【課題】緩和振動周波数の温度による変化が小さい光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、活性層２４を有するメサ部２０と、メサ部２０を埋め込む埋め込み層３０と、を備え、埋め込み層３０は、活性層２４の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ活性層２４の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域３３を有し、屈折率調整領域３３は、埋め込み層３０の高さ方向において、活性層２４と少なくとも一部が重なる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】発光素子と受光素子とが一体化された発光素子・受光素子組立体を提供する。
【解決手段】発光素子・受光素子組立体１０は、凸部から成る第１の台座２３が第１面２１に設けられた実装用基板２０、第１の台座２３上に第１面が固定された受光素子３０、並びに、発光素子４０を備え、発光素子３０から出射された光は、受光素子の光通過部３４、第１の台座２３及び実装用基板２０を介して外部に出射され、外部から入射する光は、実装用基板２０及び第１の台座２３を介して受光素子３０に入射し、受光素子３０の第２面３２には、凸部から成る環状の第２の台座３３が設けられており、発光素子４０は第２の台座３３上に固定されている。 （もっと読む）

【課題】埋め込みヘテロ構造を有する半導体光素子において、寄生容量が軽減される構造にすることにより、特性がさらに向上される半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、及び、光伝送装置の提供。
【解決手段】 出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、 前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】利得波長の短波長シフトを抑制できるとともに、多重量子井戸構造の設計の自由度が高い光半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体からなり、主障壁層の間に井戸層が介挿された量子井戸構造を複数有する多重量子井戸構造を備えた光半導体装置において、前記主障壁層と前記井戸層との間に、前記主障壁層と略同一のバンドギャップエネルギーと、前記井戸層と同じＶ族組成とを有するように成長させた極薄障壁層を備える。 （もっと読む）

【課題】厳しい温度制御が必要なＥＡ／ＬＤを使うことなく、簡便な温度制御でＧＥ−ＰＯＮと１０ＧＥ−ＰＯＮとにおいて高速光信号を送受信可能な、小型で低消費電力の双方向光通信モジュールを提供する。
【解決手段】双方向光通信モジュール１は、波長λ１の信号光を送信する第１ＬＤ素子３と、波長λ１の信号光より伝送速度が高い波長λ２の信号光を送信する第２ＬＤ素子４と、波長λ３の信号光を受信するＰＤ素子２を備えるものであって、第１ＬＤ素子３の信号光の光強度をモニタする第１モニタＰＤ素子５と、第２ＬＤ素子４の信号光の光強度をモニタする第２モニタＰＤ素子６と、第２ＬＤ素子４の信号光を「１」レベルの波長光と「０」レベルの波長光とに分波する分波フィルタ１１と、「０」レベルの波長光の光強度をモニタする第３モニタＰＤ素子７と、を備え、分波フィルタ１１の分波特性が調整可能とされている。 （もっと読む）

【課題】上部クラッド層における電流の閉じ込め及び電界の閉じ込めを良好にすることが可能な半導体光素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板ＳＢと、半導体基板ＳＢ上に設けられた半導体メサストライプＭと、半導体メサストライプＭを埋め込む埋込層３０と、半導体メサストライプＭと埋込層３０との間に設けられ、誘電体材料からなる中間層２０とを備え、下部クラッド層Ｃ１は第１ドーパントの添加により第１導電型を示し、上部クラッド層Ｃ２は第２ドーパントの添加により第２導電型を示し、埋込層３０は第３ドーパントの添加により半絶縁性を示し、中間層２０は上部クラッド層Ｃ２の側面Ｆ１と埋込層３０との間に設けられ、中間層２０は上部クラッド層Ｃ２の側面Ｆ１に接し、埋込層３０は下部クラッド層Ｃ１の側面Ｆ３及びコア層１０の側面Ｆ４に接している半導体光素子１。 （もっと読む）

【課題】波長依存性の少ない光利得が得られる反射型半導体光増幅器を得る。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に形成された光導波路となる第１の領域と第２の領域とを有する活性層と、前記第２の領域に沿って形成されており、第１の波長の光を反射する第１の部分と、前記第１の波長の光よりも光利得の低い第２の波長の光を反射する第２の部分とを反射させる反射部と、を有し、前記第１の部分は前記第２の部分よりも前記第１の領域側に形成されている反射型半導体光増幅器により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】埋込半導体層の形成において異常成長の発生を低減可能な、III−Ｖ化合物半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の埋込半導体層３５は、マスク２９を用いて半導体メサ３３の側面３３ｂ及び基板１３の表面１３ｂ上に成長される。半絶縁性のためのドーパント及び原料を成長炉１０ｃに供給して、マスク２９を用いて第１の半絶縁埋込層３５上に第２の埋込半導体層３７を成長する。第２の埋込半導体層３７の成長は、第１の埋込半導体層３５と異なり、ハロゲンを含む雰囲気を用いる。このハロゲンとして、ＨＣｌ、ＨＢｒ及びＨＩの少なくともいずれか一つを含むガスを用いる。埋め込み時にＨＣｌを添加すると[１１０]方向の成長が[００１]方向の成長より遅くなる。 （もっと読む）

