【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層１２と、複数の量子ドット層１２間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層１２に含まれる量子ドット１２ａの組成が、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ_yＳｂ_1-y（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表わされる。中間層には、組成がＩｎ_aＧａ_1-aＡｓ_bＰ_1-b（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）で表わされ、厚さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下のＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５と、ＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５の底面から１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満の高さに位置し、厚さが０．３ｎｍ以上２ｎｍ以下のＩｎＰ層１４と、が含まれている。 （もっと読む）

【課題】マストランスポートを抑制したバットジョイントを有する光集積デバイスを得る。
【解決手段】基板と、マストランスポートが基板より遅い材料で基板上に形成され、基板のマストランスポートを抑制する抑制層と、抑制層上に形成された第１導波路層と、第１導波路層上に形成され、第１導波路層の端面より内側に端面を有する上部層と、抑制層上に形成され、第１導波路層の端面に接する第２導波路層と、を備える光集積デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記下地層は、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。前記第１半導体層は、前記下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形である。前記発光部は、前記第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、前記複数の障壁層どうしの間に設けられ、前記複数の障壁層のバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有し、前記複数の障壁層の厚さよりも厚い井戸層と、を含む。前記第２半導体層は、前記発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み前記第１導電形とは異なる第２導電形である。 （もっと読む）

【課題】半導体からのＶ族原子の脱離を抑制しつつ同一面内でエッチング深さが異なる形状を簡易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマの所定の濃度に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面にて酸素プラズマによりポリマーの生成を抑制しつつ半導体表面のエッチングが進行する状態のみが発現するように前記開口部幅１９０５が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、マスク１９００が形成された前記半導体表面に前記炭化水素系プラズマおよび前記酸素プラズマを照射し、前記酸素プラズマを前記マスクの開口部幅方向にて前記開口部に拡散させることによりポリマーの生成を抑制するとともにエッチングに寄与する炭化水素系プラズマの濃度を制御する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】
歪みの点から、光半導体装置の偏光無依存性、発光波長ないし吸光波長の長波長化に改良を与える。
【解決手段】
光半導体装置は、第１の格子定数を有する半導体基板と、半導体基板上方に形成され、第１の格子定数より大きな第２の格子定数を有する量子ドットと、半導体基板上方で量子ドットの側面を囲み、第１の格子定数より小さな第３の格子定数を有するサイドバリアと、半導体基板上方で量子ドット及びサイドバリアに接して形成され、第１の格子定数より大きく、前記第２の格子定数より小さな第４の格子定数を有する第１の歪み緩和層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】再成長された半導体層をエッチングしてアライメントマークを掘り出す際に、アライメントマークの複数の凹部の形状の崩れを抑制できるアライメントマーク形成方法及び光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、組成中にＡｌを含む半導体層１６と、半導体層１６上に成長した半導体層１８とを有する半導体積層物１０において半導体層１８の一部を除去することにより、半導体層１６を底面とする複数の凹部２２を含むアライメントマーク２４を形成する工程と、半導体層１８上および複数の凹部２２上に埋込半導体層２６を成長させる工程と、アライメントマーク２４上に形成された埋込半導体層２６を除去して複数の凹部２２を露出させる工程とを備える。凹部２２の幅を１μｍより大きく且つ６μｍより小さく形成し、凹部２２の深さＤと凹部２２同士の間隔Ｓとの比（Ｓ／Ｄ）を３以上とする。 （もっと読む）

【課題】棒状構造の１次元フォトニック結晶を用いた光共振器において、Ｑ値を確保し、共振器熱抵抗を低くし、中心付近の温度上昇を抑制する。
【解決手段】低屈折率材料（空気等）からなる円柱または多角柱構造（１０７）を周期的に配置した高屈折率材料（Ｓｉ等）からなる棒状構造の１次元フォトニック結晶（１０１）に接して、熱伝導率が高く、前記１次元フォトニック結晶より薄く、かつ有限の幅を有するサイドスラブ（１０５）を配置し、前記サイドスラブの外側に熱伝導率が高い熱拡散構造体（１０６）を配置する。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】タイプII量子井戸構造を有する半導体発光素子の発光効率を高める。
【解決手段】この半導体レーザ素子の活性層は、交互に積層された第１の半導体層３１ａ及び第２の半導体層３１ｂを各々含む複数の半導体積層部と、該複数の半導体積層部の間に挟まれた分離層３２とを有する。第１の半導体層３１ａの伝導帯の最も低いエネルギー準位Ｅｃ_１は、第２の半導体層３１ｂの伝導帯の最も低いエネルギー準位Ｅｃ_２より低い。第２の半導体層３１ｂの価電子帯の最も高いエネルギー準位Ｅｖ_２は、第１の半導体層３１ａの価電子帯の最も高いエネルギー準位Ｅｖ_１より高い。分離層３２は第２の半導体層３１ｂより厚い。分離層３２と第１の半導体層３１ａとが互いに接しており、分離層３２の伝導帯の最も低いエネルギー準位Ｅｃ_３は、エネルギー準位Ｅｃ_１より高い。 （もっと読む）

