半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、光伝送装置
【課題】埋め込みヘテロ構造を有する半導体光素子において、寄生容量が軽減される構造にすることにより、特性がさらに向上される半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、及び、光伝送装置の提供。
【解決手段】 出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、 前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、順に含むことを特徴とする。
【解決手段】 出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、 前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、順に含むことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体光素子、レーザモジュール、及び光伝送装置に関し、特に、埋め込みヘテロ構造を有する変調器を備える半導体光素子の特性向上に関する。
【背景技術】
【0002】
近年のブロードバンドネットワークの飛躍的な発展に伴い、ますます通信速度の高速化が求められている。こうした要求の一方、半導体光素子及びそれを搭載するレーザモジュール及び光伝送装置には、小型化・低消費電力化・低コスト化が、同時に求められている。
【0003】
電界吸収型変調器(以下、EA(Electro-Absorption)変調器と記す)は、変調時のチャープ(波動変調)が小さく、光信号のONレベルとOFFレベルの差である消光比が大きく、広帯域である、といった有利な特性を有することに加え、小型で低コストであることにより、広く用いられている。
【0004】
EA変調器とは、量子閉じ込めシュタルク効果(Quantum Confinement Stark Effect:以下、QCSEと記す)を利用して、EA変調器の活性領域に、電界を選択的に印加することにより、光を変調する変調器である。ここで、活性領域は、いわゆる単一量子井戸(Single-Quantum Well:以下、SQWと記す)層、もしくは、多重量子井戸(Multiple-Quantum Well:以下、MQWと記す)層となっている。以下、本明細書において、MQWとは、通常のMQWに加えて、SQWをも含むものとする。なお、QCSEとは、MQW層に電界が印加されると、MQW層における光の吸収端が長波長側へシフトするという効果をいう。低いチャープと高い消光比を得るために、EA変調器のMQW層に適した材料として、インジウムガリウムアルミニウム砒素(InGaAlAs)などAl系材料が望ましい。
【0005】
また、半導体光素子の主な構造に、埋め込みヘテロ構造(Buried Heterostructure:以下、BH構造と記す)がある。BH構造とは、MQW層を含む多層構造のうち、導波路領域の外側となる領域を除去することにより形成されるメサストライプ構造の両側を、半絶縁性半導体からなる半導体埋め込み層によって埋め込まれている構造をいう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
半導体多層の両側を除去してメサストライプ構造を形成した後、メサストライプ構造のAlを含むMQW層の両側を半絶縁性半導体によって埋め込む際、半導体光素子の特性や信頼度が低下する懸念がある。また、それはMQW層に含まれるAlの含有率が高くなるほど、顕著である。
【0007】
本発明の目的は、上記課題を鑑みて、MQW層にAl系材料を含み、BH構造を有する半導体光素子において、特性がさらに向上される半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、光伝送装置を提供することとする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
(1)本発明に係る半導体光素子の製造方法は、出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、順に含むことを特徴とする。
【0009】
(2)上記(1)に記載の半導体光素子の製造方法であって、インジウムガリウムアルミニウム砒素を材料として前記量子井戸層を形成する工程を、さらに備えていてもよい。
【0010】
(3)上記(2)に記載の半導体光素子の製造方法であって、前記量子井戸を形成する工程において、1.3μm波長帯に用いられる組成に調整して前記量子井戸層を形成してもよい。
【0011】
(4)上記(1)に記載の半導体光素子の製造方法であって、前記半導体埋め込み層に添加される前記不純物とは、ルテニウムであってもよい。
【0012】
(5)上記(4)に記載の半導体光素子の製造方法であって、前記半導体埋め込み層を形成する工程において、層厚が3.5μm以上の前記半導体埋め込み層を形成してもよい。
【0013】
(6)上記(1)乃至(5)のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法であって、前記半導体光素子は、前記入力される光を出力する発振器部と、前記発振器部と前記変調器部の間を接続するとともに、コア層を備える導波路部と、をさらに備え、前記発振器部と前記導波路部との間、及び、前記導波路部と前記発振器部との間を、パットジョイント接続し、前記コア層を形成する工程を、さらに、含んでいてもよい。
【0014】
(7)上記(6)に記載の半導体光素子の製造方法であって、前記コア層を形成する工程において、インジウムガリウム砒素燐、若しくは、インジウムガリウムアルミニウム砒素を材料として前記コア層を形成してもよい。
【0015】
(8)上記(6)又は(7)に記載の半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、電界吸収型変調器であり、前記発振器部は、回折格子を備える分布帰還型半導体レーザであり、前記変調器部の吸収波長端の波長エネルギーより、前記発振器部の発振波長の波長エネルギーが、23meV以上40meV以下低くなるよう回折格子を形成する工程を、さらに含んでいてもよい。
【0016】
(9)上記(8)に記載の半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、複数の光出力部を有し、前記複数の光出力部それぞれより光を出力するとともに、前記複数の光出力部に対応して、前記メサストライプ構造を有する前記半導体多層を複数備え、前記発振器部は、前記複数の光出力部にそれぞれに対応して前記回折格子を複数備え、前記回折格子を形成する工程において、前記複数の光出力部にそれぞれ対応する発振波長となるよう、前記複数の回折格子をそれぞれ形成してもよい。
【0017】
(10)上記(8)又は(9)に記載の半導体光素子の製造方法であって、前記メサストライプ構造とする工程において、前記半導体多層の所定の領域に、前記半導体光素子の光の出射側の端面から5μm以内となる領域を含んでいるとともに、前記半導体埋め込み層を形成する工程において、該領域を、前記半導体埋め込み層を形成することにより窓構造を形成してもよい。
【0018】
(11)本発明に係るレーザモジュールは、上記(1)乃至(10)のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法によって製造される半導体光素子を備えていてもよい。
【0019】
(12)本発明に係る光伝送装置は、上記(1)乃至(10)のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法によって製造される半導体光素子を備えていてもよい。
【発明の効果】
【0020】
本発明により、MQW層にAl系材料を含み、BH構造を有する半導体光素子において、特性がさらに向上される半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、光伝送装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1A】本発明の第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子の上面図である。
【図1B】本発明の第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子の断面図である。
【図1C】本発明の第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子の断面図である。
【図2】Ruが不純物として添加されるInPからなる埋め込み層の層厚dに対するf3dB帯域の計算結果を示す図である。
【図3】デチューニング量ΔHに対する変調時光出力Pmodを表す図である。
【図4】デチューニング量ΔHに対する変調時消光比ACERを表す図である。
【図5】デチューニング量ΔHに対するf3dB帯域を表す図である。
【図6】デチューニング量ΔHに対する変調時光振幅OMAを表す図である。
【図7A】本発明の第2の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子の上面図である。
【図7B】本発明の第2の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子の断面図である。
【図7C】本発明の第2の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子の断面図である。
【図8】本発明の第3の実施形態に係る当該実施形態に係るレーザモジュールの構成を表す図である。
【図9】本発明の第4の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
本発明に係る実施形態について、以下に、詳細な説明をする。ただし、以下に示す図は、あくまで、各実施形態の実施例を説明するものであって、図の大きさと本実施例記載の縮尺は必ずしも一致するものではない。
【0023】
[第1の実施形態]
本発明の第1の実施形態に係る半導体光素子は、変調器部と、発振器部が同一半導体基板上にモノリシックに集積される変調器集積型半導体光素子である。ここで、変調器部はEA変調器であり、発振器部は分布帰還型半導体レーザ((Distributed Feedback Laser:以下、DFBレーザと記す)であり、EA変調器集積型DFBレーザ素子50である。当該EA変調器集積型DFBレーザ素子50は、ルテニウム(Ru)を不純物として添加された半導体埋め込み層によるBH構造を有しており、1.3μm波長帯で伝送速度25Gbit/s光伝送用に用いられ、40℃から60℃といった温度における駆動が可能である。ここで、1.3μm波長帯とは、1280nm以上1360nm以下の波長帯をいう。
【0024】
図1Aは、当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の上面図である。前述の通り、EA変調器集積型DFBレーザ素子50は、EA変調器からなる変調器部6と、DFBレーザからなる発振器部11とが、同じn型InP基板1上に集積されている。変調器部6と、発振器部11との間には、バルク導波路となる導波路部12が設けられている。EA変調器集積型DFBレーザ素子50の多層構造には、中央付近に、図中横方向に延伸する導波路領域がある。発振器部11の導波路領域より、図中左方向へ出力される連続光が、導波路部12の導波路領域を通過し、変調器部6に入力される。変調器部6の導波路領域において、入力される光が変調され、図中左側へ出射される。図中左側の端面から右側に、変調器部6のメサストライプ構造が形成されておらず、窓構造18を有している。光が出射する図中左側の端面は、反射率1%以下の反射防止膜24で覆われ、反対側にある図中右側の端面は、反射率90%以上の高反射膜23で覆われている。
【0025】
図1B及び図1Cは、当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の断面図である。図1Bは、図1Aに示すEA変調器集積型DFBレーザ素子50のIB−IB破線を貫く断面を、図1Cは、変調器部6のIC−IC波線を貫く断面を、それぞれ表している。
【0026】
図1Bに示す通り、EA変調器集積型DFBレーザ素子50の変調器部6、導波路部12、及び発振器部11は、それぞれ、半導体多層によって形成されている。n型InP基板1上に、n型InPバッファ層2が形成されている。変調器部6において、n型InPバッファ層2上に、順に、InGaAlAs下側ガイド層3、MQW層4、p型InGaAlAs上側ガイド層5が形成されており、光閉じ込め層となっている。ここで、MQW層4は、InGaAlAsからなる井戸層と障壁層が交互に積層されている。変調器部6の光閉じ込め層には、Al系材料が用いられている。
【0027】
発振器部11において、n型InPバッファ層2上に、n型InGaAsP下側ガイド層7、MQW層8、p型InGaAsP上側ガイド層9、回折格子層10が形成されており、光閉じ込め層となっている。ここで、MQW層8は、InGaAsPからなる井戸層と障壁層が交互に積層されている。また、回折格子層10は、p型InGaAsPからなっている。
【0028】
導波路部12において、n型InPバッファ層2の上に、3層からなるコア層が形成されており、光閉じ込め層となっている。コア層は、組成波長1.1μmのInGaAsP層13,14で、組成波長1.15μmのInGaAsP層15を挟みこむ構造である。コア層はバルク結晶からなるバルク導波路を形成している。変調器部6のMQW層4と導波路部12のInGaAsP層15との間、及び、導波路部12のInGaAsP層15と発振器部11のMQW層8との間は、パットジョイント接続されている。
【0029】
さらに、変調器部6、導波路部12、及び発振器部11の光閉じ込め層の上側に、p型InPクラッド層16が、変調器部6及び発振器部11には、さらに、p型コンタクト層17が、形成されており、半導体多層構造をなしている。
【0030】
発振器部11の発振波長λDFBは、50℃において、1295.5nmとなるように、回折格子の回折ピッチが設計され、回折格子層10が形成されている。また、変調器部6の吸収端波長λEAは、50℃において、1250.0nmとなるよう、変調器部6のMQW層4の組成が調整されている。すなわち、発振波長λDFBと吸収端波長λEAとの差で定義されるデチューニング量ΔHが、45.5nm(エネルギー換算をして、34.8meV)となるよう、調整されている。ここで、発振波長λDFBは吸収端波長λEAより長く、エネルギー換算すると、発振波長λDFBの波長エネルギーは、吸収端波長λEAの波長エネルギーより、低くなっている。
