抑えられる。半導体光検出素子１による自然放出光の検出レベルが低減され、光検出精度が高まる。第１酸化層４１と第２酸化層４２とを一回の酸化工程で形成することが可能となり、製造工程の簡素化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】メサ構造を埋め込む埋め込み部のメサ構造部からの剥離を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ構造部２１を備えた光半導体素子と、メサ構造部２１を少なくとも側方から埋め込む埋め込み部２２と、メサ構造部２１に接続された電極２３と、が設けられている。埋め込み部２２には、メサ構造部２１の側方に形成された第１の有機絶縁膜８と、第１の有機絶縁膜８よりもメサ構造部２１から離間して形成された第２の有機絶縁膜１１と、第１の有機絶縁膜８と第２の有機絶縁膜１１との間に形成された無機絶縁膜１０と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザにおいて、高出力化のためのＣＯＤ抑制とキンク抑制とを両立する。
【解決手段】半導体レーザ素子１００において、第１導電型半導体基板１０１上に、第１導電型クラッド層１０２と、量子井戸構造の活性層１０３と、第１の第２導電型クラッド層１０４と、第２導電型エッチングストップ層１０５と、リッジストライプ形状の第２の第２導電型クラッド層１０６と、第２導電型コンタクト層１０７とが順次積層されている。前端面１４０及び後端面１４１を有する共振器の一対の共振器端面部において、第２の第２導電型クラッド層１０６から活性層１０３までＺｎが拡散された端面窓領域１２０及び１２１が形成されている。後端面の端面窓領域１２１における活性層１０３の発光波長は、前端面の端面窓領域１３０における活性層１０３の発光波長よりも長波長である （もっと読む）

【課題】トンネル接合を特性を劣化させずに、良好な発光特性を提供できる、垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の主面１１ａ上に第１の分布ブラッグ反射器１３を作製する。分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１３上に、第１のｎ型スペーサ半導体層１５、活性層１７、及びｐ型スペーサ層１９を成長する。次いで、原料ガス及び炭素ドーパントを成長炉１０に供給しトンネル接合のためのｐ型高濃度半導体層２１をｐ型スペーサ半導体層１９上に成長する。ｐ型高濃度半導体層２１を成長した後に、ｐ型高濃度半導体層２１の熱処理２５を行う。熱処理２５を行った後に、原料ガス及びｎ型ドーパントを成長炉１０に供給して、トンネル接合のためのｎ型高濃度半導体層２７を成長する。熱処理温度Ｔ_ＴＨは摂氏５００度〜６００度の範囲である。 （もっと読む）

【課題】クラッド層において発生する応力を抑制して、スロープ効率及びキンクレベルを向上し、ＦＦＰに乱れがないようにする。
【解決手段】上部にリッジ構造を有するクラッド層１６を含むストライプ状のリッジ導波路と、少なくともリッジ導波路の側面上に形成され、光に対して透明な第１の電流ブロック層１８と、リッジ部の側面から間隙をおき、クラッド層１６の平坦部の上で且つリッジ部の両側に形成された光吸収性を有する第２の電流ブロック層１９と、第１の電流ブロック層１８及び第２の電流ブロック層１９の上に形成された第３の電流ブロック層２２とを備えている。第１の電流ブロック層１８、第２の電流ブロック層１９及び第３の電流ブロック層２２の熱膨張係数をそれぞれη１、η２及びη３とし、窒化ガリウムの熱膨張係数をηｇとすると、ηｇ＞η１、ηｇ＞η２及びηｇ＜η３とする。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりが高い一次元アレイ素子の製造方法および信頼性が高い一次元アレイ素子を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料からなる一次元アレイ素子の製造方法であって、エピタキシャル成長を用いて、主表面として（１００）面を有する基板の該主表面上に、素子領域中の一部に活性領域を有する単一素子を＜０１１＞方向に対してゼロよりも大きい角度をなす配列方向に複数配列して構成した一次元アレイ素子を複数形成し、該形成した一次元アレイ素子を素子分離する。 （もっと読む）

【課題】装置の高出力化と低コスト化とを両立することが可能な光源装置を提供する。
【解決手段】発光部１１と、発光部１１を駆動するための一対の電極１３、１５と、発光部１１の射出端面から射出された光の一部を反射させる外部共振器と、を備える。発光部は、光を発する活性層１４４と、内部共振器と、所定の波長の光を回折させる回折光学層１４５、１４６とを有する。外部共振器は、所定の波長の光を反射させる外部ミラーを有する。活性層１４４から発せられた光をレーザー発振させるレーザー共振器が、内部共振器、外部共振器及び回折光学層により構成される。 （もっと読む）

【課題】埋込み層を安定して良好な形状に形成することが可能な半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】絶縁層５１をマスクとした１回目のドライエッチングにより、第１の側壁２１を形成すると共に、第１の側壁２１に保護膜５２を形成する。絶縁層５１および保護膜５２をマスクとした２回目のドライエッチングにより、第２の側壁２２を形成する。絶縁層５１、保護膜５２および第２の側壁２２の上に誘電体膜を形成し、リフトオフにより、突条部２０の両側に、第２の側壁２２に接触すると共に第１の側壁２１とは離間した埋込み層を形成する。 （もっと読む）

【課題】一般的な埋込型構造及びリッジ型構造の量子井戸型半導体レーザでは実現されなかった、低い閾値の電流特性を有し、かつ、低コスト化を可能とする半導体レーザの提供。
【解決手段】活性層に引張り歪を印加した量子井戸型半導体レーザであって、光導波路領域の外側をエッチングにより切り出し、その両側を、絶縁性のパッシベーション膜で成膜することによって形成される量子井戸型半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】 ３つ以上の光素子部をバットジョイント集積する集積光素子の製造方法において、バットジョイント接続部近傍の膜厚不均一性や、バットジョイント接続部近傍の多重量子井戸構造における結晶欠陥の発生を抑制し、光損失の少なく光結合効率の高い集積光デバイスを実現する手法を提供する。
【解決手段】 ２回以上のバットジョイント技術を用いて３つ以上の光素子部を次々と継ぎ足していく要領で集積する集積光デバイスの製造方法において、第二のバットジョイントプロセスに用いる誘電体マスクパターンの形状を、先端部が細くなった形状とする。 （もっと読む）

【課題】遠視野像の形状を悪化させることなく、十分に強いセルフパルセーション動作を行うことができ、低雑音のレーザ光を安定して得ることができ、しかも製造が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】クラッド層にリッジストライプ１１を有する半導体レーザにおいて、リッジストライプ１１の両側面およびリッジストライプ１１の両側の底面に延在して電流狭窄用絶縁膜１４を設ける。電流狭窄用絶縁膜１４のうちの両共振器端面の近傍の部分以外の部分に、リッジストライプ１１の部分のレーザ構造の等価屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率絶縁体を含ませる。例えば、リッジストライプ１１の両側の底面に高屈折率絶縁膜１４ａを形成する。 （もっと読む）