【課題】転位を少なくする半導体成長用基板および転位の少ない発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、 一方主面１５Ａから一部が突出するとともに、上面１４ａ´を有する突起１４ａを複数備えた単結晶基板１４と、
一方主面１５Ａの突起１４ａが配置されていない領域に設けられ、上部１４ａ´が突起１４ａの上面１４ａ´の高さ位置より高い位置にあるとともに、単結晶基板１４と異なる材料からなる複数の構造体１６と、単結晶基板１４上に構造体１６を被覆するように設けられた光半導体層１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、結晶成長面を有する単結晶基板１２であって、結晶成長面１２は複数の凸部１２ａと、複数の凸部１２ａ同士の間にそれぞれ設けられ、かつ複数の凸部１２ａから離隔する位置に設けられる凹部１２ｂと、を備える単結晶基板１２と、単結晶基板１２上に設けられ、複数の凸部１２ａのうち、一対の互いに隣接する凸部１２ａと、当該一対の凸部１２ａ同士の間に位置する凹部１２ｂにおいて、凹部１２ｂと一対の凸部１２ａとの間に位置する両結晶成長面から一対の凸部１２ａ同士の間に向かって延びる複数の転位１６を、一対の凸部１２ａ同士の間で結合させた光半導体層１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】２ＤＰＣ光共振器を用いた光源装置に関して、高い光取り出し効率を有するとともに集積化に適し、光出力の偏波方向を所望の方向に制御することが可能な、光源装置を提供すること。
【解決手段】デバイス基板と、該デバイス基板上にウエハ接合用接着材料を介して形成された、コアに発光体が導入された２次元フォトニック結晶光共振器、水素化アモルファスシリコン光導波路及び該水素化アモルファスシリコン光導波路を伝搬する光を反射するための反射ミラーとを含む光源装置であって、該２次元フォトニック結晶光共振器が、少なくとも１つの鏡映面を有し、該水素化アモルファスシリコン光導波路が、２次元フォトニック結晶光共振器近傍において、少なくとも１つの鏡映面を有するとともに、２次元フォトニック結晶光共振器、水素化アモルファスシリコン光導波路が、互いの鏡映面が重なり合うように配置されていることを特徴とする光源装置。 （もっと読む）

【課題】動作中の温度上昇が著しく僅かな点で優れた半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体チップ１は活性層５を有しており、主放射方向６へ放射を送出する。活性層５はこの主放射方向６に対し垂直な方向で構造形成されており、これによって自然放出放射１０による半導体チップ１の加熱が低減される。 （もっと読む）

チューナブルレーザは、シリコン材料を含む基板と、基板に結合された利得媒質とを含む。利得媒質は、化合物半導体材料を含む。本チューナブルレーザは、基板内に配置され、利得媒質に光結合された導波路と、第１の反射率スペクトルによって特徴付けられ、基板内に配置された第１の波長選択性素子と、第２の反射率スペクトルによって特徴付けられ、基板内に配置された第２の波長選択性素子をも含む。本チューナブルレーザは、基板内に配置され、第１の波長選択性素子と第２の波長選択性素子と導波路とを接合する光カプラと、出力ミラーとをさらに含む。 （もっと読む）

光電子素子は、第１の電極と、第１の電極上に配置される量子ドット層であって、複数の量子ドットを含む量子ドット層と、量子ドット層上に直接配置されるフラーレン層であって、量子ドット層とフラーレン層とが電子的ヘテロ接合を形成する、フラーレン層と、フラーレン層上に配置される第２の電極とを含む。素子は、電子ブロッキング層を含んでもよい。量子ドット層は、向上した電荷キャリア移動度を呈するように、化学処置によって修飾されてもよい。
（もっと読む）

【課題】高速で長距離伝送にすぐれた光通信用光源を提供する。
【解決手段】光通信用光源は、特定波長の光波を出力できる半導体レーザ１０と、半導体レーザ１０からの出力光が入力され、その入力波長に応じて出力光強度が変化する外部波長フィルターとを備える。外部波長フィルターは、パワー透過率の波長周期が異なる第１、第２の波長フィルターが縦列接続された構成であり、半導体レーザ１０において周波数変調された光波を外部波長フィルターにより強度変調に変換する。第１、第２の波長フィルターは、波長の共振周期の異なる２つの導波路型光共振器１５，１６からなる。 （もっと読む）