【0031】
図1Cに示す通り、当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50は、半導体多層構造が導波路領域の外側となる領域が除去されるメサストライプ構造となっており、メサストライプ構造の両側が埋め込み層19で埋め込まれるBH構造を有している。埋め込み層19は、Ruが不純物として添加されるInPからなっており、半絶縁性半導体である。なお、メサストライプ構造の幅は1.4μmで、高さは3.4μmである。埋め込み層19の層厚は5.0μmである。
【0032】
埋め込み層19は、半絶縁性半導体からなり、例えば、鉄(Fe)やRuなどの不純物が添加される半導体である。メサストライプ構造に含まれるp型層のp型ドーパントである不純物と、埋め込み層に含まれる不純物とが、相互拡散をするために、p型層のp型ドーパントである不純物が、メサストライプ構造の両側から埋め込み層に拡散するという問題が生じる。p型層の不純物が埋め込み層に拡散することにより、変調器部6の駆動時に、MQW層4に印加される電界が、埋め込み層19にも広がることとなり、変調器としての特性を劣化させる。
【0033】
メサストライプ構造に含まれるp型層のp型ドーパントとして、亜鉛(Zn)が用いられるのが一般的であり、埋め込み層19の不純物にFeを用いる場合、ZnとFeの相互拡散は強いので、Znがより埋め込み層19へ拡散することとなる。Znとの相互拡散との観点から、埋め込み層19に添加する不純物は、Ruが望ましい。RuはZnとの相互拡散が、Feなどと比較して弱いので、Znが埋め込み層に拡散するのが抑制され、変調器としての特性が向上する。
【0034】
図2は、Ruが不純物として添加されるInPからなる埋め込み層の層厚dに対するf3dB帯域の計算結果を示す図である。ここで、当該計算において、EA変調器の変調器長を100μm、メサストライプ構造の幅を1.5μm、MQW層を含むアンドープ層の層厚を260nmと仮定している。例えば、25Gbit/s動作を可能とする帯域25GHzを満足するためには、埋め込み層の層厚dは3.5μm以上必要であることが分かる。また、埋め込み層に、相互拡散が小さいRuを不純物として用いることにより、発振器部では、漏れ電流を低減させることができるため、閾値電流の低減、高光出力が実現できる。同様に、変調器部では、駆動時の電界の漏れを低減させることができるため、電圧が効率よくMQW層に印加され、高光出力が実現できる。
【0035】
また、前述の通り、図1Bの図中左側端面から右側には、メサストライプ構造を有する半導体多層が形成されておらず、埋め込み層19によって埋め込まれている窓構造18となっている。窓構造18の長さは5μm以上が望ましく、当該EA変調器集積型DFBレーザ素子50においては、窓構造18の長さは15μmである。窓構造18とは、半導体光素子の導波路領域の光の出射方向に対して先端部分において、光の閉じ込め層を有していないバルクの半導体によって埋め込まれている構造をいう。半導体光素子の内部の導波路領域を通過する光は、窓構造18を通過して、反射防止膜24に到達する。反射防止膜24の反射率は非常に低く、多くの光は反射防止膜24を通過して、半導体光素子から外部へ出射される。しかし、一部の光は反射防止膜24で半導体光素子内部へ反射される。この場合であっても、窓構造18によって、反射された光が再び、導波路領域に進入し、発振器部11まで到達することが抑制されるので、高周波応答特性(S21特性)が向上される。
【0036】
また、当該EA変調器集積型DFBレーザ素子50において、デチューニング量ΔHは、エネルギー換算して、23meV以上40meV以下となるのが望ましい。これら範囲は、以下のように説明される。
【0037】
図3は、デチューニング量ΔHに対する変調時光出力Pmodを、図4は、デチューニング量ΔHに対する変調時消光比ACERを、図5は、デチューニング量ΔHに対するf3dB帯域を、それぞれ表す図である。測定に用いたEA変調器集積型DFBレーザ素子は、変調器部の長さが100μmであり、EA変調器のMQW層を含むアンドープ層の層厚が260nmである。また、レーザ駆動電流If=50mAとして、測定を行っている。図に示すデチューニング量ΔHは、発振器部の発振波長λDFBと変調器部吸収端波長λEAそれぞれの波長エネルギーEを、それぞれ、E=(h/2π)・(c/λ)を用いて、エネルギー換算し、それらの差の値を用いている。ここで、h及びcは、それぞれ、プランク定数及び真空中での光速を表している。
【0038】
図6は、デチューニング量ΔHに対する変調時光振幅OMAを表す図である。100Gbit/sイーサーネットの規格には、変調時光振幅OMA(Optical Modulation Amplitude)があり、変調時光出力Pfmodと変調時消光比ACERから、OMA=10log{(2×10Pfmod/10)×(10ACER/10−1)/(10ACER/10+1)}によって計算される。ここで、変調時光出力Pfmodとは、EA変調器集積型DFBレーザ素子を搭載するレーザモジュールでの変調時光出力をあらわし、EA変調器集積型DFBレーザ素子の変調時光出力Pmodからレーザモジュールでの結合損を引いたものである。図6は、レーザモジュールでの結合損を3dBと仮定し、図示している。
【0039】
図3に示す通り、デチューニング量ΔHが小さくなると、変調器部での吸収が増大するので、変調時光出力Pmodが減少し、図4に示す通り、変調時消光比ACERが増大する。それに応じて、図6に示す通り、変調時光振幅OMAも減少する。IEEE802.3ba規格で定められている変調時光振幅OMAの仕様である−1.3〜+4.5dBmを満足させるために、変調時光出力Pmod及び変調時消光比ACERを、それぞれ、+1.0〜+5.5dBm(すなわち、レーザモジュールでの結合損を3dBと仮定した場合に、変調時光出力Pfmodを−2.0〜+2.5dBm)、及び、8.0dB以上となる条件を求める。図3及び図4に表す矢印は、この範囲を、それぞれ示している。図3及び図4から求められるデチューニング量ΔHの範囲は、それぞれ、23meV以上40meV以下、及び、40meV以下である。このとき、図6から、変調時光振幅OMAは、IEEE802.3ba規格に対して、特性の経年劣化などを考慮しても十分に満たしている。図6に表す矢印は、IEEEの規格を表している。
【0040】
一方、図5に示す通り、デチューニング量ΔHが小さくなると、変調器部における光吸収が大きくなり、高周波特性に劣化傾向が見られると考えられる。伝送速度25Gbit/sにおける駆動を可能にするためには、f3dB帯域が25GHz以上ある必要があり、それを満たすデチューニング量ΔHは、23meV以上である。以上のことにより、これらすべての特性を満足するデチューニング量ΔHは、エネルギー換算して、23meV以上40meV以下である。
【0041】
次に、当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の製造方法を説明する。
【0042】
まず、変調器部6の多層構造の一部となる半導体多層を形成する(変調器半導体下層形成工程)。すなわち、n型InP基板1上に、順に、n型InPバッファ層2、InGaAlAs下側ガイド層3、MQW層4、p型InGaAlAs上側ガイド層5、及び、p型InPキャップ層を、有機金属気相成長法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:以下、MO−CVDと記す)によって形成する。p型InPキャップ層は後の工程で除去され、p型InPキャップ層以外の半導体多層が、変調器部6の光閉じ込め層となる。ここで、InGaAlAs下側ガイド層3及びMQW層4は、不純物が添加されていないアンドープ層である。MQW層4は、ともに、InGaAlAsからなる井戸層と障壁層を交互に積層することによって形成される。このとき、変調器部6の吸収端波長λEAが50℃において1250nmとなるように、MQW層4のInGaAlAsの組成を調整する。
【0043】
そして、熱CVD(Thermal Chemical Vapor Deposition)によって二酸化ケイ素(SiO2)膜を、ウェハ表面のうち、変調器部6となる領域のみに、パターン形成し、このSiO2膜をマスクとして、ドライエッチング及びウェットエッチングによって、変調器部6となる領域以外の領域にある半導体多層を、n型InPバッファ層2の上面に至るまで除去する。
【0044】
次に、発振器部11の多層構造の一部となる半導体多層を形成する(発振器半導体下層形成工程)。n型InPバッファ層2の上側に、n型InGaAsP下側ガイド層7、MQW層8、p型InGaAsP上側ガイド層9、回折格子層10となる厚さ20nmのp型InGaAsP層、及び、p型InPキャップ層を、MO−CVDによって形成する。p型InPキャップ層以外の半導体多層が、発振器部11の光閉じ込め層となる。ここで、MQW層8は、アンドープ層であり、ともに、InGaAsPからなる井戸層と障壁層を交互に積層することによって形成される。
【0045】
そして、発振器半導体下層形成工程と同様に、熱CVDによってSiO2膜を、ウェハ表面のうち、変調器部6及び発振器部11となる領域にのみに、パターン形成し、ドライエッチング及びウェットエッチングによって、変調器部6及び発振器部11となる領域以外の領域、すなわち、導波路部12となる領域、にある半導体多層を、n型InPバッファ層2の上面に至るまで除去する。
【0046】
さらに、導波路部12の多層構造の一部となる半導体多層形成する(導波路部半導体下層形成工程)。n型InPバッファ層2の上側に、同様に、コア層及びp型InPキャップ層を、MO−CVDによって形成する。コア層が、導波路部12の光閉じ込め層となる。ここで、コア層は3層からなり、ともにアンドープ層である。コア層は、組成波長1.1μmのInGaAsP層13,14で、組成波長1.15μmのInGaAsP層15を挟みこむよう、形成される。この際、変調器部6と発振器部11の実効屈折率と、導波路部12の実効屈折率が、ほぼ一致するように、コア層を構成するInGaAsP層13,14,15それぞれの膜厚を調整している。この際に、変調器部6と導波路部12の間、及び、導波路部12と発振器部11の間を、公知のパットジョイント技術により光学的に接続する。
【0047】
なお、ここでは、InGaAsP系材料を用いてコア層を形成しているが、InGaAlAs系材料を用いて形成してもよい。コア層の組成波長は、1.2μm以下が望ましい。
【0048】
以上、変調器部6、発振器部11、導波路部12の順に、それぞれにおいて光閉じ込め層となる半導体多層を形成する工程について説明したが、これら工程の順番はこれに限られない。
【0049】
これら工程の後、発振器部11の回折格子を形成する(回折格子形成工程)。ウェハ表面のうち、発振器部11のp型InPキャップ層のみエッチングし、発振器部11のp型InGaAsP層を露出させる。そして、p型InGaAsP層に干渉露光法を施し回折格子(grating)を形成することにより、回折格子層10を形成する。このとき、50℃における発振器部11の発振波長λDFBが1295.5nmとなるピッチに設計することにより、デチューニング量ΔHを45.5nm(エネルギー換算すると、34.8meV)にする。回折格子形成工程において、干渉露光法の代わりに、電子線(Electron Beam:以下、EBと記す)描画法によって、回折格子を形成してもよい。
【0050】
回折格子層10を形成後、素子全体に亘って、残りの半導体多層を形成する(素子半導体上層形成工程)。ウェハ表面に形成されているp型InPキャップ層をエッチングにより除去し、p型InPクラッド層16、p型コンタクト層17、p型InP保護層を、MO−CVDによって形成する。これらp型層のp型ドーパントには、ともにZnを用いる。
【0051】
素子半導体上層形成工程の後、半導体多層の両側を除去して、メサストライプ構造を形成する(メサストライプ形成工程)。ウェハ表面のうち、素子の導波路領域の上方となる領域に、SiO2膜をパターン形成し、このSiO2膜をマスクとして、ドライエッチング若しくはウェットエッチングによって半導体多層を除去し、変調器部6、導波路部12、発振器部11に亘って、幅1.4μm、高さ3.4μmのメサストライプ構造を形成する。このときに、変調器部6及び発振器部11のMQW層4,8を含むそれぞれの光閉じ込め層と、導波路部12のコア層は、メサストライプ構造両脇の底部(n型InPバッファ層2の上面のうち、メサストライプ構造の両脇の領域)から約1μmの高さとなるように、メサストライプ構造を形成する。また、SiO2膜にパターン形成する際に、ウェハ表面のうち、光の出射側の素子端面(変調器部6側の素子端面)から15μmの領域には、SiO2膜を形成しない。その結果、この領域の半導体多層は、エッチングによって除去される。すなわち、メサストライプ構造の光の出射側の端面は、素子端面より約15μm内側に位置する。前述の通り、この除去される領域が、素子の窓構造18となる。
【0052】
メサストライプ形成工程の後、メサストライプ構造に対して、表面処理を施す(表面処理工程)。ウェハ全体を、塩素系ガス雰囲気の中にさらし、メサストライプ構造の側面をクリーニングする。これにより、メサストライプ構造の側面に露出している変調器部6のMQW層4もクリーニングされ、MQW層4にAlが含まれている場合であっても、完成後に、特性が向上される半導体素子の製造が可能となる。特に、変調器部6のMQW層4が、Al含有率が高い材料によって形成されている場合に、特性の向上はさらに高まる。
【0053】
表面処理工程の後、メサストライプ構造の側面を埋め込み層19によって埋め込む(埋め込み工程)。すなわち、メサストライプ構造の両脇部分及び先端部分に、Ruを不純物として添加されるInPによって、厚さ5.0μmの埋め込み層19を形成する。このときの結晶成長温度は、抵抗率と埋め込み形状が最適となるように、550℃〜600℃の間に設定するのが望ましい。
【0054】
