【課題】室温で共振器ポラリトン状態を動作させることを可能にする、コア・シェル型量子ドットの配列構造を提供する。
【解決手段】半導体から成るコア１と、このコア１の周囲に接して形成されたシェル２とによる、コア・シェル型量子ドット１１を用いて、複数個のコア・シェル型量子ドット１１が、双極子相互作用が働く範囲内の間隔で配列された、コア・シェル型量子ドットの配列構造２０を構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の利得領域から出射される光を、低損失で、同一の方向または集束する方向に進行させることができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１００では、活性層１０６のガイド部１１７に対する比屈折率差Δは、下記式（１）を満たし、第１利得領域１６０の第２面１０７側の端面１７２から出射される光２０と、第２利得領域１６２の第２面１０７側の端面１７６から出射される光２２とは、同一の方向または集束する方向に進む。
０．０５［％／μｍ］≦（Δ／Ｗ） ・・・・・・ （１）
ただし、Ｗは５μｍ以上であり、Ｒは１６００μｍ以上であり、Δは下記式（２）で表される。
Δ＝（ｎ_ｃｏｒｅ^２−ｎ_ｃｌａｄ^２）／ｎ_ｃｏｒｅ^２ ・・・・・・ （２）
ただし、ｎ_ｃｏｒｅは、前記曲がり利得部を含む前記積層構造体の垂直断面の有効屈折率であり、ｎ_ｃｌａｄは、前記ガイド部を含む前記積層構造体の垂直断面の有効屈折率である。 （もっと読む）

【課題】アレイ化された発光装置において、スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、複数の利得領域のうちの少なくとも第１利得領域１６２および第２利得領域１６４は、利得領域群１６０を構成し、利得領域群１６０は、複数配列され、複数の利得領域群１６０の各々において、第１利得領域１６２および第２利得領域１６４は、平面的にみて、第１側面１０５から第２側面１０７に向かう第１方向（＋Ｘ方向）と直交する第２方向（＋Ｙ方向）に、第１利得領域１６２、第２利得領域１６４の順で配列され、複数の第１利得領域１６２の上方に設けられた第２電極１１４は、第１共通電極１８０によって互いに電気的に接続され、複数の第２利得領域１６４の上方に設けられた第２電極１１４は、第２共通電極１８２によって互いに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】通常のシリコンプロセスで容易に形成可能な方法によって、シリコン基板上にシリコンを基本構成要素とした、高効率なシリコン発光素子およびシリコンレーザー素子を提供する。
【解決手段】電子を注入するため電極と正孔を注入するための電極、およびそれらに電気的に接続された発光部を有し、その発光部に面方位が（００１）方向のシリコン結晶の薄膜が複数並行に配列した構造を持つ発光素子であって、それぞれの薄膜の間が熱酸化によって生じた酸化膜で満たされており、シリコン薄膜に対して圧力が印加された構造となっていることを特徴とするシリコン発光素子。 （もっと読む）

【課題】
主に量子井戸または量子ドットを用いた光導波路型半導体光源の構造を簡単化し、デバイス表面の微細構造による光波制御を可能とすること。
【解決手段】
基板２０と、前記基板上に形成される下部クラッド層３０と、前記下部クラッド層上に形成され該下部クラッド層の屈折率より高い屈折率を有する活性層４０と、前記活性層上に形成され、前記活性層の屈折率より低い屈折率を有し前記下部クラッド層の層厚に比して薄厚の狭窄層５０と、前記狭窄層上に形成される光制御層６０とを具備し、前記狭窄層中の前記光制御層に対応する箇所の周囲が導通を起こさせない性質を有するように構成される。 （もっと読む）

【課題】素子単体でスペックルが低減された半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、基本横モードと１次横モードとを許容する能動多モード導波路と、前記基本横モードが前記１次横モードよりも多く分布する第１の活性層領域と、前記１次横モードが前記基本横モードよりも多く分布する第２の活性層領域と、を有する活性層と、を備え、前記第１の活性層領域の発光波長と、前記第２の活性層領域の発光波長が異なることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】コロイド物質の製造方法、コロイド物質およびその光学機器製造での使用
【解決手段】得られるコロイド材料は式Ａ_nＸ_mで表される（Ａは周期表のＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ族から選択される元素であり、Ｘは周期表のＶ又はＶＩ族から選択される金属、（Ａ、Ｘ）のペアの選択においては周期表のＡ及びＸの族はそれぞれ（ＩＩ族、ＶＩ族）、（ＩＩＩ族、Ｖ族）、（ＩＶ族、ＶＩ族）からなる群から選択され、ｎ及びｍはＡ_nＸ_mが中性化合物とするような数。本発明方法で得られるコロイド化合物の例はＣｄＳ、ＩｎＰ、ＰｂＳである。本発明方法は非配位又は弱配位溶媒中でＸと式Ａ（Ｒ−ＣＯＯ）_pで表されるカルボキシレートとの混合液を液相分解する段階と、酢酸塩又は酢酸をこの混合液に加える段階とを含む（ｐは１又は２の整数、Ｒは直鎖または分岐Ｃ_1-30アルキル基）本発明のコロイド材料は例えばレーザーや光電子工学デバイスの製造に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は半導体をその基板から分離する方法を提供することである。
【解決手段】 複数の棒状体を基板上に形成し、複数の棒状体上で半導体層をエピタキシー成長させ、更に、複数の棒状体の間の空隙にエッチング液を注入することによって、半導体層をその基板から分離する。複数の棒状体の間の空隙がエッチングの反応面積を大幅に増加させることができるため、本発明による方法によれば、エッチングによって半導体層を基板から分離する効率を向上させ、製造工程のコストを低減させることができ、しかも、基板に使われる材料も前記分離方法に制限されない。 （もっと読む）

【課題】ダブルへテロ構造とは異なる、光閉じ込め係数Γの大きい、新規な素子構造を有する半導体発光素子を提供することを提供すること。
【解決手段】絶縁膜上に光共振器、該光共振器の両側にそれぞれ配置されたｐ電極及びｎ電極を具備する半導体発光素子であって、前記光共振器は、発光波長よりも狭い間隔を隔てて並置された第１及び第２の半導体細線、これら半導体細線の両端部にそれぞれ設けられた光共振器ミラー、及び前記第１及び第２の半導体細線間に配置され、それぞれた前記第１及び第２の半導体細線に電気的に接続された複数の半導体超薄膜を備え、前記第１の細線は前記ｐ電極に、前記第２の細線は前記ｎ電極にそれぞれ電気的に接続され、電流注入により前記半導体超薄膜からレーザ発振を生ずることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】通常のシリコン・プロセスを用いて容易に形成可能な方法によって、シリコンなどの基板上に、シリコンやそれに順ずるゲルマニウムなどのIV族半導体を基本構成要素としたシリコン・レーザー素子及びその製造方法を提供する事にある。
【解決手段】電子を注入する第１の電極部と、正孔を注入する第２の電極部と、第１の電極部及び第２の電極部と電気的に接続された発光部を備え、発光部を単結晶のシリコンとし、発光部が第１の面（上面）と第１の面に対向する第２の面（下面）を有し、第１及び第２の面の面方位を（１００）面とし、第１及び第２の面に直交する方向の発光部の厚さを薄くし、発光部の近傍に配置された、第1の誘電体から構成される導波路と、第１及び第２の誘電体を交互に隣接させる事によって形成したミラーを有する極薄シリコン・レーザーである。 （もっと読む）