【課題】厚みのある半導体基板に対し、正確な位置でのへき開を可能とするような十分な深さのガイド溝を形成する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板の製造方法は、インジウムリン化合物半導体またはガリウムヒ素化合物半導体からなる基板本体の表面に、開口幅が略４０ｕｍ以下である開口部が形成されたマスクを、その開口部が基板本体のへき開線に沿って延びるように転写する工程と、基板本体の表面に臭素系のエッチング液を用いてウエットエッチング処理を施すことによって、縦断面で略Ｖ字型を有するガイド溝を形成する工程と、ガイド溝に反応性ガスを用いてドライエッチング処理を施すことによって、底部の縦断面形状を略Ｖ字型に保持したままガイド溝の溝深さを深くする工程と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】保持基板上に成長したＩＩＩ族窒化物結晶を、結晶品質を劣化させることなく剥離することができる
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）保持基板２０上の表側主面に、第１のＩＩＩ族窒化物結晶層２２を形成する工程と、（ｂ）前記保持基板２０裏側主面からレーザ光を照射して、前記第1のＩＩＩ窒化物結晶層２２の裏面側をレーザ加工する工程と、（ｃ）前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面に第２のＩＩＩ族窒化物結晶層２４を成長する工程と、（ｄ）前記保持基板２０と前記第1のＩＩＩ族窒化物層２２の界面から分離する工程とを備え、（ｅ）前記工程（ｂ）において、前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面にレーザ加工時に発生する分解ガスを放出するガス放出構造体を設ける。これにより、レーザ加工部の基板全体に対する面積を大きくすることができるので、剥離の際の応力による結晶のクラックを低減できる。 （もっと読む）

【課題】小型でありかつ製造性が高い半導体光増幅器モジュールを提供すること。
【解決手段】半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器への入力光または該半導体光増幅器からの出力光の一部をモニタするための第１半導体光検出器とを同一基板上に集積した半導体装置部と、前記半導体装置部に接続し、前記半導体光増幅器に対して前記入力光の入力または前記出力光の出力を行なう第１受動導波路と、前記第１受動導波路から分岐し前記入力光または前記出力光の一部を前記第１半導体光検出器に入力させる第２受動導波路とを同一基板上に形成した受動導波路部と、を備える。 （もっと読む）

本発明によれば、デバイス、好ましくは偏光依存利得が小さい光増幅器が提供される。増幅器は、光利得を提供するための隣接する複数の半導体層を備えた利得媒体を備えており、これらの隣接する半導体層は、電子のための１つまたは複数の量子井戸を画定しており、利得媒体中における直接電子−正孔遷移および間接電子−正孔遷移の両方を提供するように動作する。伝導帯中の第１の量子化電子エネルギー準位および価電子帯中の第１の量子化正孔エネルギー準位は、第１の層中に位置している。価電子帯中の他の第１の量子化正孔エネルギー準位は、隣接する第２の層中に位置している。第１の層中の第１の量子化正孔エネルギー準位は、軽い正孔状態か、あるいは重い正孔状態のいずれかであり、第２の層中の他の第１の量子化正孔エネルギー準位は、第１の層中の第１の量子化正孔エネルギー準位とは異なる正孔状態である。第２の層は、Ｉｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＧａ_ｙＡｓ（ｘ＞０、ｙ＞０）を含んでいることが好ましい。
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【課題】部品を安価にでき、且つ、半導体レーザチップを容易に実装でき、且つ、放熱性を高くすることができる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置１０１は、半導体レーザチップ１１１と、この半導体レーザチップ１１１に熱的に接続されたステム１１２と、半導体レーザチップ１１１を覆うキャップ１１３とを備える。ステム１１２は、放熱部材１０２に取り付けられる裏面１２１と、裏面１２１の一部に対応する搭載面１１７と、裏面１２１および搭載面１１７に対して斜め方向に延びる取付面１１８とを有する。搭載面１１７は、サブストレート１１４を介して半導体レーザチップ１１１を搭載し、裏面１２１に対して略平行になっている。取付面１１８は、搭載面１１７の両側に位置する部分を有して、搭載面１１７の直上を開放している。 （もっと読む）