埋め込み工程の後、p型電極21及びn型電極22を形成する(電極形成工程)。メサストライプ構造の最上層であるp型コンタクト層17のうち、導波路部12の領域を、除去する。これにより、変調器部6のp型コンタクト層17と、発振器部11のp型コンタクト層17とが、電気的に絶縁される。それゆえ、除去されることにより生じる溝は、アイソレーション溝と呼ばれている。さらに、ウェハ表面全体に、SiO2からなるパッシベーション膜20を形成する。形成されるパッシベーション膜20のうち、変調器部6及び発振器部11のメサストライプ構造の上方それぞれの一部を除去し、スルーホールとする。変調器部6及び発振器部11それぞれのスルーホールを覆うように、ウェハ表面に、順に、Ti、Pt、Auの金属膜を蒸着し、イオンミリングによって電極パターンを施すことにより、変調器部6及び発振器部11それぞれのp型電極21を形成する。その後、ウェハの下面を、ウェハが100μmから150μm程度になるまで研磨加工し、ウェハ下面に、順に、AuGe、Ni、Ti、Pt、Auの金属膜を蒸着することにより、n型電極22を形成する。
【0055】
電極形成工程の後、ウェハをチップ化することにより、EA変調器集積型DFBレーザ素子50は完成する(チップ化工程)。すなわち、ウェハをバー状に劈開し、変調器部6側の端面に反射率1%以下の反射防止膜24を、発振器部11側の端面に反射率90%以上の高反射膜23をそれぞれコーティングし、さらに、チップ状態に劈開することにより、素子は完成する。当該製造方法にて製造された当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50を、素子L0とする。
【0056】
100Gbit/sといった高速伝送速度であって、例えばメトロ網伝送に用いる10km以上の長距離光伝送が可能な半導体光素子、レーザモジュール、及び、光伝送装置が望まれている。100Gbit/sイーサーネット光伝送装置を実現する方式の一つとして、シングルモードファイバ(Single Mode Fiber:以下、SMFと記す)の波長分散が小さい1.3μm波長帯で25Gbit/s駆動する、異なる4波長の半導体光素子をパラレルに波長多重(Wavelength Division Multiplexing:以下、WDMと記す)する方式が主に用いられている。さらに、低消費電力化の観点から、レーザモジュール内で半導体光素子の温度を40〜60℃で動作(セミクールド動作)が可能な半導体素子が望ましい。
【0057】
また、1.3μm波長帯では、従来、DFBレーザを高速電流変調することによって、光のオン・オフを行う直接変調型レーザが一般的であった。しかしながら、直接変調型レーザはチャーピングが大きいため、高速電流変調を行ったときに瞬時的なキャリアの変動で活性層の屈折率が変動して光の波長が変動する緩和振動現象を起こしやすい。それゆえ、伝送速度25Gbit/sといった高速変調を行うには、緩和振動周波数を上げる必要があり、1.3μm波長帯において、安定的な25Gbit/s駆動の直接変調型DFBレーザ素子の製造は困難である。
【0058】
それゆえ、WDMによって100Gbit/s駆動を可能とするために、上記の素子L0の他に、1.3μm波長帯で25Gbit/s駆動する、異なる3波長のEA変調器集積型DFBレーザ素子50を、同様の製造方法において製造した。これらを、素子L1、素子L2、素子L3とする。素子L1、素子L2、素子L3は、変調器部6の吸収波長λEAが、50℃において、それぞれ、1254.0nm、1259.0nm、1264.0nmとそれぞれなるよう、発振器部11の発振波長λDFBが、50℃において、それぞれ、1300.0nm、1304.5nm、1309.0nmとそれぞれなるよう製造されている。ここで、デチューニング量ΔHは、エネルギー換算して、いずれも約34meVである。
【0059】
これら素子について、窒化アルミニウム(AlN)製の50Ω終端抵抗がついたチップキャリアにAuSnはんだを用いて搭載し、発振器部11及び変調器部6それぞれに通電するための導線をボンディングして、素子温度TLD=50℃において、特性評価を行った。変調時光出力Pmod及び変調時消光比ACERは、変調器部6の逆バイアス電圧Vea=−0.3V、変調電圧Vmod=2.0Vにおいて、特性評価を行っている。
【0060】
【表1】
【0061】
表1は、4個の素子L0,L1,L2,L3における素子の特性を表す表である。表1に示す通り、発振閾値電流Ith及びレーザ駆動電流If=50mAでの光出力Poも良好な値を示しており、いずれの素子も、100Gbit/sイーサーネット光伝送装置に搭載する素子として、十分な特性を示している。表面処理工程において、メサストライプ構造のMQW層4のAl表面をクリーニングすることによって、良好な特性・信頼度を示すことが確認される。
【0062】
[第2の実施形態]
本発明の第2の実施形態に係る半導体光素子は、第1の実施形態と同様に、BH構造を有するEA変調器集積型DFBレーザ素子50である。当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50は、第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50と、基本的な構成及び製造方法は同じであるが、当該EA変調器集積型DFBレーザ素子50は、1.3μm波長帯で伝送速度40Gbit/s光伝送用に用いられ、40℃から60℃といった温度における駆動が可能である。
【0063】
図7Aは、当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の上面図であり、図7B及び図7Cは、その断面図である。図7Bは、図7Aに示すEA変調器集積型DFBレーザ素子50のVIIB−VIIB破線を貫く断面を、図7Cは、VIIC−VIIC破線を貫く断面を、表している。
【0064】
当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の製造方法においても、第1の実施形態と同様に、メサストライプ形成工程の後、メサストライプ構造に対して、塩素系ガスによる表面処理を施す表面処理工程を行い、その後に、メサストライプ構造の両脇に埋め込み層19を形成する埋め込み工程を行っている。
【0065】
また、回折格子形成工程において、50℃における発振器部11の発振波長λDFBが1300.0nmとなるよう、回折格子の回折ピッチを設計することにより、デチューニング量ΔHを50nm(エネルギー換算すると、38meV)にする。
【0066】
当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の変調器部6には、p型電極21のパッド部とパッシベーション膜20との間に、ポリイミド樹脂30が形成されている。変調器部6には寄生容量が存在し、その中の一つに、p型電極21のパッド部と、n型InP基板1の間に生じる寄生容量がある。ここで、p型電極21のパッド部は、図7Aに示すp型電極21のうち、長方形状をしている領域である。p型電極21のパッド部は、p型電極21に印加する電圧を供給するために、導線を接続するための領域であり、導線との電気的接続を確保するために十分となる面積を確保する必要がある。それゆえ、当該寄生容量を低減するために、埋め込み層19より誘電率の小さいポリイミド樹脂30を、パッシベーション膜20とp型電極21のパッド部の間に配置することにより、当該寄生容量は、小さい誘電率であるポリイミド樹脂30と、埋め込み層19との直列接続されたものと等価であり、当該寄生容量が低減される。
【0067】
ポリイミド樹脂30を形成するために、第1の実施形態において説明した電極形成工程において、ウェハ表面全体にパッシベーション膜20を形成後、ウェハ表面全体に、厚さ3μmのポリイミド樹脂30を塗布する。p型電極21のパッド部となる領域に対応してマスクをし、マスクされていない領域にあるポリイミド樹脂30を、酸素とアルゴンの混合ガスによるエッチバックにより除去する。その後は、パッシベーション膜20にスルーホールを形成し、さらに、p型電極21を形成する。
【0068】
当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50について、第1の実施形態と同様に、特性評価を行った。その結果、素子温度TLD=50℃において、発振閾値電流Ith=15.6mA、レーザ駆動電流If=50mAでの光出力Po=9.3dBm、発振波長λDFB=1300.23nmであり、また、f3dB帯域は42.1GHz、変調時光出力Pmod=+4.9dBm、変調時消光比ACER=8.1dBであった。これらは、40Gbit/sイーサーネットシリアル伝送に十分な特性を示している。表面処理工程において、メサストライプ構造のMQW層4のAl表面をクリーニングすることによって、良好な特性・信頼度を示すことが確認される。
【0069】
[第3の実施形態]
本発明の第3の実施形態に係るレーザモジュールは、第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50が搭載されるレーザモジュール51であり、40℃から60℃といった温度における駆動が可能である。
【0070】
図8は、当該実施形態に係るレーザモジュール51の構成を表す図である。第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50は、50Ω終端抵抗が付いた窒化アルミ二ウム(AlN)製のチップキャリア102に、AuSnはんだを用いて、搭載されている。チップキャリア102は、温度調整手段であるペルチエ基板103の上側に搭載されており、それらが、パッケージ110に搭載されている。サーミスタ104、モニタフォトダイオード107、集光用レンズ108が、さらに、パッケージ110に搭載されている。ここで、集光用レンズ108は、EA変調器集積型DFBレーザ素子50の光の出射方向に出力する前方出力光105を、光の出射先に接続される光ファイバー109へ、光を集光するためのレンズである。モニタフォトダイオード107は、EA変調器集積型DFBレーザ素子50の光の出射方向と反対方向に出力する後方出力光106を受光している。
【0071】
パッケージ110の外部には、レーザ駆動電流源111が設けられ、モニタフォトダイオード107で受光する後方出力光106のパワー変動が、レーザ駆動電流源111に帰還され、発振器部11に供給する電流量が制御されることにより、前方出力光105のパワーを一定に保つAPC(Auto Power Control)制御が行われる。なお、EA変調器集積型DFBレーザ素子50の変調器部6に対しては、変調器高周波信号源112より、変調器駆動信号が供給される。
【0072】
また、ペルチエ駆動電流源113によって、EA変調器集積型DFBレーザ素子50に対して、ATC(Auto Temperature Control)制御が行われる。すなわち、サーミスタ104は、EA変調器集積型DFBレーザ素子50の温度を検知し、その温度をモニタ温度として、ペルチエ駆動電流源113へ出力する。モニタ温度に対応して、ペルチエ基板103に対して、ペルチエ駆動電流源113よりペルチエ駆動電流が供給される。ATC制御により、EA変調器集積型DFBレーザ素子50の温度を一定に保つことが可能となる。
【0073】
第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50において説明した4個の素子L0,L1,L2,L3それぞれを搭載する各レーザモジュール51について、25.8Gbit/s変調評価を行ったところ、各レーザモジュール51とも、100Gbit/sイーサーネット光伝送装置に搭載するレーザモジュールとして、十分な特性を示している。
【0074】
同様に、当該実施形態に係る光送受信モジュールは、第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50が搭載される光送信部と、公知の光受信部を備える光送受信モジュールである。光送受信モジュールの光送信部の構成は、レーザモジュール51の構成と同様のものとする。
【0075】
さらに、当該実施形態に係る光伝送装置は、レーザモジュール51若しくは光送受信モジュールが搭載される光伝送装置である。光伝送装置の他の構成については、公知のものと同じである。
【0076】
[第4の実施形態]
本発明の第4の実施形態に係る半導体光素子は、変調器部と発振器部とを備える集積レーザ部を、同一半導体上にモノシリックに、4個備えるEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52である。第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50として、4個の素子L0,L1,L2,L3について説明したが、当該EA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52は、それら4個の素子を、それぞれ集積レーザ部として、備えている。すなわち、当該EA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52の集積レーザ部は、それぞれ、1.3μm波長帯で伝送速度25Gbit/s光伝送用に用いられ、40℃から60℃といった温度における駆動が可能である。それゆえ、当該EA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52は、4個集積レーザ部それぞれより光出力がされるので、4個の光出力部を有しており、WDMにより、伝送速度100Gbit/s光伝送用に用いることが出来る。
【0077】
図9は、当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52の上面図である。当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52において、図9に示すA−A破線を貫く断面は、図1Bに示す断面であり、B−B破線を貫く断面は、図1Cに示す断面である。
【0078】
4個の集積レーザ部それぞれの変調器部6の吸収端波長λEAは、50℃において1259nmとなるよう、変調器部6のMQW層4の組成が調整されている。また、4個の集積レーザ部それぞれの発振器部11の発振波長λDFBは、50℃において、順に、1295.5nm、1300.0nm、1304.5nm、1309.0nmとなるように、回折格子の回折ピッチがそれぞれ設計され、回折格子層10がそれぞれ形成されている。これら4個の集積レーザ部は、順に、第1の実施形態に係る4個の素子、L0,L1,L2,L3に対応しており、それぞれ、集積レーザ部L0,L1,L2,L3とする。ここで、4個の集積レーザ部において、デチューニング量ΔHは、順に、36.5nm、41.0nm、45.5nm、50.0nm(エネルギー換算すると、それぞれ、27.8meV、31.1meV、34.3meV、37.6meV)となっている。
