【課題】ＳｉあるいはＧａＰ技術をベースとする集積回路にモノリシックに集積化される、新しいＩＩＩ／Ｖ半導体を用いた、発光ダイオードおよびレーザダイオードの半導体構造及び製造方法、あるいはまた、モジュレータ構造および検出器構造への使用法を提供する。
【解決手段】ドープされたＳｉあるいはドープされたＧａＰをベースとするキャリア層Ａ、およびそこに配設されたＩＩＩ／Ｖ半導体Ｄを備え、組成Ｇａ_ｘＩｎ_ｙＮ_ａＡｓ_ｂＰ_ｃＳｂ_ｄを有するモノリシック集積回路構造であって、ここで、ｘ＝７０−１００モル−％、ｙ＝０−３０モル−％、ａ＝０．５−１５モル−％、ｂ＝６７．５−９９．５モル−％、ｃ＝０−３２．０モル−％およびｄ＝０−１５モル−％、ｘとｙの合計は、常に１００モル−％であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄの合計は、常に１００モル−％であり、そして、一方のｘとｙの合計と他方のａないしｄの合計の比率は、実質的に１：１である。 （もっと読む）

【課題】緩和振動周波数の温度による変化が小さい光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、活性層２４を有するメサ部２０と、メサ部２０を埋め込む埋め込み層３０と、を備え、埋め込み層３０は、活性層２４の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ活性層２４の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域３３を有し、屈折率調整領域３３は、埋め込み層３０の高さ方向において、活性層２４と少なくとも一部が重なる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】高出力化に適した半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１と、基板１上に結晶成長によって形成された半導体積層構造２とを含む。半導体積層構造２は、ｎ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１４およびｐ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１７と、これらのクラッド層１４，１７に挟まれたｎ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１５およびｐ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１６と、これらのガイド層１５，１６に挟まれた活性層１０とを含む。活性層１０は、Ａｌ_ｙＧａ_{（１−ｙ）}Ａｓ_{（１−ｘ３）}Ｐ_ｘ３層からなる量子井戸層２２１とＡｌ_ｘ４Ｇａ_{（１−ｘ４）}Ａｓ層からなる障壁層２２２とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＰ等の間接型半導体を材料として用いる半導体レーザダイオードにおいて発光効率を向上させる。
【解決手段】順方向バイアス電圧を印加することにより活性層１２に拡散電流を発生させ、発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れか１以上の層１１、１２、１３の表面形状及び／又はドーパント分布を変化させることを繰り返すとともに、順方向バイアス電圧により活性層１２における伝導帯と価電子帯に反転分布を生じさせ、変化後の表面形状及び／又はドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、反転分布を形成している伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより、拡散電流を減少させてジュール熱を低下させることにより、表面形状及び／又はドーパント分布を固定させるとともに、誘導放出により生成された光を共振面間で共振させることにより更なる誘導放出を誘発させる。 （もっと読む）

【課題】 眼底用ＯＣＴ装置に適した短い波長で高速に波長挿引可能な光源装置を提供する。
【解決手段】 光を増幅させる光増幅媒体と、光共振器と、を備えた発振波長を変化可能な光源装置であって、前記光共振器は、前記光増幅媒体の一方の側に位置する第一の反射部材と、前記光増幅媒体の他方の側に位置する第二及び第三の反射部材を有して構成され、該第二及び第三の反射部材は前記光増幅媒体で増幅された光の光束を該光束の径方向に空間的に分離した状態で前記光増幅媒体方向に反射するものであり、第一の反射部材と前記光増幅媒体と第二の反射部材とを含んで規定される第一の光路と、第一の反射部材と前記光増幅媒体と第三の反射部材とを含んで規定される第二の光路と、の光路長差を可変とする光路長差調整部材により前記光路長差を変化させて前記発振波長を変化させる光源装置。 （もっと読む）

【課題】 高速波長掃引が可能でありかつ広帯域な波長掃引範囲を持つ光源の実現が困難であった。
【解決手段】 光を増幅させる複数の増幅媒体と、光導波路と、を有する光共振器を備えた光源装置であって、前記複数の増幅媒体の増幅率を個別に制御する制御部を有し、前記複数の増幅媒体は、互いに異なる最大利得波長を有すると共に、その増幅帯域は互いにその一部が重複し、且つ、前記増幅率の制御により前記複数の増幅媒体による総合利得が最大となる波長を可変としたことを特徴とする光源装置。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に高品質なＳｂ系結晶を成長させた半導体素子を提供することを可能にする。
【解決手段】本発明の一態様による半導体素子は、Ｓｉ基板１１上に設けられ、Ｓｂと、Ｓｂ以外のＶ族元素を含み、膜厚が１ｎｍ以上２００ｎｍ以下の、第１の層１２と、第１の層上に設けられＳｂを含む第２の層１３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。
【解決手段】
本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。 （もっと読む）