【課題】 ジッタ特性に優れた能動モード同期動作をし得、波長確定精度の高い波長可変光源を提供する。
【解決手段】 光を増幅させる光増幅媒体と波長分散を有する導波路とを共振器内に備えた発振波長を変化可能な第一の光源装置と、前記導波路に接続され変調光としてパルス光を前記第一の光源装置に導入する第二の光源装置と、を具備した波長可変光源装置であって、前記変調光により前記発振波長を相互利得変調による能動モード同期によって制御するとともに、前記変調光のパルス幅が、該変調光を発生させる駆動信号の半周期の時間幅よりも狭い時間幅を持つ波長可変光源装置。 （もっと読む）

【課題】高い出力で単一横モード動作をさせつつ、素子抵抗を小さくすることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。そして、射出面上に射出領域を取り囲んで設けられたｐ側電極１１３を有している。また、射出領域内に、該射出領域の中心部を取り囲んで設けられた光学的に透明な誘電体膜であるモードフィルタ１１５がλ／４の光学的厚さで形成されている。そして、ｐ側電極１１３におけるコンタクト層１０９に接触する部分の外側の外形は角を含む形状である。この場合、メサを大きくすることなく、ｐ側電極１１３とコンタクト層１０９との接触面積を従来よりも大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】低い閾値で高温状態においても高出力が可能な面発光型レーザ等に用いられるｐ型半導体ＤＢＲ構造体を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、ｐ型不純物元素としてＭｇまたはＺｎを含む、III−Ｖ族の化合物半導体材料により形成される低屈折率層と高屈折率層とが積層されたｐ型半導体ＤＢＲ構造体において、前記低屈折率層には、一部に不純物拡散防止層が設けられており、前記不純物拡散防止層におけるＡｌ組成比は、前記低屈折率層における不純物拡散防止層以外の領域におけるＡｌ組成比よりも高いことを特徴するｐ型半導体ＤＢＲ構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】発光ストライプ領域の幅が広くて大出力であるにも拘らず、横モードが安定して、かつ、遠視野像の光強度が、主ピークのみが強くてサイドローブが極めて小さい半導体レーザ装置と、それを用いた光無線通信システムを提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置４１は、発光ストライプ領域４８が生成すべき、あるいは生成した光電界の振幅および位相の分布を補正するｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９を備える。このｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９は、発光ストライプ領域４８の層厚方向片側に位置する層に、発光ストライプ領域４８の幅方向両端部に対応するように形成されて、この層の屈折率よりも屈折率が小さい領域である。ｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９によって、発光ストライプ領域４８の幅方向両端部の屈折率が、上記発光ストライプ領域４８の幅方向中央部の屈折率よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】光電子デバイス、太陽電池、及びフォトディテクタ等の光電子デバイスを構成するナノウィスカであって、III−Ｖ族半導体物質からなる幅の制御された複数のナノウィスカでの製造方法を提供する。
【解決手段】共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）は、基板にシード粒子を付着させることと、該シード粒子を物質にさらし、その際物質がシード粒子と共にメルトを形成するように温度と圧力の条件を制御し、それによってシード粒子がコラムの頂上に乗ってナノウィスカを形成することからなる方法によって形成され、ナノウィスカのコラムはナノメートル寸法の一定の径を有し、コラムの成長の間上記気体の組成を変更し、それによってエピタキシャル成長を維持しながらコラムの物質組成をその長さに沿った領域で変更し、これによって各部分の物質の間の格子不整合がその境界におけるウィスカの径方向外向きの膨張によって調整される。 （もっと読む）

半導体ヘテロ構造を具備する光子源であって、前記半導体ヘテロ構造は、量子井戸（９７）と、前記量子井戸に隣接する障壁領域（８５）と、前記量子井戸内に設けられる量子ドット（９５）と、を含み、前記光子源は、電気的コンタクト（８７、９３）と、前記量子ドットの放射エネルギーを制御するために前記量子ドットに調整可能な電場を印加するように構成される第１及び第２の電気的コンタクトに結合される電源と、をさらに具備し、前記電場は、動作範囲にわたって調整可能であり、前記量子ドットから前記第１の電気的コンタクトへのキャリアのトンネル時間及び前記量子ドットから前記第２の電気的コンタクトへのキャリアのトンネル時間は、前記放射エネルギーを制御するための前記動作範囲にわたって前記量子ドット内の励起子の放射減衰時間より大きく、前記光子源は、単一量子ドットからの放射が前記光子源から出るように構成される、光子源。
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