【0079】
当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52の製造方法は、第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の製造方法と、基本的には同じであり、メサストライプ形成工程の後、メサストライプ構造に対して、塩素系ガスによる表面処理を施す表面処理工程を行い、その後に、メサストライプ構造の両脇に埋め込み層19を形成する埋め込み工程を行っている。
【0080】
当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52の製造方法は、第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の製造方法と、以下の点において主に異なる。
【0081】
変調器半導体下層形成工程において、4個の集積レーザ部それぞれの変調器部6の吸収端波長λEAが50℃においてともに1259nmとなるように、各変調器部6のMQW層4のInGaAlAsの組成を調整する。
【0082】
また、回折格子形成工程において、EB描画法によって、4個の集積レーザ部それぞれの発振器部11の発振波長λDFBが、50℃において、順に、1295.5nm、1300.0nm、1304.5nm、1309.0nmとなるように、回折格子の回折ピッチをそれぞれ設計して、回折格子を形成する。
【0083】
さらに、チップ化工程において、隣り合う4個の集積レーザ部を1個のチップとして劈開する。
【0084】
以上の製造方法によって製造することにより、当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52は、それぞれの集積レーザ部より、異なる発振波長λDFBの光を出射することが出来る。
【0085】
当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52について、第1の実施形態と同様に、素子温度TLD=50℃において、特性評価を行った。なお、この際、それぞれ導波路領域に高周波電圧が印加される4個の集積レーザ部が隣り合って配置されているので、チップキャリアに搭載する際、実装上の工夫を施す必要がある。
【0086】
【表2】
【0087】
表2は、当該EA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52の4個の集積レーザ部L0,L1,L2,L3における特性を表す表である。変調時光出力Pmod及び変調時消光比ACERは、変調器部6の逆バイアス電圧Veaは表2に示す値により、また、変調電圧Vmod=2.0Vにおいて、特性評価を行っている。
【0088】
当該EA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52の4個の集積レーザ部において、デチューニング量ΔHがそれぞれ異なっているので、レーザ駆動電流If=50mAでの光出力Poは、集積レーザ部L3において最も大きくなっている。また、波長が長くなるにつれて、逆バイアス電圧Veaの絶対値を大きくすることにより、各集積レーザ部において、近い値の変調時消光比ACERが実現される。また、その他の特性についても駆動条件を変更することにより、100Gbit/sイーサーネット光伝送装置に搭載する素子として、十分な特性を示している。表面処理工程において、メサストライプ構造のMQW層4のAl表面をクリーニングすることによって、良好な特性・信頼度を示すことが確認される。
【0089】
以上、本発明に係る半導体光素子、レーザモジュールについて、説明した。本発明の特徴は、Alを含む量子井戸層と、不純物が添加される半導体埋め込み層とを備えるBH構造を有する変調器を備える半導体光素子において、メサストライプ構造を形成後、埋め込み層を形成する工程との間に、メサストライプ構造の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程を行うことにある。
【0090】
Alを含む量子井戸層とは、例えば、InGaAlAsからなるMQW層であるが、1.55μm波長帯に比べて、1.3μm波長帯のEA変調器のMQW層に含まれるAlの含有率が高い。それゆえ、1.3μm波長帯のEA変調器において、特性や信頼性の高い素子を製造することが困難であり、ので、1.3μm波長帯のEA変調器に対して本発明を適用することにより、本発明の効果はさらに高まっている。埋め込み層の層厚は、3.5μm以上が望ましい。
【0091】
また、半導体埋め込み層に添加する不純物としては、Ruが望ましい。メサストライプ構造のp型層にp型ドーパントとして添加されるZnに対して、Feなどと比較して、相互拡散が抑制されるので、不純物をRuとすることにより、変調器の特性が向上する。
【0092】
SMFを用いて、波長分散が小さい1.3μm波長帯の光伝送を行う場合、SMFの伝播損失は0.3〜0.4dB/km程度と大きい。それゆえ、半導体光素子には、1.55μm波長帯の光伝送よりも、より大きな光出力が求められている。
【0093】
変調器部と、発振器部が同一半導体基板上にモノリシックに集積される変調器集積型半導体光素子において、変調器部と発振器部との間に導波路部を設け、発振器部の発振波長より組成波長の短いバルク導波路をなすコア層を備え、変調器部及び発振器部それぞれとバットジョイント接続するようコア層を形成するのが望ましい。これにより、変調器集積型半導体光素子の光出力特性はさらに向上することとなる。なお、コア層は、InGaAsP若しくはInGaAlAsのいずれかを用いて形成するのが、さらに望ましい。1.3μm波長帯の変調器集積型半導体光素子において、コア層の組成波長は1.2μm以下となるよう、コア層を形成するのが、さらに望ましい。
【0094】
さらに、変調器部がEA変調器で、発振器部がDFBレーザからなるEA変調器集積型DFBレーザ素子において、デチューニング量ΔHを23meV以上40meV以下の範囲とするのが望ましい。すなわち、変調器部の吸収波長端の波長エネルギーより、発振器部の発振波長の波長エネルギーが、23meV以上40meV以下低くなるよう回折格子を形成するのが望ましい。これにより、EA変調器集積型DFBレーザ素子の特性はさらに高まる。
【0095】
また、本発明に係る半導体光素子は、上記EA変調器集積型DFBレーザ素子などのレーザとなる集積レーザ部が複数、同一基板上に集積されるレーザアレイ素子であってもよい。当該半導体光素子は、複数の光出力部を備えている。複数の集積レーザ部それぞれの変調器部は、変調器部の光閉じ込め層を形成する工程(変調器半導体下層形成工程)において、変調器部の吸収端波長λEAが同じ波長となるように形成し、複数の集積レーザ部それぞれの回折格子を形成する工程(回折格子形成工程)において、各集積レーザ部の発振波長λDFBに応じて、回折格子を形成するのが望ましい。その際、各集積レーザ部のデチューニング量ΔHがすべて、23meV以上40meV以下となっているのが、さらに望ましい。これにより、当該レーザアレイ素子の特性はさらに高まる。
【0096】
また、半導体光素子の出射側端面の内側には、メサストライプ構造が存在していない窓構造を有しているのが望ましい。これにより、素子の特性はさらに高まる。半導体多層の所定の領域を除去することによりストライプ構造を形成するが、この工程において、該所定の領域に、窓構造となる領域を含めて、この領域にある半導体多層を除去する。さらに、埋め込み層を埋め込む工程において、この領域にも埋め込み層を形成する。これにより、ストライプ構造の先端が出射側の端面より内側に位置し、窓構造が形成される。窓構造の長さ、すなわち、ストライプ構造の先端から出射側端面までの距離が、5μm以上あるのが望ましい。このとき、出射側の端面から5μm以内となる領域は、ストライプ構造を形成する際に除去する領域に含まれることとなる。
【符号の説明】
【0097】
1 n型InP基板、2 n型InPバッファ層、3 InGaAlAs下側ガイド層、4 MQW層、5 p型InGaAlAs上側ガイド層、6 変調器部、7 n型InGaAsP下側ガイド層、8 MQW層、9 p型InGaAsP上側ガイド層、10 回折格子層、11 発振器部、12 導波路部、13,14,15 InGaAsP層、16 p型InPクラッド層、18 窓構造、19 埋め込み層、20 パッシベーション膜、21 p型電極、22 n型電極、23 高反射膜、24 反射防止膜、50 EA変調器集積型DFBレーザ素子、51 レーザモジュール、52 EA変調器集積型DFBレーザアレイ素子、102 チップキャリア、103 ペルチエ基板、104 サーミスタ、105 前方出力光、106 後方出力光、107 モニタフォトダイオード、108 集光レンズ、109 ファイバー、110 パッケージ、111 レーザ駆動電流源、112 変調器高周波信号源、113 ペルチエ駆動電流源。
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体光素子、レーザモジュール、及び光伝送装置に関し、特に、埋め込みヘテロ構造を有する変調器を備える半導体光素子の特性向上に関する。
【背景技術】
【0002】
近年のブロードバンドネットワークの飛躍的な発展に伴い、ますます通信速度の高速化が求められている。こうした要求の一方、半導体光素子及びそれを搭載するレーザモジュール及び光伝送装置には、小型化・低消費電力化・低コスト化が、同時に求められている。
【0003】
電界吸収型変調器(以下、EA(Electro-Absorption)変調器と記す)は、変調時のチャープ(波動変調)が小さく、光信号のONレベルとOFFレベルの差である消光比が大きく、広帯域である、といった有利な特性を有することに加え、小型で低コストであることにより、広く用いられている。
【0004】
EA変調器とは、量子閉じ込めシュタルク効果(Quantum Confinement Stark Effect:以下、QCSEと記す)を利用して、EA変調器の活性領域に、電界を選択的に印加することにより、光を変調する変調器である。ここで、活性領域は、いわゆる単一量子井戸(Single-Quantum Well:以下、SQWと記す)層、もしくは、多重量子井戸(Multiple-Quantum Well:以下、MQWと記す)層となっている。以下、本明細書において、MQWとは、通常のMQWに加えて、SQWをも含むものとする。なお、QCSEとは、MQW層に電界が印加されると、MQW層における光の吸収端が長波長側へシフトするという効果をいう。低いチャープと高い消光比を得るために、EA変調器のMQW層に適した材料として、インジウムガリウムアルミニウム砒素(InGaAlAs)などAl系材料が望ましい。
【0005】
また、半導体光素子の主な構造に、埋め込みヘテロ構造(Buried Heterostructure:以下、BH構造と記す)がある。BH構造とは、MQW層を含む多層構造のうち、導波路領域の外側となる領域を除去することにより形成されるメサストライプ構造の両側を、半絶縁性半導体からなる半導体埋め込み層によって埋め込まれている構造をいう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
半導体多層の両側を除去してメサストライプ構造を形成した後、メサストライプ構造のAlを含むMQW層の両側を半絶縁性半導体によって埋め込む際、半導体光素子の特性や信頼度が低下する懸念がある。また、それはMQW層に含まれるAlの含有率が高くなるほど、顕著である。
【0007】
本発明の目的は、上記課題を鑑みて、MQW層にAl系材料を含み、BH構造を有する半導体光素子において、特性がさらに向上される半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、光伝送装置を提供することとする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
(1)本発明に係る半導体光素子の製造方法は、出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、順に含むことを特徴とする。
【0009】
(2)上記(1)に記載の半導体光素子の製造方法であって、インジウムガリウムアルミニウム砒素を材料として前記量子井戸層を形成する工程を、さらに備えていてもよい。
【0010】
(3)上記(2)に記載の半導体光素子の製造方法であって、前記量子井戸を形成する工程において、1.3μm波長帯に用いられる組成に調整して前記量子井戸層を形成してもよい。
【0011】
(4)上記(1)に記載の半導体光素子の製造方法であって、前記半導体埋め込み層に添加される前記不純物とは、ルテニウムであってもよい。
【0012】
(5)上記(4)に記載の半導体光素子の製造方法であって、前記半導体埋め込み層を形成する工程において、層厚が3.5μm以上の前記半導体埋め込み層を形成してもよい。
【0013】
(6)上記(1)乃至(5)のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法であって、前記半導体光素子は、前記入力される光を出力する発振器部と、前記発振器部と前記変調器部の間を接続するとともに、コア層を備える導波路部と、をさらに備え、前記発振器部と前記導波路部との間、及び、前記導波路部と前記発振器部との間を、パットジョイント接続し、前記コア層を形成する工程を、さらに、含んでいてもよい。
【0014】
(7)上記(6)に記載の半導体光素子の製造方法であって、前記コア層を形成する工程において、インジウムガリウム砒素燐、若しくは、インジウムガリウムアルミニウム砒素を材料として前記コア層を形成してもよい。
【0015】
(8)上記(6)又は(7)に記載の半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、電界吸収型変調器であり、前記発振器部は、回折格子を備える分布帰還型半導体レーザであり、前記変調器部の吸収波長端の波長エネルギーより、前記発振器部の発振波長の波長エネルギーが、23meV以上40meV以下低くなるよう回折格子を形成する工程を、さらに含んでいてもよい。
【0016】