【課題】光出力、静電放電による耐性、生産性を改善し、単一横モードで動作する面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、下部ＤＢＲ２２には、ＡｌＡｓ等の第１の被酸化Ａｌ含有層４０が形成され、上部ＤＢＲ２６には、ＡｌＡｓ等の第２の被酸化Ａｌ含有層５０が形成され、第１の被酸化Ａｌ含有層４０は、第２の被酸化Ａｌ含有層５０よりも活性領域から離れた位置にある。第１の被酸化Ａｌ含有層４０第１の非酸化領域４４の大きさは、第２の被酸化Ａｌ含有層５０の第２の非酸化領域５４の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第１の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さく、第２の非酸化領域の大きさは、第２の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、第１の非酸化領域の大きさは、第２の非酸化領域の大きさと同等もしくはそれより大きい。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを簡略化しつつ、室温において発振可能であるとともに、安定して動作することが可能なフォトニック結晶面発光レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】面発光レーザ１は、活性層１３と、活性層１３を挟むように配置されたｎ−クラッド層１２およびｐ−クラッド層１４と、ｐ−クラッド層１４の表面上に形成され、活性層１３と独立したフォトニック結晶層１５と、フォトニック結晶層１５と接触するように形成されたｐ型表面電極１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】３元混晶の半導体結晶ＩｎＧａＡｓからなる基板に、選択酸化狭窄構造を導入した光半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｉｎ組成比ｘが低い３元混晶の半導体結晶Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓからなる基板１１と、基板１１に低温で結晶成長された、ＩｎＧａＡｓ歪量子井戸構造からなる活性層１３と、活性層１３上に結晶成長されたＡｌＡｓ層１４とを有し、ＡｌＡｓ１４の一部を選択的に酸化して、選択酸化層１４’を形成し、選択酸化狭窄構造とした光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】温度依存性の低い半導体素子、半導体レーザ及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２と、前記基板２上に形成したSb系半導体薄膜からなる活性層４とを備える半導体素子１において、前記活性層４は、結晶方位が(111)である前記基板２の表面上に形成した。前記活性層４が、GaSb，AlGaSb，AlSb，InGaSb，及びInSbのうちいずれか１種又は２種以上で形成されるSb系半導体薄膜であり、量子井戸構造を有する。 （もっと読む）

【課題】広帯域にわたり低閾値電流密度で動作する量子カスケードレーザを提供すること。
【解決手段】量子カスケードレーザ１００は、図１（Ａ）に示すように、ＩｎＡｓ基板１０１と、ＩｎＡｓ基板１０１上のＳｉ−ＩｎＡｓクラッド層１０２と、Ｓｉ−ＩｎＡｓクラッド層１０２上のＳｉ−ＩｎＡｓコア層１０３と、Ｓｉ−ＩｎＡｓコア層１０３上の活性領域１１０と、活性領域１１０上のＳｉ−ＩｎＡｓコア層１０４と、Ｓｉ−ＩｎＡｓコア層１０４上のＳｉ−ＩｎＡｓコア層１０５とを備える。活性領域１１０は、図１（Ｂ）に示す井戸層と障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造が周期的に繰り返されたものであり、井戸層１１１としてＩｎＡｓ_1-xＳｂ_x（０≦ｘ＜１）を、障壁層１１２としてＡｌＡｓ_yＳｂ_1-y（０≦ｙ＜１）を用いている。井戸層１１１および障壁層１１２の組成は、活性領域１１０における歪みが低減されるように選択している。 （もっと読む）