【課題】検出精度が高く、且つ小型の光ジャイロセンサを提供する。
【解決手段】基板１と、リング状の光路を構成するように基板１上に配置され、第１レーザ光Ｌ１と第２レーザ光Ｌ２が互いに異なる周回方向に伝搬する光導波路２０と、光導波路２０を囲むように基板１上に配置され、光導波路２０から第１レーザ光Ｌ１と第２レーザ光Ｌ２のそれぞれ一部が移行する光取り出し距離ｄ_Aで光取り出し長Ｌ_Aにわたって光導波路２０の一部に隣接して配置された光取り出し部３０１を有する検出路３０と、光導波路２０から光取り出し部３０１に移行した第１レーザ光Ｌ１と第２レーザ光Ｌ２のそれぞれ一部が合波して検出路３０に生じるビート信号を検出する信号検出器４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から発生する熱を効率的に放散して温度上昇を防止し、特性と信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ等の半導体素子を構成する半導体薄膜１０を直接、高熱伝導特性を有する絶縁膜２上に接合すると共に、半導体薄膜１０の電極と導電性の基板１とをｎ側接続パッド２４によって電気的に接続する構造にしている。そのため、半導体素子から発生する熱が効率的に基板１へ伝導し、半導体素子の温度上昇を防止することができる。しかも、温度上昇を防止することができるので、半導体素子の特性や寿命が劣化することを防止することができ、優れた動作特性を示すと共に、信頼性が高い半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォワードバイアスが印加されると光ゲインを発生する活性要素を有する活性セクション１０６と、吸収セクション２０６と、前記活性セクションおよび前記吸収セクションを含むウエイブガイド１０３と、光に対する帰還を供給するミラー１１６、１１７を備え、前記ウェイブガイドは、前記ミラーの間に配置され、また、装置は、パルスレーザ光を放射するパルス体制において動作可能であるデータ伝送光電子装置３００に関する。
【解決手段】本発明は、追加の変調器３０６と、電子光効果により変調可能である屈折率と、前記変調器の屈折率の変調を提供するための手段２１３を有している、追加の変調器の屈折率は、出力パルスレーザ光の繰り返し周波数が変化するように変えられ、また、前記ウェイブガイド１０３は、更に、前記追加の変調器３０６を含む。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することができる発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。ここで、切断予定ラインに沿って半導体層１７ａ，１７ｂに基板１まで達しない溝２５を形成し、溝２５に臨む基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することにより多光子吸収による改質領域７を基板１にのみ形成し、基板１に力を印加することのみにより、改質領域７から発生した割れを基板１の厚さ方向に成長させ、切断予定ラインに沿って、基板１と共に、切断予定ライン上に存在する半導体層１７ａ，１７ｂを切断する。 （もっと読む）

【課題】高い光出力パワー用に適した光電子半導体素子を実現することである。
【解決手段】光電子半導体素子１は、ガリウムまたはアルミニウム物質のうち少なくとも１つを含む半導体結晶材料から構成され、表面に少なくとも１つの光学表面３が形成された、少なくとも１つの光学活性領域２と、光学活性領域２の、光学表面３に面する部分に形成された、硫黄またはセレンを含む、単分子層の１０層分までの層からなる、少なくとも１つの境界層４とを備える。 （もっと読む）