(9)上記(8)に記載の半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、複数の光出力部を有し、前記複数の光出力部それぞれより光を出力するとともに、前記複数の光出力部に対応して、前記メサストライプ構造を有する前記半導体多層を複数備え、前記発振器部は、前記複数の光出力部にそれぞれに対応して前記回折格子を複数備え、前記回折格子を形成する工程において、前記複数の光出力部にそれぞれ対応する発振波長となるよう、前記複数の回折格子をそれぞれ形成してもよい。
【0017】
(10)上記(8)又は(9)に記載の半導体光素子の製造方法であって、前記メサストライプ構造とする工程において、前記半導体多層の所定の領域に、前記半導体光素子の光の出射側の端面から5μm以内となる領域を含んでいるとともに、前記半導体埋め込み層を形成する工程において、該領域を、前記半導体埋め込み層を形成することにより窓構造を形成してもよい。
【0018】
(11)本発明に係るレーザモジュールは、上記(1)乃至(10)のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法によって製造される半導体光素子を備えていてもよい。
【0019】
(12)本発明に係る光伝送装置は、上記(1)乃至(10)のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法によって製造される半導体光素子を備えていてもよい。
【発明の効果】
【0020】
本発明により、MQW層にAl系材料を含み、BH構造を有する半導体光素子において、特性がさらに向上される半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、光伝送装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1A】本発明の第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子の上面図である。
【図1B】本発明の第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子の断面図である。
【図1C】本発明の第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子の断面図である。
【図2】Ruが不純物として添加されるInPからなる埋め込み層の層厚dに対するf3dB帯域の計算結果を示す図である。
【図3】デチューニング量ΔHに対する変調時光出力Pmodを表す図である。
【図4】デチューニング量ΔHに対する変調時消光比ACERを表す図である。
【図5】デチューニング量ΔHに対するf3dB帯域を表す図である。
【図6】デチューニング量ΔHに対する変調時光振幅OMAを表す図である。
【図7A】本発明の第2の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子の上面図である。
【図7B】本発明の第2の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子の断面図である。
【図7C】本発明の第2の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子の断面図である。
【図8】本発明の第3の実施形態に係る当該実施形態に係るレーザモジュールの構成を表す図である。
【図9】本発明の第4の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
本発明に係る実施形態について、以下に、詳細な説明をする。ただし、以下に示す図は、あくまで、各実施形態の実施例を説明するものであって、図の大きさと本実施例記載の縮尺は必ずしも一致するものではない。
【0023】
[第1の実施形態]
本発明の第1の実施形態に係る半導体光素子は、変調器部と、発振器部が同一半導体基板上にモノリシックに集積される変調器集積型半導体光素子である。ここで、変調器部はEA変調器であり、発振器部は分布帰還型半導体レーザ((Distributed Feedback Laser:以下、DFBレーザと記す)であり、EA変調器集積型DFBレーザ素子50である。当該EA変調器集積型DFBレーザ素子50は、ルテニウム(Ru)を不純物として添加された半導体埋め込み層によるBH構造を有しており、1.3μm波長帯で伝送速度25Gbit/s光伝送用に用いられ、40℃から60℃といった温度における駆動が可能である。ここで、1.3μm波長帯とは、1280nm以上1360nm以下の波長帯をいう。
【0024】
図1Aは、当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の上面図である。前述の通り、EA変調器集積型DFBレーザ素子50は、EA変調器からなる変調器部6と、DFBレーザからなる発振器部11とが、同じn型InP基板1上に集積されている。変調器部6と、発振器部11との間には、バルク導波路となる導波路部12が設けられている。EA変調器集積型DFBレーザ素子50の多層構造には、中央付近に、図中横方向に延伸する導波路領域がある。発振器部11の導波路領域より、図中左方向へ出力される連続光が、導波路部12の導波路領域を通過し、変調器部6に入力される。変調器部6の導波路領域において、入力される光が変調され、図中左側へ出射される。図中左側の端面から右側に、変調器部6のメサストライプ構造が形成されておらず、窓構造18を有している。光が出射する図中左側の端面は、反射率1%以下の反射防止膜24で覆われ、反対側にある図中右側の端面は、反射率90%以上の高反射膜23で覆われている。
【0025】
図1B及び図1Cは、当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の断面図である。図1Bは、図1Aに示すEA変調器集積型DFBレーザ素子50のIB−IB破線を貫く断面を、図1Cは、変調器部6のIC−IC波線を貫く断面を、それぞれ表している。
【0026】
図1Bに示す通り、EA変調器集積型DFBレーザ素子50の変調器部6、導波路部12、及び発振器部11は、それぞれ、半導体多層によって形成されている。n型InP基板1上に、n型InPバッファ層2が形成されている。変調器部6において、n型InPバッファ層2上に、順に、InGaAlAs下側ガイド層3、MQW層4、p型InGaAlAs上側ガイド層5が形成されており、光閉じ込め層となっている。ここで、MQW層4は、InGaAlAsからなる井戸層と障壁層が交互に積層されている。変調器部6の光閉じ込め層には、Al系材料が用いられている。
【0027】
発振器部11において、n型InPバッファ層2上に、n型InGaAsP下側ガイド層7、MQW層8、p型InGaAsP上側ガイド層9、回折格子層10が形成されており、光閉じ込め層となっている。ここで、MQW層8は、InGaAsPからなる井戸層と障壁層が交互に積層されている。また、回折格子層10は、p型InGaAsPからなっている。
【0028】
導波路部12において、n型InPバッファ層2の上に、3層からなるコア層が形成されており、光閉じ込め層となっている。コア層は、組成波長1.1μmのInGaAsP層13,14で、組成波長1.15μmのInGaAsP層15を挟みこむ構造である。コア層はバルク結晶からなるバルク導波路を形成している。変調器部6のMQW層4と導波路部12のInGaAsP層15との間、及び、導波路部12のInGaAsP層15と発振器部11のMQW層8との間は、パットジョイント接続されている。
【0029】
さらに、変調器部6、導波路部12、及び発振器部11の光閉じ込め層の上側に、p型InPクラッド層16が、変調器部6及び発振器部11には、さらに、p型コンタクト層17が、形成されており、半導体多層構造をなしている。
【0030】
発振器部11の発振波長λDFBは、50℃において、1295.5nmとなるように、回折格子の回折ピッチが設計され、回折格子層10が形成されている。また、変調器部6の吸収端波長λEAは、50℃において、1250.0nmとなるよう、変調器部6のMQW層4の組成が調整されている。すなわち、発振波長λDFBと吸収端波長λEAとの差で定義されるデチューニング量ΔHが、45.5nm(エネルギー換算をして、34.8meV)となるよう、調整されている。ここで、発振波長λDFBは吸収端波長λEAより長く、エネルギー換算すると、発振波長λDFBの波長エネルギーは、吸収端波長λEAの波長エネルギーより、低くなっている。
【0031】
図1Cに示す通り、当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50は、半導体多層構造が導波路領域の外側となる領域が除去されるメサストライプ構造となっており、メサストライプ構造の両側が埋め込み層19で埋め込まれるBH構造を有している。埋め込み層19は、Ruが不純物として添加されるInPからなっており、半絶縁性半導体である。なお、メサストライプ構造の幅は1.4μmで、高さは3.4μmである。埋め込み層19の層厚は5.0μmである。
【0032】
埋め込み層19は、半絶縁性半導体からなり、例えば、鉄(Fe)やRuなどの不純物が添加される半導体である。メサストライプ構造に含まれるp型層のp型ドーパントである不純物と、埋め込み層に含まれる不純物とが、相互拡散をするために、p型層のp型ドーパントである不純物が、メサストライプ構造の両側から埋め込み層に拡散するという問題が生じる。p型層の不純物が埋め込み層に拡散することにより、変調器部6の駆動時に、MQW層4に印加される電界が、埋め込み層19にも広がることとなり、変調器としての特性を劣化させる。
【0033】
メサストライプ構造に含まれるp型層のp型ドーパントとして、亜鉛(Zn)が用いられるのが一般的であり、埋め込み層19の不純物にFeを用いる場合、ZnとFeの相互拡散は強いので、Znがより埋め込み層19へ拡散することとなる。Znとの相互拡散との観点から、埋め込み層19に添加する不純物は、Ruが望ましい。RuはZnとの相互拡散が、Feなどと比較して弱いので、Znが埋め込み層に拡散するのが抑制され、変調器としての特性が向上する。
【0034】
図2は、Ruが不純物として添加されるInPからなる埋め込み層の層厚dに対するf3dB帯域の計算結果を示す図である。ここで、当該計算において、EA変調器の変調器長を100μm、メサストライプ構造の幅を1.5μm、MQW層を含むアンドープ層の層厚を260nmと仮定している。例えば、25Gbit/s動作を可能とする帯域25GHzを満足するためには、埋め込み層の層厚dは3.5μm以上必要であることが分かる。また、埋め込み層に、相互拡散が小さいRuを不純物として用いることにより、発振器部では、漏れ電流を低減させることができるため、閾値電流の低減、高光出力が実現できる。同様に、変調器部では、駆動時の電界の漏れを低減させることができるため、電圧が効率よくMQW層に印加され、高光出力が実現できる。
【0035】
また、前述の通り、図1Bの図中左側端面から右側には、メサストライプ構造を有する半導体多層が形成されておらず、埋め込み層19によって埋め込まれている窓構造18となっている。窓構造18の長さは5μm以上が望ましく、当該EA変調器集積型DFBレーザ素子50においては、窓構造18の長さは15μmである。窓構造18とは、半導体光素子の導波路領域の光の出射方向に対して先端部分において、光の閉じ込め層を有していないバルクの半導体によって埋め込まれている構造をいう。半導体光素子の内部の導波路領域を通過する光は、窓構造18を通過して、反射防止膜24に到達する。反射防止膜24の反射率は非常に低く、多くの光は反射防止膜24を通過して、半導体光素子から外部へ出射される。しかし、一部の光は反射防止膜24で半導体光素子内部へ反射される。この場合であっても、窓構造18によって、反射された光が再び、導波路領域に進入し、発振器部11まで到達することが抑制されるので、高周波応答特性(S21特性)が向上される。
【0036】
また、当該EA変調器集積型DFBレーザ素子50において、デチューニング量ΔHは、エネルギー換算して、23meV以上40meV以下となるのが望ましい。これら範囲は、以下のように説明される。
【0037】
図3は、デチューニング量ΔHに対する変調時光出力Pmodを、図4は、デチューニング量ΔHに対する変調時消光比ACERを、図5は、デチューニング量ΔHに対するf3dB帯域を、それぞれ表す図である。測定に用いたEA変調器集積型DFBレーザ素子は、変調器部の長さが100μmであり、EA変調器のMQW層を含むアンドープ層の層厚が260nmである。また、レーザ駆動電流If=50mAとして、測定を行っている。図に示すデチューニング量ΔHは、発振器部の発振波長λDFBと変調器部吸収端波長λEAそれぞれの波長エネルギーEを、それぞれ、E=(h/2π)・(c/λ)を用いて、エネルギー換算し、それらの差の値を用いている。ここで、h及びcは、それぞれ、プランク定数及び真空中での光速を表している。
【0038】
図6は、デチューニング量ΔHに対する変調時光振幅OMAを表す図である。100Gbit/sイーサーネットの規格には、変調時光振幅OMA(Optical Modulation Amplitude)があり、変調時光出力Pfmodと変調時消光比ACERから、OMA=10log{(2×10Pfmod/10)×(10ACER/10−1)/(10ACER/10+1)}によって計算される。ここで、変調時光出力Pfmodとは、EA変調器集積型DFBレーザ素子を搭載するレーザモジュールでの変調時光出力をあらわし、EA変調器集積型DFBレーザ素子の変調時光出力Pmodからレーザモジュールでの結合損を引いたものである。図6は、レーザモジュールでの結合損を3dBと仮定し、図示している。
【0039】
図3に示す通り、デチューニング量ΔHが小さくなると、変調器部での吸収が増大するので、変調時光出力Pmodが減少し、図4に示す通り、変調時消光比ACERが増大する。それに応じて、図6に示す通り、変調時光振幅OMAも減少する。IEEE802.3ba規格で定められている変調時光振幅OMAの仕様である−1.3〜+4.5dBmを満足させるために、変調時光出力Pmod及び変調時消光比ACERを、それぞれ、+1.0〜+5.5dBm(すなわち、レーザモジュールでの結合損を3dBと仮定した場合に、変調時光出力Pfmodを−2.0〜+2.5dBm)、及び、8.0dB以上となる条件を求める。図3及び図4に表す矢印は、この範囲を、それぞれ示している。図3及び図4から求められるデチューニング量ΔHの範囲は、それぞれ、23meV以上40meV以下、及び、40meV以下である。このとき、図6から、変調時光振幅OMAは、IEEE802.3ba規格に対して、特性の経年劣化などを考慮しても十分に満たしている。図6に表す矢印は、IEEEの規格を表している。