【課題】光短パルスの発振スペクトル幅及び時間波形を安定的に外部制御可能な半導体パルスレーザを提供する。
【解決手段】本発明の半導体パルスレーザは、所定の波長域に対して利得を有する利得領域１３と、利得領域１３と光学的に結合した第１反射鏡領域１１及び反射鏡領域１２と、を備え、第１反射鏡領域１１は、第１反射スペクトルを生じさせる第１回折格子２１を有し、第２反射鏡領域１２は、第２反射スペクトルを生じさせる第２回折格子２２を有し、第１反射スペクトルと第２反射スペクトルが重なった波長範囲で多モード発振するように、第１回折格子２１と第２回折格子２２が構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】広帯域において良好な光送信波形品質が得られる状況を維持しつつ、光送信モジュールの小型化が可能な光送信機及び光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール２は、半導体レーザダイオード素子１０と、光変調器素子１２と、第１の終端抵抗回路１４−１と、を備える。プリント回路基板４は、ドライバＩＣ１６と、第２の終端抵抗回路１４−２と、を備える。第１の終端抵抗回路１４−１の低域遮断周波数と、第２の終端抵抗回路１４−２の高域遮断周波数と、が対応し、第１の終端抵抗回路１４−１の透過周波数帯域におけるインピーダンスと、第２の終端抵抗回路１４−２の透過周波数帯域におけるインピーダンスと、が対応するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＰ基板を用いたＳＩ−ＢＨ構造において、メサと埋込層との間のＩｎＧａＰ障壁層のＧａ組成比が大きくなると、伝導帯のポテンシャル障壁は高くなるが、格子不整合が大きくなってしまう。ＡｌＧａＩｎＡｓは、価電子帯にポテンシャル障壁を形成しないため、正孔のリークを防止することができない。
【解決手段】 半導体基板の上に、活性層と上部クラッド層とを含むメサ構造体が形成されている。メサ構造体の両側に、半導体埋込層が形成されている。メサ構造体の側面と、半導体埋込層との間に障壁層が配置されている。障壁層は、第１の層と第２の層とを含む。第１の層の価電子帯上端の正孔のエネルギ準位が、上部クラッド層及び第２の層の価電子帯上端の正孔のエネルギ準位のいずれよりも高い。第２の層の伝導帯下端の電子のエネルギ準位が、上部クラッド層及び第１の層の伝導帯下端の電子のエネルギ準位のいずれよりも高い。 （もっと読む）

【課題】変調器領域とレーザ領域とをバットジョイント接合させることにより、導波路幅の設計の自由度が高められ、変調器領域に曲がり導波路構造が設けられることにより、レーザ光の出射端面での反射率が低減され、及び、実装用マーカを直線状パターンにすることにより、精度の良い角度合わせをする。
【解決手段】変調器領域２２とレーザ領域２４とがバットジョイント接合された半導体基板と、レーザ領域に形成された半導体レーザと、変調器領域に形成された曲がり導波路と、変調器領域に形成された実装用マーカ７４とを備えていて、実装用マーカが直線パターンで形成されている。 （もっと読む）

【課題】バットジョイント構造を用いず、半導体構造からなる共振器を内蔵する半導体レーザ及びこの半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザは、第１光閉じ込め層１５と、第１のエリア上に設けられた複数の第１の量子細線１７及び埋め込み半導体領域２３と、第２のエリア上に設けられた複数の第２の量子細線１９及び埋め込み半導体領域２５と、第３のエリア１５ｃ上に設けられた活性層２１と、第２光閉じ込め層３１とを有する。第１の量子細線１７と埋め込み半導体領域２３とは、第１の分布ブラッグ反射器１８を構成し、第２の量子細線１９と埋め込み半導体領域２５とは、第２の分布ブラッグ反射器２０を構成する。これらの分布ブラッグ反射器により、活性層２１の長さを共振器長とするＤＢＲレーザが形成される。 （もっと読む）