【課題】ボトムアップ的に制御性よくナノオーダのレーザ構造を作製する。
【解決手段】ＧａＰナノワイヤ１３をＳｉ（１１１）基板１１上に形成した後、ＧａＡｓナノワイヤ１４をＧａＰナノワイヤ１３上に形成し、ＧａＡｓナノワイヤ１４をＡｕ微粒子１２とともにＧａＰナノワイヤ１３上から除去してから、ＧａＡｓキャッピング層１５およびＧａＰキャッピング層１６を（１１１）基板１１上にエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】低コスト化を図りつつ、光源より発生する熱を十分に放熱することが可能なプロジェクタを提供すること。
【解決手段】光源１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと、光路変換手段２０と、光変調手段４０と、該光路変換手段２０から射出される光を光変調手段４０に伝達するマイクロレンズアレイ３０と、光変調手段４０により変調された光を被投射面６０に投射する投射装置５０とを備え、複数の光源１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々は、同色の光を射出する複数の発光部１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂが基板１２上に形成されてなり、マイクロレンズアレイ３０によって、複数の発光部１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂから射出される同色の光が光変調手段４０の画素に形成された開口部に集光され、複数の光源１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂから射出される異なる色の光が光変調手段４０の異なる画素に集光されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面１１０と第１結晶成長面１１０と同じ方向に面している第２結晶成長面１０９を有する下地基板１１２であって、第１結晶成長面１１０の周縁の５０％以上または全周縁に下向きの段差を介して第２結晶成長面１０９が連接している。ここで、第１結晶成長面１１０は円形とし、第２結晶成長面１０９は環状であり、第１結晶成長面１１０と同心とする。 （もっと読む）

【課題】良質でなおかつ既存のものに比べて高性能な半導体デバイスを、安価に製造することができる、中赤外光領域で作動する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
結晶基板１上にバッファ層２を積層して形成した基本積層体３上に、特定のエッチング液により選択的に除去可能な薄厚の犠牲層４を積層する犠牲層積層ステップと、その犠牲層上にデバイス層５を形成した後、犠牲層４のみをエッチング除去して前記デバイス層５を前記基本積層体３から分離するデバイス層分離ステップと、前記デバイス層分離ステップにおいてデバイス層５とともに分離された前記基本積層体３に対し、前記犠牲層積層ステップ及びデバイス生成ステップを再度施す再利用ステップと、を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体量子ドットの製造方法に関し、Ｓｉ基板上で３次元電子閉じ込めを実現できるドット状の良好な形状特性をもち、且つ、結晶性良好な化合物半導体量子ドットを実現させようとする。
【解決手段】Ｓｉ_1-x-y Ｇｅ_x Ｃ_y （ｘ≧０、ｙ≧０）バッファ層２上にＩｎＡｓ量子ドット５を形成するのに必要な化合物半導体原料の一方の族の原料、例えばＡｓＨ₃ のみを先行して供給した後、全ての原料、例えばＡｓＨ₃ 及びＴＭＩｎを供給してＩｎＡｓ量子ドット５を形成する工程が含まれる。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＡｓクラッド層を含むリッジ構造を持つ半導体発光素子において、素子抵抗や熱抵抗を抑えながら、エッチング深さを正確に制御できるようにする。
【解決手段】半導体発光素子を、ＧａＡｓ基板１上に下部クラッド層２、活性層３及びＡｌＧａＡｓ上部クラッド層５を備え、ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層５を含むリッジ構造を有し、ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層５の下側に接するようにＩｎＧａＡｓエッチング停止層４を備えるものとし、ＩｎＧａＡｓエッチング停止層４のバンドギャップを、活性層３のバンドギャップよりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】室温付近だけでなく更により高い温度において、しきい値電流および発振波長の安定性を向上可能な構造を有する半導体レーザを提供する。
【解決手段】第１導電型クラッド領域１３と第２導電型クラッド領域１５との間に設けられた発光領域１７では、量子細線１９ａ〜１９ｅが周期Λで配置され、中間半導体領域２１は量子細線１９間に位置する。複素型分布帰還構造の分布帰還構造の半導体レーザ１１は、電流の印加に応答した利得を持つ各量子細線１９ａ〜１９ｅと利得を持たない中間半導体領域２１とを含んでおり、また比較的広いストップバンドを有する。ストップバンドの長波長側のエッジのピークはＤＦＢ共振器の発振波長λ_１〜λ_４に対応する。発光領域１７の量子細線１９ａ〜１９ｅが様々な幅（幅Ｗａ〜Ｗｅ）を有するので、発光領域全体の利得スペクトルは、個々の量子細線１９ａ〜１９ｅの利得スペクトルよりも広くなる。 （もっと読む）