【課題】結合効率が高く位置合わせのトレランスが大きい結合を、簡単な構成で実現できる半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザモジュール３００は、半導体レーザ素子１００と少なくとも１つの屈折率分布型ロッドレンズ２００とを備える。半導体レーザ素子１００は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に積層された半導体多層膜を備える。半導体多層膜は、基板側から順に積層された下側クラッド層、活性層、および上側クラッド層を含む。半導体基板１０および半導体多層膜は、平坦面１０１と、平坦面１０１から突出するように形成され且つ第１および第２の端面を含む積層構造１０２とを構成している。屈折率分布型ロッドレンズ２００は、レーザ光がロイドのミラー干渉を生じる位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】３次元フォトニック結晶構造を用いた電流注入型光制御素子において、電流狭窄領域を精密に制御する。
【解決手段】光制御素子４は、周期的に配置された複数の第１の構造体をそれぞれ含む複数の周期構造層が、離散的に配置された複数の第２の構造体を含む少なくとも１つの離散構造層を間に挟んで積層されて構成された３次元フォトニック結晶４１と、該結晶内部に配置された活性部４２と、該結晶のうち導電性材料により構成された部分に接する電極４６，４７とを有する。複数の第２の構造体は、互いに異なる２以上の導電性材料により構成されている。該２以上の導電性材料のうち他の導電性材料よりも高い抵抗を有する少なくとも１つの導電性材料により構成された第２の構造体が、電流が注入された電極から活性部にキャリアを集中させて導くように配置されている。 （もっと読む）

【課題】２つの電極を電気的に完全に分離する半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】リッジ導波路型半導体集積素子１０は、互いに離間して配置されるＥＡ部１２の電極２０およびＬＤ部１４の電極２２と、電極２０および電極２２がそれぞれの上面に形成され、該上面の少なくとも一部の縁が該電極と同電位となる、互いに離間して配置されるＥＡ部１２のコンタクト層およびＬＤ部１４のコンタクト層と、それら２つのコンタクト層のうち一方の縁から他方の縁まで延伸する絶縁性の凹凸構造であるパッシベーション膜と、パッシベーション膜を埋めるポリイミド樹脂２６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】効率の良い電流注入が可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＤＢＲミラー２を形成し、ＤＢＲミラー２上にｎ型の導電層４を形成し、導電層４上の一部に発光層５を形成し、導電層４上の発光層５の側面に絶縁層７を形成し、絶縁層７及び発光層５上にｐ型の導電層８を形成し、導電層８上に、発光層５の直上に位置するようにＤＢＲミラー９を形成し、導電層４と電気的に接続した電極１０を形成し、導電層８上に電極１１を形成する。 （もっと読む）

単一の半導体材料層から複数の変調された光ビームを供給する装置及び方法である。一例では、装置は、単一の半導体材料層に配置された複数の光導波路を含む。各光導波路は、光導波路に沿って画定される光共振器を含む。複数の光導波路を横切るよう単一の半導体材料層に隣接する単一の増幅媒体材料棒が含まれる。増幅媒体と半導体材料との界面が、各光導波路に沿って画定される。複数の光変調器が、単一の半導体材料層に配置される。各光変調器は、各光導波路に光結合され、光共振器から導かれる各光ビームを変調する。 （もっと読む）

本発明は、光学的にポンピングされる半導体装置の製造方法に関する。この製造方法は、機械的に固く相互に接続されている複数の端子支持体（１４）を有する端子支持体結合体（５０）を提供するステップと、表面発光型の半導体ボディ（１）を前記端子支持体結合体（５０）の各端子支持体（１４）上に配置するステップと、半導体装置を個別化するステップとを有する。
（もっと読む）

【課題】 量子ドット光半導体素子の製造方法に関し、精度の高い制御性を要することなく偏波依存性の小さな量子ドットを形成する。
【解決手段】 下地半導体層１上に量子ドット２を形成したのち、量子ドット２の高さよりも低い膜厚の埋込層３を形成し、次いで、量子ドット２と前記埋込層３を形成している半導体と化合物を形成しない不活性な気体雰囲気４中において基板温度を量子ドット形成温度よりも上げることにより量子ドット２の頂部を平坦にする。 （もっと読む）

【課題】 基板と電極との間の寄生容量を十分に低減できる半導体光デバイスの製造方法及び半導体光デバイスを提供する。
【解決手段】 半導体光デバイス１は、化合物半導体から構成される活性層９を含むメサ部２３を有する基板２１と、メサ部２３を埋め込むように基板２１上に設けられた絶縁層１５と、絶縁層１５上に設けられメサ部２３に電気的に接続された電極１７とを備える。絶縁層１５は、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ_２Ｏ_３及びＺｒＯ_２のうち少なくとも１つの材料から構成される。 （もっと読む）