【0040】
一方、図5に示す通り、デチューニング量ΔHが小さくなると、変調器部における光吸収が大きくなり、高周波特性に劣化傾向が見られると考えられる。伝送速度25Gbit/sにおける駆動を可能にするためには、f3dB帯域が25GHz以上ある必要があり、それを満たすデチューニング量ΔHは、23meV以上である。以上のことにより、これらすべての特性を満足するデチューニング量ΔHは、エネルギー換算して、23meV以上40meV以下である。
【0041】
次に、当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の製造方法を説明する。
【0042】
まず、変調器部6の多層構造の一部となる半導体多層を形成する(変調器半導体下層形成工程)。すなわち、n型InP基板1上に、順に、n型InPバッファ層2、InGaAlAs下側ガイド層3、MQW層4、p型InGaAlAs上側ガイド層5、及び、p型InPキャップ層を、有機金属気相成長法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:以下、MO−CVDと記す)によって形成する。p型InPキャップ層は後の工程で除去され、p型InPキャップ層以外の半導体多層が、変調器部6の光閉じ込め層となる。ここで、InGaAlAs下側ガイド層3及びMQW層4は、不純物が添加されていないアンドープ層である。MQW層4は、ともに、InGaAlAsからなる井戸層と障壁層を交互に積層することによって形成される。このとき、変調器部6の吸収端波長λEAが50℃において1250nmとなるように、MQW層4のInGaAlAsの組成を調整する。
【0043】
そして、熱CVD(Thermal Chemical Vapor Deposition)によって二酸化ケイ素(SiO2)膜を、ウェハ表面のうち、変調器部6となる領域のみに、パターン形成し、このSiO2膜をマスクとして、ドライエッチング及びウェットエッチングによって、変調器部6となる領域以外の領域にある半導体多層を、n型InPバッファ層2の上面に至るまで除去する。
【0044】
次に、発振器部11の多層構造の一部となる半導体多層を形成する(発振器半導体下層形成工程)。n型InPバッファ層2の上側に、n型InGaAsP下側ガイド層7、MQW層8、p型InGaAsP上側ガイド層9、回折格子層10となる厚さ20nmのp型InGaAsP層、及び、p型InPキャップ層を、MO−CVDによって形成する。p型InPキャップ層以外の半導体多層が、発振器部11の光閉じ込め層となる。ここで、MQW層8は、アンドープ層であり、ともに、InGaAsPからなる井戸層と障壁層を交互に積層することによって形成される。
【0045】
そして、発振器半導体下層形成工程と同様に、熱CVDによってSiO2膜を、ウェハ表面のうち、変調器部6及び発振器部11となる領域にのみに、パターン形成し、ドライエッチング及びウェットエッチングによって、変調器部6及び発振器部11となる領域以外の領域、すなわち、導波路部12となる領域、にある半導体多層を、n型InPバッファ層2の上面に至るまで除去する。
【0046】
さらに、導波路部12の多層構造の一部となる半導体多層形成する(導波路部半導体下層形成工程)。n型InPバッファ層2の上側に、同様に、コア層及びp型InPキャップ層を、MO−CVDによって形成する。コア層が、導波路部12の光閉じ込め層となる。ここで、コア層は3層からなり、ともにアンドープ層である。コア層は、組成波長1.1μmのInGaAsP層13,14で、組成波長1.15μmのInGaAsP層15を挟みこむよう、形成される。この際、変調器部6と発振器部11の実効屈折率と、導波路部12の実効屈折率が、ほぼ一致するように、コア層を構成するInGaAsP層13,14,15それぞれの膜厚を調整している。この際に、変調器部6と導波路部12の間、及び、導波路部12と発振器部11の間を、公知のパットジョイント技術により光学的に接続する。
【0047】
なお、ここでは、InGaAsP系材料を用いてコア層を形成しているが、InGaAlAs系材料を用いて形成してもよい。コア層の組成波長は、1.2μm以下が望ましい。
【0048】
以上、変調器部6、発振器部11、導波路部12の順に、それぞれにおいて光閉じ込め層となる半導体多層を形成する工程について説明したが、これら工程の順番はこれに限られない。
【0049】
これら工程の後、発振器部11の回折格子を形成する(回折格子形成工程)。ウェハ表面のうち、発振器部11のp型InPキャップ層のみエッチングし、発振器部11のp型InGaAsP層を露出させる。そして、p型InGaAsP層に干渉露光法を施し回折格子(grating)を形成することにより、回折格子層10を形成する。このとき、50℃における発振器部11の発振波長λDFBが1295.5nmとなるピッチに設計することにより、デチューニング量ΔHを45.5nm(エネルギー換算すると、34.8meV)にする。回折格子形成工程において、干渉露光法の代わりに、電子線(Electron Beam:以下、EBと記す)描画法によって、回折格子を形成してもよい。
【0050】
回折格子層10を形成後、素子全体に亘って、残りの半導体多層を形成する(素子半導体上層形成工程)。ウェハ表面に形成されているp型InPキャップ層をエッチングにより除去し、p型InPクラッド層16、p型コンタクト層17、p型InP保護層を、MO−CVDによって形成する。これらp型層のp型ドーパントには、ともにZnを用いる。
【0051】
素子半導体上層形成工程の後、半導体多層の両側を除去して、メサストライプ構造を形成する(メサストライプ形成工程)。ウェハ表面のうち、素子の導波路領域の上方となる領域に、SiO2膜をパターン形成し、このSiO2膜をマスクとして、ドライエッチング若しくはウェットエッチングによって半導体多層を除去し、変調器部6、導波路部12、発振器部11に亘って、幅1.4μm、高さ3.4μmのメサストライプ構造を形成する。このときに、変調器部6及び発振器部11のMQW層4,8を含むそれぞれの光閉じ込め層と、導波路部12のコア層は、メサストライプ構造両脇の底部(n型InPバッファ層2の上面のうち、メサストライプ構造の両脇の領域)から約1μmの高さとなるように、メサストライプ構造を形成する。また、SiO2膜にパターン形成する際に、ウェハ表面のうち、光の出射側の素子端面(変調器部6側の素子端面)から15μmの領域には、SiO2膜を形成しない。その結果、この領域の半導体多層は、エッチングによって除去される。すなわち、メサストライプ構造の光の出射側の端面は、素子端面より約15μm内側に位置する。前述の通り、この除去される領域が、素子の窓構造18となる。
【0052】
メサストライプ形成工程の後、メサストライプ構造に対して、表面処理を施す(表面処理工程)。ウェハ全体を、塩素系ガス雰囲気の中にさらし、メサストライプ構造の側面をクリーニングする。これにより、メサストライプ構造の側面に露出している変調器部6のMQW層4もクリーニングされ、MQW層4にAlが含まれている場合であっても、完成後に、特性が向上される半導体素子の製造が可能となる。特に、変調器部6のMQW層4が、Al含有率が高い材料によって形成されている場合に、特性の向上はさらに高まる。
【0053】
表面処理工程の後、メサストライプ構造の側面を埋め込み層19によって埋め込む(埋め込み工程)。すなわち、メサストライプ構造の両脇部分及び先端部分に、Ruを不純物として添加されるInPによって、厚さ5.0μmの埋め込み層19を形成する。このときの結晶成長温度は、抵抗率と埋め込み形状が最適となるように、550℃〜600℃の間に設定するのが望ましい。
【0054】
埋め込み工程の後、p型電極21及びn型電極22を形成する(電極形成工程)。メサストライプ構造の最上層であるp型コンタクト層17のうち、導波路部12の領域を、除去する。これにより、変調器部6のp型コンタクト層17と、発振器部11のp型コンタクト層17とが、電気的に絶縁される。それゆえ、除去されることにより生じる溝は、アイソレーション溝と呼ばれている。さらに、ウェハ表面全体に、SiO2からなるパッシベーション膜20を形成する。形成されるパッシベーション膜20のうち、変調器部6及び発振器部11のメサストライプ構造の上方それぞれの一部を除去し、スルーホールとする。変調器部6及び発振器部11それぞれのスルーホールを覆うように、ウェハ表面に、順に、Ti、Pt、Auの金属膜を蒸着し、イオンミリングによって電極パターンを施すことにより、変調器部6及び発振器部11それぞれのp型電極21を形成する。その後、ウェハの下面を、ウェハが100μmから150μm程度になるまで研磨加工し、ウェハ下面に、順に、AuGe、Ni、Ti、Pt、Auの金属膜を蒸着することにより、n型電極22を形成する。
【0055】
電極形成工程の後、ウェハをチップ化することにより、EA変調器集積型DFBレーザ素子50は完成する(チップ化工程)。すなわち、ウェハをバー状に劈開し、変調器部6側の端面に反射率1%以下の反射防止膜24を、発振器部11側の端面に反射率90%以上の高反射膜23をそれぞれコーティングし、さらに、チップ状態に劈開することにより、素子は完成する。当該製造方法にて製造された当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50を、素子L0とする。
【0056】
100Gbit/sといった高速伝送速度であって、例えばメトロ網伝送に用いる10km以上の長距離光伝送が可能な半導体光素子、レーザモジュール、及び、光伝送装置が望まれている。100Gbit/sイーサーネット光伝送装置を実現する方式の一つとして、シングルモードファイバ(Single Mode Fiber:以下、SMFと記す)の波長分散が小さい1.3μm波長帯で25Gbit/s駆動する、異なる4波長の半導体光素子をパラレルに波長多重(Wavelength Division Multiplexing:以下、WDMと記す)する方式が主に用いられている。さらに、低消費電力化の観点から、レーザモジュール内で半導体光素子の温度を40〜60℃で動作(セミクールド動作)が可能な半導体素子が望ましい。
【0057】
また、1.3μm波長帯では、従来、DFBレーザを高速電流変調することによって、光のオン・オフを行う直接変調型レーザが一般的であった。しかしながら、直接変調型レーザはチャーピングが大きいため、高速電流変調を行ったときに瞬時的なキャリアの変動で活性層の屈折率が変動して光の波長が変動する緩和振動現象を起こしやすい。それゆえ、伝送速度25Gbit/sといった高速変調を行うには、緩和振動周波数を上げる必要があり、1.3μm波長帯において、安定的な25Gbit/s駆動の直接変調型DFBレーザ素子の製造は困難である。
【0058】
それゆえ、WDMによって100Gbit/s駆動を可能とするために、上記の素子L0の他に、1.3μm波長帯で25Gbit/s駆動する、異なる3波長のEA変調器集積型DFBレーザ素子50を、同様の製造方法において製造した。これらを、素子L1、素子L2、素子L3とする。素子L1、素子L2、素子L3は、変調器部6の吸収波長λEAが、50℃において、それぞれ、1254.0nm、1259.0nm、1264.0nmとそれぞれなるよう、発振器部11の発振波長λDFBが、50℃において、それぞれ、1300.0nm、1304.5nm、1309.0nmとそれぞれなるよう製造されている。ここで、デチューニング量ΔHは、エネルギー換算して、いずれも約34meVである。
【0059】
これら素子について、窒化アルミニウム(AlN)製の50Ω終端抵抗がついたチップキャリアにAuSnはんだを用いて搭載し、発振器部11及び変調器部6それぞれに通電するための導線をボンディングして、素子温度TLD=50℃において、特性評価を行った。変調時光出力Pmod及び変調時消光比ACERは、変調器部6の逆バイアス電圧Vea=−0.3V、変調電圧Vmod=2.0Vにおいて、特性評価を行っている。
【0060】
【表1】
【0061】
表1は、4個の素子L0,L1,L2,L3における素子の特性を表す表である。表1に示す通り、発振閾値電流Ith及びレーザ駆動電流If=50mAでの光出力Poも良好な値を示しており、いずれの素子も、100Gbit/sイーサーネット光伝送装置に搭載する素子として、十分な特性を示している。表面処理工程において、メサストライプ構造のMQW層4のAl表面をクリーニングすることによって、良好な特性・信頼度を示すことが確認される。
【0062】
[第2の実施形態]
本発明の第2の実施形態に係る半導体光素子は、第1の実施形態と同様に、BH構造を有するEA変調器集積型DFBレーザ素子50である。当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50は、第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50と、基本的な構成及び製造方法は同じであるが、当該EA変調器集積型DFBレーザ素子50は、1.3μm波長帯で伝送速度40Gbit/s光伝送用に用いられ、40℃から60℃といった温度における駆動が可能である。
【0063】
図7Aは、当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の上面図であり、図7B及び図7Cは、その断面図である。図7Bは、図7Aに示すEA変調器集積型DFBレーザ素子50のVIIB−VIIB破線を貫く断面を、図7Cは、VIIC−VIIC破線を貫く断面を、表している。
【0064】
当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の製造方法においても、第1の実施形態と同様に、メサストライプ形成工程の後、メサストライプ構造に対して、塩素系ガスによる表面処理を施す表面処理工程を行い、その後に、メサストライプ構造の両脇に埋め込み層19を形成する埋め込み工程を行っている。
【0065】
また、回折格子形成工程において、50℃における発振器部11の発振波長λDFBが1300.0nmとなるよう、回折格子の回折ピッチを設計することにより、デチューニング量ΔHを50nm(エネルギー換算すると、38meV)にする。
【0066】