【課題】変調器を接続することによる光学部品間の結合損失やサイズがかさばるといった問題を抑制し、安定して光信号の変調が可能である高性能な外部共振器型波長可変タイプのレーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る波長可変レーザ２０は、外部共振器１９、一方端で外部共振器１９に隣接され他方端をレーザ光出射端部とする半導体素子１８を備え、半導体素子１８は一方端側に設けられた位相調整領域１７、位相調整領域１７のレーザ光出射端部側に設けられた利得領域１６、利得領域１６のレーザ光出射端部側に設けられた広帯域反射ミラー１５、広帯域反射ミラー１５のレーザ光出射端部側に設けられたＥＡ変調領域１４を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】キャリア・オーバーフローを抑制することにより、高温動作を可能とする半導体発光素子を提供する。
【解決手段】活性層１３とｐ型クラッド層１５との間に設けられたｐ型ガイド層１４が、ＩＩＩ族元素としてＢ（ホウ素）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、具体的には、ｐ型ＢＩｎＰ、ｐ型ＢＧａＡｓまたはｐ型ＢＡｌＰにより構成されている。これにより、ｐ型ガイド層１４において、ＩＩＩ族元素としてＢを含まない場合と比べて電子の有効質量が大きくなる。 （もっと読む）

【課題】外周部分のクラッド層とコア層の屈折率差をフォトニックバンドギャップの形成に十分な大きさとし、活性部分のクラッド層の抵抗を下げた、波長が１．３μｍおよび１．５５μｍの半導体レーザを提供する。
【解決手段】光を発生する活性部分と、発生した光からレーザ光を得るための共振器の外周部分とを同一基板上に形成する。基板１１はＩｎＰ基板である。活性部分は、ＡｌＩｎＡｓまたはＡｌＧａＩｎＡｓからなる第１導電型のクラッド層１２と、ＡｌＧａＩｎＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰからなる活性層を含むコア層２１と、ＡｌＩｎＡｓまたはＡｌＧａＩｎＡｓからなる第２導電型のクラッド層１７とを有する。外周部分は、第１導電型のクラッド層を酸化した第１のクラッド層２２と、コア層２７と、第２導電型のクラッド層を酸化した第２のクラッド層２５とを有する。外周部分に、所定の周期で複数の空孔２６が配列された２次元フォトニック結晶を形成する。 （もっと読む）

【課題】室温でも発振可能な、高い信頼性を有するフォトニック結晶面発光レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１では、サブバンド間遷移を用いた活性層である量子カスケード活性層４と、第１導電型の半導体層としてのｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７とを備える。ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５は、量子カスケード活性層４を挟むように配置される。フォトニック結晶層７は、ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と積層され、量子カスケード活性層４と独立している。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザおよびＥＡ変調器を含む半導体光素子を基板上に作製する方法において、異常成長を低減して半導体の曲がりを小さくすること。
【解決手段】第１半導体部１９のエッチング端面１９ａを形成した後に、ＥＡ変調器のための活性層２７を成長するに先立つ半導体層の成長、例えば第１光閉じ込め層２３に際して、第１光閉じ込め層２３の成長のための原料ガスに加えて塩化水素を供給しながら、第１光閉じ込め層２３を成長する。エッチング端面上の堆積物、つまり第１光閉じ込め層２３の成長時に、異常成長による堆積物が低減される。この後に、ＥＡ変調器のための活性層２７を成長する。これにより、ＥＡ変調器のための活性層２７が、異常成長による堆積物のため曲がることを小さくできる。活性層２７を成長した後に、第２光閉じ込め層２９の成長のための原料ガスに加えて塩化水素を供給しながら、第２光閉じ込め層２９を成長する。 （もっと読む）

【課題】広い波長域で良好な完全フォトニックバンドギャップを有し、製造が容易な３次元フォトニック結晶を提供する。
【解決手段】 ３次元フォトニック結晶は、第１の媒質により形成された構造体と該第１の媒質よりも屈折率が低い第２の媒質とが３次元方向に周期的に配置されて構成される。構造体が第１の方向に延びる第１及び第３層と、構造体が第２の方向に延びる第２及び第４層とが積層されている。各層の構造体は、積層方向での一端面としての平坦面と、第１の幅及び第１の高さを有する第１の構造部分と、第１の幅及び第１の高さよりも大きい第２の幅及び第２の高さを有する第２の構造部分と、幅及び高さが連続的又は段階的に変化する第３の構造部分とを有する。隣接２層のうち一方の層における第１の構造部分での平坦面が、他方の層における第２の構造部分の上記平坦面とは反対側の面に接している。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型半導体レーザにおいて、高温、高光出力条件下で連続通電した場合における発振しきい値電流の上昇や外部微分量子効率の低下を防いで、信頼性を向上させる。
【解決手段】光半導体装置は、ｎ型クラッド層１１、活性層１２及びｐ型クラッド層１３ａ、１３ｂからなる光導波路構造と、ｐ型ブロック層１５及びｎ型ブロック層１６からなる電流狭窄構造と、を備え、ｐ型クラッド層１３ａ、１３ｂに含まれる水素濃度がｐ型ブロック層１５に含まれる水素濃度よりも高い。 （もっと読む）