【課題】半導体リッジから来るキャリアの横広がりを低減可能な構造を有する窒化物半導体発光素子を提供できる。
【解決手段】｛２０−２１｝面上の半導体レーザではホールバンドにおいてこのヘテロ接合に二次元ホールガスが生成される。二次元ホールガスを生成するヘテロ接合が、半導体リッジから外れて位置するとき、この二次元ホールガスは、ｐ側の半導体領域においてキャリアの横広がりを引き起こしている。一方、c面上の半導体レーザでは、ホールバンドにおいてこのヘテロ接合に二次元ホールガスが生成されない。ヘテロ接合ＨＪが半導体リッジに含まれるとき、半導体リッジから流れ出たキャリアには、二次元ホールガスの働きによる横広がりがない。 （もっと読む）

【課題】 高効率なレーザビームを出力可能な半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 この半導体レーザ素子は、半導体からなる下部クラッド層Ｂと、半導体からなる上部クラッド層Ｃと、下部クラッド層Ｂと上部クラッド層Ａとにより挟まれ、積層された複数の半導体層からなり、下部クラッド層Ｂ及び上部クラッド層Ｃのいずれよりも平均屈折率が高いコア層Ａとを備えている。コア層Ａは、量子井戸層からなる活性層３Ｂと、フォトニック結晶層４とを含み、動作時におけるコア層Ａ内の厚み方向の電界強度分布が、２つのピークを有しており、ピーク間の谷の位置は、活性層３Ｂとフォトニック結晶層４との間の領域内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】単一モードを有する光ビームを出射し得る発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、（ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層２１、化合物半導体から成る活性層２３、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層２２が、順次、基体２０’上に積層されて成る積層構造体２０、（ｂ）第２電極３２、並びに、（ｃ）第１電極３１を備えており、積層構造体２０は、少なくとも第２化合物半導体層２２の厚さ方向の一部分から構成されたリッジストライプ構造２０Ａを有し、第１化合物半導体層２１は０．６μｍを超える厚さを有し、第１発光素子層２１内には、第１化合物半導体層２１を構成する化合物半導体材料の屈折率よりも高い屈折率を有する化合物半導体材料から成る高屈折率層２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性向上と、可飽和吸収特性発現の抑制とをともに実現する、ＩｎＧａＡｌＡｓ量子井戸層を活性層に含むリッジ導波路型半導体レーザ素子の提供。
【解決手段】ＩｎＧａＡｌＡｓ量子井戸層を含む活性層と、エッチング停止層と、前記エッチング停止層の上側に配置される上部メサ部と、を備える半導体多層と、前記半導体多層の上表面に形成される絶縁膜と、前記半導体多層及び前記絶縁膜を覆うとともに前記上部メサ部の上面に接して形成される電極膜と、を備える、半導体レーザ素子であって、前記リッジ部の両側面それぞれは、前記電極膜が形成されずに露出している露出領域を有し、前記リッジ部の両側面それぞれの前記露出領域は、前記リッジ部の一方の端面から、前記電極膜が前記リッジ部上面を前記一方の端面へ延伸する先端より内側へ、及んでいる、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半極性面上に良好な物理的接触を成す電極の形成とリッジ構造の形成との両方を可能にする、窒化物半導体発光素子を作製する方法が提供される。
【解決手段】エッチング装置１０ｆにおいて、リッジ形状を規定するパターンを有するハードマスク４３を形成する。このエッチングは、ＩＣＰ−ＲＩＥ法で行われる。エッチングは摂氏３００度以下の基板温度で行われる。ハードマスク４３を形成した後に、マスク４１を除去することができる。基板主面１１ａ及び半極性主面１３ａは基準軸Ｃｘに直交する面から６３度以上８０度以下の範囲の角度で傾斜することができる。この傾斜の角度範囲では、半極性主面１３ａは酸化されやすいステップを有する。ハードマスク４３を用いて半導体積層１３及び金属膜３３のエッチングを行って、金属層４５と窒化物半導体領域４７とを形成する。窒化物半導体領域４７は半導体リッジ４９を含む。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズ及びキンクの双方を効果的に抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、主面１０ａを有する半導体基板１０と、半導体基板１０の主面１０ａ上において主面１０ａに沿った方向Ａ１に並んで設けられ、シングルモードのレーザ光を出射する半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂとを備える。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各々は、方向Ａ１と交差し主面１０ａに沿った方向Ａ２に延びる光導波路構造２１と、方向Ａ２における光導波路構造２１の両端に形成された一対の共振端面２２ａ，２２ｂと、光導波路構造２１に電流を供給する為の電極２３とを有する。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの電極２３は互いに短絡されている。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各々から出射されるレーザ光は、互いに重なってマルチモードのレーザ光となる。 （もっと読む）

【課題】窓領域の形成による動作電流や導波損失の増加を抑制することができるとともに、製造歩留まりの良好な半導体レーザ素子、及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、量子井戸構造を有する活性層を含む半導体積層部を設けた半導体レーザ素子において、半導体積層部の上部にストライプ状の導波路を形成し、劈開により共振器端面を形成する。基板の主面に対して垂直上方からみた平面視において、共振器端面を形成するための劈開位置に沿う帯状の領域に、活性層の量子井戸構造よりもバンドギャップを広くした窓領域を形成するとともに、窓領域の一部を除去するための溝部を劈開位置に形成する。また、窓領域は、基板の主面と垂直な方向において、少なくとも活性層と同じ高さの位置に形成する。溝部は、基板の主面と平行であって導波路の長手方向と垂直な方向に導波路の端から離れるように形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層のクラックの発生を防止することが可能な光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体素子の製造方法は、半導体メサ１６を埋め込む埋め込み樹脂領域１８ａを形成する工程（Ｓ６）と、第２絶縁層１９ａ及びレジストマスク２１を形成する工程（Ｓ８）と、レジストマスク２１を用いてエッチングして開口２５を形成する工程（Ｓ９）と、レジストマスク２１を除去した後に、半導体メサ１６の上面１６ｓ及び第２絶縁層１９ａの上に導電層２６を形成する工程（Ｓ１２）と、第２絶縁層１９ａを除去することにより第２絶縁層１９ａの上の導電層２６ｂをリフトオフして半導体メサ１６の上面１６ｓに電極２７を形成する工程（Ｓ１３）と、電極２７を熱処理する工程（Ｓ１４）と、埋め込み樹脂領域１８ａの上に第３絶縁層２８を形成する工程（Ｓ１５）とを備える。 （もっと読む）