当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の変調器部6には、p型電極21のパッド部とパッシベーション膜20との間に、ポリイミド樹脂30が形成されている。変調器部6には寄生容量が存在し、その中の一つに、p型電極21のパッド部と、n型InP基板1の間に生じる寄生容量がある。ここで、p型電極21のパッド部は、図7Aに示すp型電極21のうち、長方形状をしている領域である。p型電極21のパッド部は、p型電極21に印加する電圧を供給するために、導線を接続するための領域であり、導線との電気的接続を確保するために十分となる面積を確保する必要がある。それゆえ、当該寄生容量を低減するために、埋め込み層19より誘電率の小さいポリイミド樹脂30を、パッシベーション膜20とp型電極21のパッド部の間に配置することにより、当該寄生容量は、小さい誘電率であるポリイミド樹脂30と、埋め込み層19との直列接続されたものと等価であり、当該寄生容量が低減される。
【0067】
ポリイミド樹脂30を形成するために、第1の実施形態において説明した電極形成工程において、ウェハ表面全体にパッシベーション膜20を形成後、ウェハ表面全体に、厚さ3μmのポリイミド樹脂30を塗布する。p型電極21のパッド部となる領域に対応してマスクをし、マスクされていない領域にあるポリイミド樹脂30を、酸素とアルゴンの混合ガスによるエッチバックにより除去する。その後は、パッシベーション膜20にスルーホールを形成し、さらに、p型電極21を形成する。
【0068】
当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50について、第1の実施形態と同様に、特性評価を行った。その結果、素子温度TLD=50℃において、発振閾値電流Ith=15.6mA、レーザ駆動電流If=50mAでの光出力Po=9.3dBm、発振波長λDFB=1300.23nmであり、また、f3dB帯域は42.1GHz、変調時光出力Pmod=+4.9dBm、変調時消光比ACER=8.1dBであった。これらは、40Gbit/sイーサーネットシリアル伝送に十分な特性を示している。表面処理工程において、メサストライプ構造のMQW層4のAl表面をクリーニングすることによって、良好な特性・信頼度を示すことが確認される。
【0069】
[第3の実施形態]
本発明の第3の実施形態に係るレーザモジュールは、第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50が搭載されるレーザモジュール51であり、40℃から60℃といった温度における駆動が可能である。
【0070】
図8は、当該実施形態に係るレーザモジュール51の構成を表す図である。第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50は、50Ω終端抵抗が付いた窒化アルミ二ウム(AlN)製のチップキャリア102に、AuSnはんだを用いて、搭載されている。チップキャリア102は、温度調整手段であるペルチエ基板103の上側に搭載されており、それらが、パッケージ110に搭載されている。サーミスタ104、モニタフォトダイオード107、集光用レンズ108が、さらに、パッケージ110に搭載されている。ここで、集光用レンズ108は、EA変調器集積型DFBレーザ素子50の光の出射方向に出力する前方出力光105を、光の出射先に接続される光ファイバー109へ、光を集光するためのレンズである。モニタフォトダイオード107は、EA変調器集積型DFBレーザ素子50の光の出射方向と反対方向に出力する後方出力光106を受光している。
【0071】
パッケージ110の外部には、レーザ駆動電流源111が設けられ、モニタフォトダイオード107で受光する後方出力光106のパワー変動が、レーザ駆動電流源111に帰還され、発振器部11に供給する電流量が制御されることにより、前方出力光105のパワーを一定に保つAPC(Auto Power Control)制御が行われる。なお、EA変調器集積型DFBレーザ素子50の変調器部6に対しては、変調器高周波信号源112より、変調器駆動信号が供給される。
【0072】
また、ペルチエ駆動電流源113によって、EA変調器集積型DFBレーザ素子50に対して、ATC(Auto Temperature Control)制御が行われる。すなわち、サーミスタ104は、EA変調器集積型DFBレーザ素子50の温度を検知し、その温度をモニタ温度として、ペルチエ駆動電流源113へ出力する。モニタ温度に対応して、ペルチエ基板103に対して、ペルチエ駆動電流源113よりペルチエ駆動電流が供給される。ATC制御により、EA変調器集積型DFBレーザ素子50の温度を一定に保つことが可能となる。
【0073】
第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50において説明した4個の素子L0,L1,L2,L3それぞれを搭載する各レーザモジュール51について、25.8Gbit/s変調評価を行ったところ、各レーザモジュール51とも、100Gbit/sイーサーネット光伝送装置に搭載するレーザモジュールとして、十分な特性を示している。
【0074】
同様に、当該実施形態に係る光送受信モジュールは、第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50が搭載される光送信部と、公知の光受信部を備える光送受信モジュールである。光送受信モジュールの光送信部の構成は、レーザモジュール51の構成と同様のものとする。
【0075】
さらに、当該実施形態に係る光伝送装置は、レーザモジュール51若しくは光送受信モジュールが搭載される光伝送装置である。光伝送装置の他の構成については、公知のものと同じである。
【0076】
[第4の実施形態]
本発明の第4の実施形態に係る半導体光素子は、変調器部と発振器部とを備える集積レーザ部を、同一半導体上にモノシリックに、4個備えるEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52である。第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50として、4個の素子L0,L1,L2,L3について説明したが、当該EA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52は、それら4個の素子を、それぞれ集積レーザ部として、備えている。すなわち、当該EA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52の集積レーザ部は、それぞれ、1.3μm波長帯で伝送速度25Gbit/s光伝送用に用いられ、40℃から60℃といった温度における駆動が可能である。それゆえ、当該EA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52は、4個集積レーザ部それぞれより光出力がされるので、4個の光出力部を有しており、WDMにより、伝送速度100Gbit/s光伝送用に用いることが出来る。
【0077】
図9は、当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52の上面図である。当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52において、図9に示すA−A破線を貫く断面は、図1Bに示す断面であり、B−B破線を貫く断面は、図1Cに示す断面である。
【0078】
4個の集積レーザ部それぞれの変調器部6の吸収端波長λEAは、50℃において1259nmとなるよう、変調器部6のMQW層4の組成が調整されている。また、4個の集積レーザ部それぞれの発振器部11の発振波長λDFBは、50℃において、順に、1295.5nm、1300.0nm、1304.5nm、1309.0nmとなるように、回折格子の回折ピッチがそれぞれ設計され、回折格子層10がそれぞれ形成されている。これら4個の集積レーザ部は、順に、第1の実施形態に係る4個の素子、L0,L1,L2,L3に対応しており、それぞれ、集積レーザ部L0,L1,L2,L3とする。ここで、4個の集積レーザ部において、デチューニング量ΔHは、順に、36.5nm、41.0nm、45.5nm、50.0nm(エネルギー換算すると、それぞれ、27.8meV、31.1meV、34.3meV、37.6meV)となっている。
【0079】
当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52の製造方法は、第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の製造方法と、基本的には同じであり、メサストライプ形成工程の後、メサストライプ構造に対して、塩素系ガスによる表面処理を施す表面処理工程を行い、その後に、メサストライプ構造の両脇に埋め込み層19を形成する埋め込み工程を行っている。
【0080】
当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52の製造方法は、第1の実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザ素子50の製造方法と、以下の点において主に異なる。
【0081】
変調器半導体下層形成工程において、4個の集積レーザ部それぞれの変調器部6の吸収端波長λEAが50℃においてともに1259nmとなるように、各変調器部6のMQW層4のInGaAlAsの組成を調整する。
【0082】
また、回折格子形成工程において、EB描画法によって、4個の集積レーザ部それぞれの発振器部11の発振波長λDFBが、50℃において、順に、1295.5nm、1300.0nm、1304.5nm、1309.0nmとなるように、回折格子の回折ピッチをそれぞれ設計して、回折格子を形成する。
【0083】
さらに、チップ化工程において、隣り合う4個の集積レーザ部を1個のチップとして劈開する。
【0084】
以上の製造方法によって製造することにより、当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52は、それぞれの集積レーザ部より、異なる発振波長λDFBの光を出射することが出来る。
【0085】
当該実施形態に係るEA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52について、第1の実施形態と同様に、素子温度TLD=50℃において、特性評価を行った。なお、この際、それぞれ導波路領域に高周波電圧が印加される4個の集積レーザ部が隣り合って配置されているので、チップキャリアに搭載する際、実装上の工夫を施す必要がある。
【0086】
【表2】
【0087】
表2は、当該EA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52の4個の集積レーザ部L0,L1,L2,L3における特性を表す表である。変調時光出力Pmod及び変調時消光比ACERは、変調器部6の逆バイアス電圧Veaは表2に示す値により、また、変調電圧Vmod=2.0Vにおいて、特性評価を行っている。
【0088】
当該EA変調器集積型DFBレーザアレイ素子52の4個の集積レーザ部において、デチューニング量ΔHがそれぞれ異なっているので、レーザ駆動電流If=50mAでの光出力Poは、集積レーザ部L3において最も大きくなっている。また、波長が長くなるにつれて、逆バイアス電圧Veaの絶対値を大きくすることにより、各集積レーザ部において、近い値の変調時消光比ACERが実現される。また、その他の特性についても駆動条件を変更することにより、100Gbit/sイーサーネット光伝送装置に搭載する素子として、十分な特性を示している。表面処理工程において、メサストライプ構造のMQW層4のAl表面をクリーニングすることによって、良好な特性・信頼度を示すことが確認される。
【0089】
以上、本発明に係る半導体光素子、レーザモジュールについて、説明した。本発明の特徴は、Alを含む量子井戸層と、不純物が添加される半導体埋め込み層とを備えるBH構造を有する変調器を備える半導体光素子において、メサストライプ構造を形成後、埋め込み層を形成する工程との間に、メサストライプ構造の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程を行うことにある。
【0090】
Alを含む量子井戸層とは、例えば、InGaAlAsからなるMQW層であるが、1.55μm波長帯に比べて、1.3μm波長帯のEA変調器のMQW層に含まれるAlの含有率が高い。それゆえ、1.3μm波長帯のEA変調器において、特性や信頼性の高い素子を製造することが困難であり、ので、1.3μm波長帯のEA変調器に対して本発明を適用することにより、本発明の効果はさらに高まっている。埋め込み層の層厚は、3.5μm以上が望ましい。
【0091】
また、半導体埋め込み層に添加する不純物としては、Ruが望ましい。メサストライプ構造のp型層にp型ドーパントとして添加されるZnに対して、Feなどと比較して、相互拡散が抑制されるので、不純物をRuとすることにより、変調器の特性が向上する。
【0092】
SMFを用いて、波長分散が小さい1.3μm波長帯の光伝送を行う場合、SMFの伝播損失は0.3〜0.4dB/km程度と大きい。それゆえ、半導体光素子には、1.55μm波長帯の光伝送よりも、より大きな光出力が求められている。
【0093】
変調器部と、発振器部が同一半導体基板上にモノリシックに集積される変調器集積型半導体光素子において、変調器部と発振器部との間に導波路部を設け、発振器部の発振波長より組成波長の短いバルク導波路をなすコア層を備え、変調器部及び発振器部それぞれとバットジョイント接続するようコア層を形成するのが望ましい。これにより、変調器集積型半導体光素子の光出力特性はさらに向上することとなる。なお、コア層は、InGaAsP若しくはInGaAlAsのいずれかを用いて形成するのが、さらに望ましい。1.3μm波長帯の変調器集積型半導体光素子において、コア層の組成波長は1.2μm以下となるよう、コア層を形成するのが、さらに望ましい。
【0094】
さらに、変調器部がEA変調器で、発振器部がDFBレーザからなるEA変調器集積型DFBレーザ素子において、デチューニング量ΔHを23meV以上40meV以下の範囲とするのが望ましい。すなわち、変調器部の吸収波長端の波長エネルギーより、発振器部の発振波長の波長エネルギーが、23meV以上40meV以下低くなるよう回折格子を形成するのが望ましい。これにより、EA変調器集積型DFBレーザ素子の特性はさらに高まる。
【0095】
また、本発明に係る半導体光素子は、上記EA変調器集積型DFBレーザ素子などのレーザとなる集積レーザ部が複数、同一基板上に集積されるレーザアレイ素子であってもよい。当該半導体光素子は、複数の光出力部を備えている。複数の集積レーザ部それぞれの変調器部は、変調器部の光閉じ込め層を形成する工程(変調器半導体下層形成工程)において、変調器部の吸収端波長λEAが同じ波長となるように形成し、複数の集積レーザ部それぞれの回折格子を形成する工程(回折格子形成工程)において、各集積レーザ部の発振波長λDFBに応じて、回折格子を形成するのが望ましい。その際、各集積レーザ部のデチューニング量ΔHがすべて、23meV以上40meV以下となっているのが、さらに望ましい。これにより、当該レーザアレイ素子の特性はさらに高まる。
【0096】
また、半導体光素子の出射側端面の内側には、メサストライプ構造が存在していない窓構造を有しているのが望ましい。これにより、素子の特性はさらに高まる。半導体多層の所定の領域を除去することによりストライプ構造を形成するが、この工程において、該所定の領域に、窓構造となる領域を含めて、この領域にある半導体多層を除去する。さらに、埋め込み層を埋め込む工程において、この領域にも埋め込み層を形成する。これにより、ストライプ構造の先端が出射側の端面より内側に位置し、窓構造が形成される。窓構造の長さ、すなわち、ストライプ構造の先端から出射側端面までの距離が、5μm以上あるのが望ましい。このとき、出射側の端面から5μm以内となる領域は、ストライプ構造を形成する際に除去する領域に含まれることとなる。
【符号の説明】
【0097】
1 n型InP基板、2 n型InPバッファ層、3 InGaAlAs下側ガイド層、4 MQW層、5 p型InGaAlAs上側ガイド層、6 変調器部、7 n型InGaAsP下側ガイド層、8 MQW層、9 p型InGaAsP上側ガイド層、10 回折格子層、11 発振器部、12 導波路部、13,14,15 InGaAsP層、16 p型InPクラッド層、18 窓構造、19 埋め込み層、20 パッシベーション膜、21 p型電極、22 n型電極、23 高反射膜、24 反射防止膜、50 EA変調器集積型DFBレーザ素子、51 レーザモジュール、52 EA変調器集積型DFBレーザアレイ素子、102 チップキャリア、103 ペルチエ基板、104 サーミスタ、105 前方出力光、106 後方出力光、107 モニタフォトダイオード、108 集光レンズ、109 ファイバー、110 パッケージ、111 レーザ駆動電流源、112 変調器高周波信号源、113 ペルチエ駆動電流源。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、
前記変調器部は、
アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、
前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、
前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、
前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、
前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、
順に含むことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項2】
請求項1に記載の半導体光素子の製造方法であって、
インジウムガリウムアルミニウム砒素を材料として前記量子井戸層を形成する工程を、さらに備える、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項3】
請求項2に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記量子井戸を形成する工程において、
1.3μm波長帯に用いられる組成に調整して前記量子井戸層を形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項4】
請求項1に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記半導体埋め込み層に添加される前記不純物とは、ルテニウムである、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項5】
請求項4に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記半導体埋め込み層を形成する工程において、
層厚が3.5μm以上の前記半導体埋め込み層を形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項6】
請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記半導体光素子は、
前記入力される光を出力する発振器部と、
前記発振器部と前記変調器部の間を接続するとともに、コア層を備える導波路部と、
をさらに備え、
前記発振器部と前記導波路部との間、及び、前記導波路部と前記発振器部との間を、パットジョイント接続し、前記コア層を形成する工程を、
さらに、含むことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項7】
請求項6に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記コア層を形成する工程において、
インジウムガリウム砒素燐、若しくは、インジウムガリウムアルミニウム砒素を材料として前記コア層を形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項8】
請求項6又は請求項7に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記変調器部は、電界吸収型変調器であり、
前記発振器部は、回折格子を備える分布帰還型半導体レーザであり、
前記変調器部の吸収波長端の波長エネルギーより、前記発振器部の発振波長の波長エネルギーが、23meV以上40meV以下低くなるよう回折格子を形成する工程を、さらに含む、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項9】
請求項8に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記変調器部は、複数の光出力部を有し、前記複数の光出力部それぞれより光を出力するとともに、前記複数の光出力部に対応して、前記メサストライプ構造を有する前記半導体多層を複数備え、
前記発振器部は、前記複数の光出力部にそれぞれに対応して前記回折格子を複数備え、
前記回折格子を形成する工程において、
前記複数の光出力部にそれぞれ対応する発振波長となるよう、前記複数の回折格子をそれぞれ形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項10】
請求項8又は請求項9に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記メサストライプ構造とする工程において、前記半導体多層の所定の領域に、前記半導体光素子の光の出射側の端面から5μm以内となる領域を含んでいるとともに、
前記半導体埋め込み層を形成する工程において、該領域を、前記半導体埋め込み層を形成することにより窓構造を形成する、
ことを特徴とする、半導体素子の製造方法。
【請求項11】
請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法によって製造される半導体光素子を備える、レーザモジュール。
【請求項12】
請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法によって製造される半導体光素子を備える、光伝送装置。
【請求項1】
出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、
前記変調器部は、
アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、
前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、
前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、
前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、
前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、
順に含むことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項2】
請求項1に記載の半導体光素子の製造方法であって、
インジウムガリウムアルミニウム砒素を材料として前記量子井戸層を形成する工程を、さらに備える、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項3】
請求項2に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記量子井戸を形成する工程において、
1.3μm波長帯に用いられる組成に調整して前記量子井戸層を形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項4】
請求項1に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記半導体埋め込み層に添加される前記不純物とは、ルテニウムである、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項5】
請求項4に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記半導体埋め込み層を形成する工程において、
層厚が3.5μm以上の前記半導体埋め込み層を形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項6】
請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記半導体光素子は、
前記入力される光を出力する発振器部と、
前記発振器部と前記変調器部の間を接続するとともに、コア層を備える導波路部と、
をさらに備え、
前記発振器部と前記導波路部との間、及び、前記導波路部と前記発振器部との間を、パットジョイント接続し、前記コア層を形成する工程を、
さらに、含むことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項7】
請求項6に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記コア層を形成する工程において、
インジウムガリウム砒素燐、若しくは、インジウムガリウムアルミニウム砒素を材料として前記コア層を形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項8】
請求項6又は請求項7に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記変調器部は、電界吸収型変調器であり、
前記発振器部は、回折格子を備える分布帰還型半導体レーザであり、
前記変調器部の吸収波長端の波長エネルギーより、前記発振器部の発振波長の波長エネルギーが、23meV以上40meV以下低くなるよう回折格子を形成する工程を、さらに含む、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項9】
請求項8に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記変調器部は、複数の光出力部を有し、前記複数の光出力部それぞれより光を出力するとともに、前記複数の光出力部に対応して、前記メサストライプ構造を有する前記半導体多層を複数備え、
前記発振器部は、前記複数の光出力部にそれぞれに対応して前記回折格子を複数備え、
前記回折格子を形成する工程において、
前記複数の光出力部にそれぞれ対応する発振波長となるよう、前記複数の回折格子をそれぞれ形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項10】
請求項8又は請求項9に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記メサストライプ構造とする工程において、前記半導体多層の所定の領域に、前記半導体光素子の光の出射側の端面から5μm以内となる領域を含んでいるとともに、
前記半導体埋め込み層を形成する工程において、該領域を、前記半導体埋め込み層を形成することにより窓構造を形成する、
ことを特徴とする、半導体素子の製造方法。
【請求項11】
請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法によって製造される半導体光素子を備える、レーザモジュール。
【請求項12】
請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法によって製造される半導体光素子を備える、光伝送装置。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8】
【図9】
【図1B】
【図1C】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8】
【図9】
【公開番号】特開2012−2929(P2012−2929A)
【公開日】平成24年1月5日(2012.1.5)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−136220(P2010−136220)
【出願日】平成22年6月15日(2010.6.15)
【出願人】(301005371)日本オプネクスト株式会社 (311)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年1月5日(2012.1.5)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年6月15日(2010.6.15)
【出願人】(301005371)日本オプネクスト株式会社 (311)
【Fターム(参考)】
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